产生启动重置信号的电路及方法技术

本发明专利技术是关于一种产生启动重置信号的电路及方法。电源供应器的电压随耦器，与电源供应器相连接，用于依比例跟随供应电压的增加以输出一重置信号。一脉冲产生控制电路与电压随耦器相耦合，是用于当供应电压超过一预定的临界电压时，使电压随耦器放电，藉以使重置信号产生一重置脉冲。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种启动重置(power up reset；PUR)电路，特别是涉及一种在运作期间产生一重置脉冲，用以重置一集成电路(integrated circuit；IC)的元件，例如正反器(flip-flops)、闩锁(latch)及暂存器(register)的。
技术介绍
启动重置(power up reset；PUR)电路可使一集成电路(integratedcircuit；IC)在正常操作前处于一定义明确的状态。启动重置的顺序是利用电路所产生的脉冲去重置系统的元件，使IC达到上述定义明确的状态，装置因此可正常运作。现有习知的PUR电路设计是以一时间触发系统为基础，此系统由电容器的充电与放电时间所控制。此系统可提供所需的脉冲，当RC时间常数较供应电压的上升(ramp-up)时间为快时，电路将会失效。不像高供应电压的装置，低电压电路的上升速率是很慢的，且现有习知的PUR电路设计在处理这种缓慢的上升速率时经常遭遇到问题。低功率电路的供应电压上升时间可为1ms至10ms，甚至更慢。随着技术持续进步且低电压制程愈来愈一般化，愈有必要解决此一问题。为了让习知的PUR电路能在这种缓慢的上升速率下正常运作，可能需要用大型电容器或其他MOS装置以提高RC时间常数。然而这种元件将使电路变大，因而使电路变的不实用。理想的PUR电路应该在任何上升速率下皆可提供持续的脉冲产生，而且不消耗DC电流。理想的PUR电路亦应占较少的面积以满足实用的目的。因此需要一种电力启动重置电路的新设计，不以电容器的充电与放电时间的触发为基础，并且可减少电路面积。由此可见，上述现有的启动重置电路在结构、方法与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决启动重置电路存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。有鉴于上述现有的启动重置电路存在的缺陷，本专利技术人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型结构的，能够改进一般现有的启动重置电路，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，克服现有的启动重置电路存在的缺陷，而提供一种新的产生启动重置信号的电路，所要解决的技术问题是使其重置IC上的正反器、闩锁或暂存器，从而更加适于实用，且具有产业上的利用价值。本专利技术的另一目的在于，提供一种产生启动重置信号的方法，所要解决的技术问题是使元件在正常运作前，在电力启动期间处于定义良好状态，从而更加适于实用。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出的一种产生启动重置信号的电路，其至少包括一电源供应器的电压随耦器，与一电源供应器相连接，用以依比例地跟随一供应电压的增加而输出一启动重置信号；以及一脉冲产生控制电路，是与该电源供应器的电压随耦器相耦合，用以当该供应电压超过一预定的临界电压时截断该电源供应器的电压随耦器，藉此使该启动重置信号产生一重置脉冲。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的产生启动重置信号的电路，其中所述的脉冲产生控制电路至少包括一第一MOS晶体管，与该电源供应器的电压随耦器相连接，其中当该供应电压超过该预定的临界电压时，该第一MOS晶体管被导通以截断该电源供应器的电压随耦器。前述的产生启动重置信号的电路，其中所述的脉冲产生控制电路至少包括一第二MOS晶体管，耦合于该电源供应器与该第一MOS晶体管的一第一闸极之间。前述的产生启动重置信号的电路，其中所述的预定的临界电压不小于该第一MOS晶体管的一第一临界电压与该第二MOS晶体管的一第二临界电压的总和。前述的产生启动重置信号的电路，其中所述的第二MOS晶体管为一PMOS晶体管，具有一第二闸极与该PMOS晶体管的一第二汲极相连接。前述的产生启动重置信号的电路，其中所述的第一MOS晶体管与第二MOS晶体管为高临界电压装置，用以提高该预定的临界电压的一设计边界。前述的产生启动重置信号的电路，其中所述的脉冲产生控制电路至少包括一第三MOS晶体管，耦合于该第一MOS晶体管的一第一闸极与该电源供应器之间，用以提高该预定的临界电压，大小为在该第三MOS晶体管的一电压降。前述的产生启动重置信号的电路，其中所述的电源供应器的电压随耦器至少包括一第一反相器与一第二反相器，其中该第一反相器的一第一输出导线与该第二反相器的一第二输出导线在一第二节点相连接。前述的产生启动重置信号的电路，其中所述的电源供应器的电压随耦器至少包括一第一电容器，连接于该电源供应器与该第一节点之间，用以使该电源供应器与该第一节点相耦合。前述的产生启动重置信号的电路，其中所述的电源供应器的电压随耦器至少包括一第二电容器，是连接于该第二节点与接地之间，用以使一接地电压与该第二节点相耦合。前述的产生启动重置信号的电路，其更包括一第三反相器，与该第二节点相连接，用以使该第二反相器所输出的信号反相。前述的产生启动重置信号的电路，其更包括一第三电容器，与该脉冲产生控制电路相连接，作为一杂讯过滤器。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出的一种产生启动重置信号的电路，其至少包括一电源供应器的电压随耦器，与一电源供应器相连接，用以依比例地跟随一供应电压的增加而输出一拉升控制信号；以及一脉冲产生控制电路，与该电源供应器的电压随耦器及该电源供应器相耦合，用以当该供应电压开始上升时，输出一启动重置信号回应该拉升控制信号，其中该脉冲控制电路在该供应电压超过一预定的临界电压时，截断该电源供应器的电压随耦器，因此使该启动重置信号产生一重置脉冲。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的产生启动重置信号的电路，其中所述的脉冲产生控制电路至少包括一第一MOS晶体管，将该电源供应器的电压随耦器与接地相连接，其中当该供应电压超过该预定的临界电压时，该第一MOS晶体管被导通以截断该电源供应器的电压随耦器。前述的产生启动重置信号的电路，其中所述的脉冲产生控制电路至少包括一第二MOS晶体管，耦合于该电源供应器与该第一MOS晶体管的一闸极之间。前述的产生启动重置信号的电路，其中所述的预定的临界电压不小于该第一MOS晶体管的一第一临界电压与该第二晶体管的一第二临界电压的总和。前述的产生启动重置信号的电路，其中所述的第二MOS晶体管为一PMOS晶体管，具有一第二闸极连接于该PMOS晶体管的一第二汲极。前述的产生启动重置信号的电路，其中所述的第一MOS晶体管与该第二MOS晶体管为高临界电压装置，用以提高该预定的临界电压的一设计边界。前述的产生启动重置信号的电路，其中所述的脉冲产生控制电路至少包括一第三MOS晶体管，耦合于该第一MOS晶体管的一第一闸极与该电源供应器之间，用以提高该预定的临界电压，大小为在该第三MOS晶体管的一电压降。前述的产生启动重置信号的电路，其中所述的电源供应器的电压随耦器至少包括一第一反相器与一第二反相器，其中该第一反相器的一第一输出导线与该第二反相器的一第二输入导线在一第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种产生启动重置信号的电路，其特征在于其至少包括：一电源供应器的电压随耦器，与一电源供应器相连接，用以依比例地跟随一供应电压的增加而输出一启动重置信号；以及一脉冲产生控制电路，与该电源供应器的电压随耦器相耦合，用以当该供应电 压超过一预定的临界电压时截断该电源供应器的电压随耦器，藉此使该启动重置信号产生一重置脉冲。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：庄建祥，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]