一种锁存器，用于采样和锁存连续的视频数据，或者锁存来自上游的采样锁存器的锁存结果，所述锁存器包括： ＣＭＯＳ锁存单元； 电源开关，用于将所述ＣＭＯＳ锁存单元连接到电源上； 输入开关，设置在所述ＣＭＯＳ锁存单元的输入端； 其中，所述电源开关和所述输入开关以这样的方式互补地接通和切断，即随着所述ＣＭＯＳ锁存单元从所述电源断开，待锁存的数据被置于所述ＣＭＯＳ锁存单元中，和随着所述ＣＭＯＳ锁存单元的所述输入端从上游电路断开，接通所述电源至所述ＣＭＯＳ锁存单元，以使置于ＣＭＯＳ锁存单元上的数据电平移动。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及锁存器、锁存方法和平板显示装置。例如，本专利技术可以应用到液晶显示装置的水平驱动电路，和利用该水平驱动电路的液晶显示装置中。在专利技术的配置中，CMOS锁存单元从它们的电源断开，每一个CMOS锁存单元的输入端连接到上游电路上，以放置对应的数据。然后，当CMOS锁存单元的电源被激活时，所述CMOS锁存单元的输入端与上游电路断开，从而使CMOS锁存单元上放置的数据电平移动。和以前的方案相比，本方案使功率消耗水平较低，并且使该配置中的装置结构较简单。
技术介绍
作为用在便携式终端装置如PDA和移动电话中的一种平板显示装置，近年来的液晶显示装置具有和玻璃基板集成的LCD面板驱动电路，该玻璃基板用作构成LCD面板的一部分的绝缘基板。上述类型的液晶显示装置采用的是在如日本公开未审查的专利申请2000-242209中公开的方法，该方法通过选择与视频数据一致的多个参考电压，将所述视频数据从数字格式转化为模拟格式，产生驱动信号。图1是利用上述方法进行动作的数模转换器的接线图。数模转换器1包括与包含的灰度数量对应的多个串联电路，每一个串联电路由开关电路构成，根据构成视频数据D1的位b0到b4的逻辑值，所述开关电路导通和截止。在这些串联电路的一端，提供参考电压V0-V31，串联电路的另一端连接到液晶显示面板的列线SIGOUT上。图1中示出的是产生的视频数据D1为5位的配置，其中每一个开关电路都由导电的MOS(金属氧化物半导体)晶体管构成，并且其中适当地设置N和P沟道，以根据视频数据D1的值选择对应的参考电压。从而，数模转换器1被设置为根据视频数据D1选择并输出参考电压V0-V31。利用上述结构的数模转换器1，这种类型的液晶显示装置使视频数据D1的位b0-b4电平移动，以输入到转换器1中。设计该电平移动排列，以可靠地使组成数模转换器中的开关电路的导电MOS晶体管导通和截止。图2是对输入到数模转换器1中的视频数据D1的一位进行控制的处理块的接线图。这种类型的液晶显示装置具有和构成视频数据D1的位数一样多的单比特处理块。单比特处理块和图1的数模转换器1结合，形成建立单个液晶单元的灰度的结构。提供多个上述结构，以访问以水平连续方式设置的液晶单元，从而形成水平驱动电路。单比特处理块由采样锁存器3和第二锁存器4构成。采样锁存器3以合适的定时方式以光栅扫描顺序对视频数据“DATA”输入进行采样。第二锁存器4用于在使来自采样锁存器3的锁存结果电平移动之前，以水平扫描间隔锁存该结果。采样锁存器3具有在电源VDD1和地之间并联连接的CMOS反相器5和6。CMOS反相器5由N沟道MOS(称为NMOS)晶体管Q1和P沟道MOS(称为PMOS)晶体管Q2构成，它们的栅极和漏极连接在一起。同样，CMOS反相器6由NMOS晶体管Q3和PMOS晶体管Q4构成，它们的栅极和漏极连接在一起。在采样锁存器3中，CMOS反相器5的输出被输入到CMOS反相器6。CMOS反相器6的输出通过NMOS晶体管Q5输入到CMOS反相器5中，其中，由采样脉冲″sp.