有源端接电路以及控制外部集成电路端子的阻抗的方法技术

一种有源端接电路（９０），用于设置多个输入端子的输入阻抗。每个输入端子通过至少一个ＰＭＯＳ晶体管耦合于电源电压，并通过至少一个ＮＭＯＳ晶体管接地。晶体管的阻抗受控制电路（１１０）的控制，控制电路（１１０）产生第一控制信号，用以将另一ＰＭＯＳ晶体管（１３４）的阻抗设置成等于第一预定电阻，并产生第二控制信号，用以将另一ＮＭＯＳ晶体管（１４４）的阻抗设置成等于第二预定电阻。第一控制信号用于控制所有的ＰＭＯＳ晶体管，而第二控制信号用于控制所有的ＮＭＯＳ晶体管。结果，耦合于每个输入端子的ＰＭＯＳ和ＮＭＯＳ晶体管分别具有对应于第一和第二电阻的阻抗。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路，并且更具体地，涉及用于有效地控制外部可接入的集成电路端子的输入阻抗的方法及电路。
技术介绍
集成电路通过各种设计的外部可接入的集成电路端子来接收信号。在某些集成电路中，输入端子之输入阻抗的大小并不关键。在其它集成电路中，尤其是高速工作的存储设备，必须控制至少一些输入端子的输入阻抗，以获得最佳性能。附图说明图1显示了能够优选地使用根据本专利技术的一个或多个有源端接电路实施例的常规存储设备。图1所示的存储设备是一同步动态随机存取存储器(“SDRAM”)10，虽然有源端接电路也可以用于其它存储设备以及其它集成电路中。SDRAM 10包括地址寄存器12，其通过地址输入缓冲器16接收地址总线14上的行地址或列地址。地址总线14通常耦合于存储控制器(未示出)。通常，行地址最初由地址寄存器12接收，并被加到行地址复用器18上。根据构成部分行地址的存储地址位的状态，行地址复用器18将行地址耦合到与两个存储体20、22中的任何一个相关的多个元件上。与存储体20、22的每个相关的是各自的行地址锁存器26，其存储行地址，以及行解码器28，其根据存储的行地址把各种信号加到各自的存储体20或22上。行地址复用器18还把行地址耦合到行地址锁存器26上，以更新存储体20、22中的存储单元。由更新计数器30生成行地址，用于更新目的，更新计数器30受更新控制器32的控制。在已经将行地址加到地址寄存器12上并将其存入行地址锁存器26其中之一后，把列地址加到地址寄存器12上。地址寄存器12将列地址耦合到列地址锁存器40上。根据SDRAM 10的操作模式，将列地址或者通过脉冲串计数器42耦合到列地址缓冲器44上，或者耦合到脉冲串计数器42上，脉冲串计数器42从由地址寄存器12输出的列地址开始，将一列地址序列加到列地址缓冲器44上。在任一种情况中，列地址缓冲器44都向列解码器48提供一列地址，列解码器48把各种列信号加到用于各个存储体20、22的各个检测放大器以及相关的列电路50、52上。将从存储体20、22之一读出的数据分别耦合到用于存储体20、22其中之一的列电路50、52上。然后将该数据耦合到数据输出寄存器56上，数据输出寄存器56通过数据输入缓冲器59和数据输出缓冲器60把该数据加到数据总线58上。将要写入存储体20、22之一的数据通过数据输入寄存器62从数据总线58耦合到列电路50、52上，然后分别通过列电路50、52内的字线驱动器电路，将该数据传送给存储体20、22其中一个。可以使用屏蔽寄存器64来选择性地改变流入和流出列电路50、52的数据，例如通过选择性地屏蔽要从存储体20、22读出的数据。由命令解码器68响应于在控制总线70上接收的、并通过命令输入缓冲器72耦合到命令解码器上的高电平命令信号来控制上述SDRAM10的工作。通常由存储控制器(未在图1示出)生成的这些高电平命令信号是时钟启动信号CKE*、时钟信号CLK、片选信号CS*、写启动信号WE*、列地址选通信号CAS*、以及行地址选通信号RAS*，“*”指明该信号为低电平有效或求反。命令解码器68响应高电平命令信号而生成命令信号序列，以完成每个高电平命令信号所指定的功能(例如，读或写)。这些命令信号，以及它们完成其各自功能的方式都是常规的。因此，为了简洁起见，将省略对这些控制信号的进一步解释。每个输入缓冲器16、59、72都包括一各自的端接电路90，端接电路90与各自的外部可接入输入端子耦合，并且确定输入缓冲器的输入阻抗。常规的端接电路90包括，例如电阻器以及被偏置到接通状态的NMOS和PMOS晶体管。在过去，难于有效地控制输入端子的输入阻抗。由晶体管和其它元件提供的电阻能够随着处理过程的变化以及工作温度而改变，从而使得难于精确地控制输入阻抗。通过在制造商使用熔线(fusible links)等等期间改变电路构形能够在一定程度上补偿处理过程的变化。然而，用这种方式来补偿处理过程的变化会增加包含在端接电路内的元件数量，并可能增加制造步骤的数量。此外，对处理过程的变化的补偿并不补偿温度的变化。因此，输入阻抗能够随温度的改变而变化。使用PMOS或NMOS晶体管的常规端接电路的另一个问题是，晶体管的有效阻抗随源漏电压而变化，因此使得晶体管的阻抗对电源电压的变化很敏感。