【技术实现步骤摘要】
本专利技术属半导体晶体管
，具体涉及一种输入级晶体管EB间带有电阻的达林顿开关晶体管。
技术介绍
达林顿开关晶体管属半导体器件范畴，是一种半导体微电子技术。随着半导体单管生产技术的快速发展，开关晶体管(用于开关线路中)、高压大功率管(用于电视机线路中)、大电流功率管(用于音响线路中)等，已达到相当高的生产水平。为了克服大电流时放大系数的下降，人们采用二个晶体管复合在一起，即构成所谓的达林顿晶体管，来增大大电流下的电流，其结构如图1所示。当三极管T1的发射极电流全部注入到三极管T2的基极，成为T2管的基极电流，如图1将2个管子当作一个整体，其电流放大系数β＝β1·β2，其中，β1是三极管T1的放大系数，β2是三极管T2的放大系数。可以看出这种结构起到了放大作用，但是，其功能比较单一。由于三极管T1、T2具有贮存电荷作用，其放大信号，关闭时间较长，如果作为一个高压开关作用就不理想了。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种不仅具有放大功能，而且具有高压开关作用的达林顿开关晶体管。本专利技术提出达林顿开关晶体管，是对图1所示达林顿晶体管的改进，即在图1中三极管T1的EB间(基极和发射极间)接入一个电阻R，其结构如图2所示。根据图1所示，当三极管T1有IB1信号被注入时，信号就被放大，达林顿被开通。而当信号衰减时，为了加快放大信号的关闭，必须增大IB2抽出电流，这样要增加外部线路的功能，即所谓的开关作用不理想。如果在三极管T1的EB间增加一个电阻R(图2)，则(1)通过电阻R来释放T1管的贮存电荷，起到快速衰减信号的作用。(2)通过带入电阻R，当IB1小...
【技术保护点】
一种达林顿开关晶体管，其特征在于由三极管（Ｔ１）、（Ｔ２）和电阻Ｒ组成，其中三极管（Ｔ１）的集电极与三极管（Ｔ２）集电极连接，三极管（Ｔ１）的发射极与三极管（Ｔ２）的基极连接；电阻Ｒ连接于三极管（Ｔ１）的基极与发射极之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：金宝兴，
申请(专利权)人：上海屹兴电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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