一种相对复杂的电路(未示出)能够用来实现精确控制输入阻抗的有源端接电路90。然而，为常规集成电路(诸如SDRAM 10)的多个输入端子的每一个提供一相对复杂的端接电路90会大大增加集成电路内的电路数量。因此，需要一种使用相对少的电路并且尽管处理、温度和电源电压有变化还能够精确控制输入端子的输入阻抗的电路及方法。专利技术概述一种控制诸如存储设备的集成电路内的多个外部可接入输入端子的输入阻抗的有源端接电路及方法。每个外部可接入输入端子都耦合于各自的第一可变阻抗器件以及各自的第二可变阻抗器件。利用适合的手段将第一可变阻抗器件其中之一的阻抗与第一预定阻抗进行比较，例如通过从第一可变阻抗器件与第一预定阻抗构成的分压器中产生一反馈信号。类似地，利用适合的手段将第二可变阻抗器件其中之一的阻抗与第二预定阻抗进行比较，例如通过从第二可变阻抗器件与第二预定阻抗构成的分压器中产生一反馈信号。基于这些比较，所有第一可变阻抗器件的阻抗以及所有第二可变阻抗器件的阻抗都被进行调整。更准确地说，所有第一可变阻抗器件的阻抗都被调整，使得它们与第一预定阻抗具有预定的关系，所有第二可变阻抗器件的阻抗都被调整，使得它们与第二预定阻抗具有预定的关系。每个可变阻抗都可以是一不断变化的阻抗器件、选择性地彼此并联耦合的多个固定阻抗器件、或某些其它的可变阻抗器件。附图的简要说明图1是常规SDRAM集成电路的方框图，其具有耦合于各个输入端子用于控制输入端子的输入阻抗的端接电路。图2是本专利技术一实施例的端接电路的示意图，该端接电路可用于图1的SDRAM或其它集成电路。图3是表示响应于电源电压的电平变化在图2的端接电路内的各种节点上的电压的波形图。图4是本专利技术另一实施例的端接电路的示意图，该端接电路可用于图1的SDRAM或其它集成电路。图5是使用含有图2或图3的有源端接电路的图1的存储设备的计算机系统的方框图。本专利技术的详细说明图2示出了有源端接电路100的一个实施例。有源端接电路100是一模拟电路，包括PMOS晶体管102a-n以及NMOS晶体管104a-n，它们耦合于例如图1的SDRAM 10的集成电路的多个输入端子108a-n中相应的一个。所有PMOS晶体管102a-n的栅极都彼此耦合并耦合于控制电路110的第一输出，其提供第一输出电压VO1。类似地，所有NMOS晶体管104a-n的栅极都彼此耦合并耦合于控制电路110的第二输出，其提供第二输出电压VO2。通过对于每个输入端子108a-n只使用两个晶体管102a-n、104a-n，并使用单一的控制电路110来对所有晶体管102a-n、104a-n提供信号，只需要用相对少的电路来控制所有输入端子108a-n的输入阻抗。在此方式中，输出电压VO1和VO2被调整，以保持在输入端子108a-n上的恒定输入阻抗而不管处理过程的变化以及温度和电源电压Vcc的变化，下面将和控制电路110的说明一起来解释本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有源端接电路，用于将多个输入端子的输入阻抗设置为一预定值，该有源端接电路包括：　　　　第一可控阻抗器件，耦合在第一电源电压与所述多个输入端子其中对应的一个之间，该第一可控阻抗器件的阻抗受第一阻抗控制信号的控制；　　　　第二可控阻抗器件，耦合在第二电源电压与所述多个输入端子其中对应的一个之间，该第二可控阻抗器件的阻抗受第二阻抗控制信号的控制；　　　　第一控制电路，被耦合以向所有第一可控阻抗器件提供第一阻抗控制信号，该第一控制电路包括：　　　　第三可控阻抗器件，耦合在第三电源电压与第一反馈节点之间，该第三可控阻抗器件的阻抗受所述第一阻抗控制信号的控制；　　　　第一预定电阻，耦合在所述第一反馈节点与第四电源电压之间，所述第三可控阻抗器件与所述第一预定电阻构成所述第三与第四电源电压之间的一个分压器，以产生在所述第一反馈节点上的第一反馈电压；以及　　　　第一比较器电路，将所述第一反馈电压与一第一参考电压相比较，该第一比较器电路引起所述第一阻抗控制信号改变，使得所述第一反馈电压基本上等于所述第一参考电压；以及　　　　第二控制电路，被耦合以向所有第二可控阻抗器件提供所述第二阻抗控制信号，该第二控制电路包括：　　　　第二预定电阻，耦合在第五电源电压与第二反馈节点之间，　　　　第四可控阻抗器件，耦合在所述第二反馈节点与第六电源电压之间，该第四可控阻抗器件的阻抗受所述第二阻抗控制信号的控制，所述第二预定电阻与所述第四可控阻抗器件构成在所述第五与第六电源电压之间的一个分压器，用以产生在所述第二反馈节点上的第二反馈电压；以及　　　　第二比较器电路，将所述第二反馈电压与一第二参考电压进行比较，该第二比较器电路引起所述第二阻抗控制信号改变，使得所述第二反馈电压基本上等于所述第二参考电压。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯G马丁，
申请(专利权)人：米克伦技术公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]