″的反相信号使NMOS晶体管Q5导通和截止。采样锁存器3中的这一配置构成比较器结构的CMOS锁存单元7。在采样锁存器3中，通过NMOS晶体管Q6将单比特视频数据″DATA″输入到CMOS反相器5中，由采样脉冲″sp.″使NMOS晶体管Q6导通和截止。数据″DATA″根据逻辑值使其信号电平在大约0和3V之间变化。在采样锁存器3中，来自比较器结构的CMOS锁存单元7的锁存结果被输入到由NMOS晶体管Q7和PMOS晶体管Q8构成的CMOS反相器8中。该结果从CMOS反相器8发送到第二锁存器4中。通过由NMOS晶体管Q9和PMOS晶体管Q10形成的CMOS反相器9，CMOS反相器8的反相输出被输出到第二锁存器4中。从而，如图3A-3F所示，采样锁存器3锁存与采样脉冲″sp″(图3B)一致的数据″DATA″(图3A)，并输出锁存结果1Lout(图3C)。在第二锁存器4中，CMOS反相器10和11构成比较器结构的CMOS锁存单元12。CMOS反相器10由NMOS晶体管Q11和PMOS晶体管Q12构成，CMOS反相器11由NMOS晶体管Q13和PMOS晶体管Q14构成。来自采样锁存器3的锁存结果1Lout和锁存结果1Lout的反相输出通过由锁存脉冲″oe1″触发的NMOS晶体管Q15和Q16输入到CMOS锁存单元12中。在第二锁存器4中，CMOS锁存单元12通过NMOS晶体管Q17和Q19与地VSS1和负电源VSS2连接，所述NMOS晶体管Q17和Q19由脉冲″oe2″的反相信号“xoe2”互补地导通和截止。同样，CMOS锁存单元12通过PMOS晶体管Q20和Q22与电源VDD2和VDD1连接。通过由NMOS晶体管Q23和PMOS晶体管Q24构成的CMOS反相器13，第二锁存器4将CMOS锁存单元12的输出馈送给数模转换器1的对应位。在第二锁存器4中，提供脉冲″oe2″(图3E)，以将CMOS锁存单元12设置(在时刻t1)为由采样锁存器3使用的相同的电源VDD1。此后，根据锁存脉冲″oe1″(图3D)，由CMOS锁存单元12锁存(在时刻t2)来自采样锁存器3的锁存结果。根据由CMOS锁存单元12锁存的锁存结果，在锁存脉冲″oe1″的后沿，采样锁存器3被断开(在时刻t3)。然后，CMOS锁存单元12的电源电压在脉冲″oe2″的后沿切换(在时刻t4)，从而使锁存结果电平移动用于输出(图3F)。在参考图2的上述第二锁存器4中，不能完全阻止应该互补地动作以切换CMOS锁存单元12的电源的晶体管Q20和Q22同时导通。两个晶体管的瞬间同向触发引起大量的瞬间功率消耗。更具体地说，从电源VDD2到电源VDD1或者从电源VSS1到电源VSS2能够产生流过电流。如果阻止上述瞬间的流动电流，将降低上述类型的平板显示装置的功率消耗，并有助于提高其使用的方便性。如果使第二锁存器4的结构更加简单，将为上述类型的显示装置提供比以前更窄的显示器框架。
技术实现思路
鉴于上述情况，作出本专利技术，并提供和以前相比，需要较少的功率消耗同时利用更简化的装置结构的锁存器、锁存器驱动方法和平板显示装置。根据本专利技术的一个实施例，提供一种锁存器，用于采样并锁存连续的视频数据，或者锁存来自上游采样锁存器的锁存结果，该锁存器包括CMOS锁存单元；用于将CMOS锁存单元连接到电源的电源开关；设置在CMOS锁存单元的输入端的输入开关；其中，电源开关和输入开关以这样一种方式互补地接通和切断，该方式使得随着CMOS锁存单元从电源断开，待锁存的数据被置于CMOS锁存单元中，并且随着CMOS锁存单元的输入端从上游采样锁存器断开，接通电源至CMOS锁存单元，以使置于CMOS锁存单元中的数据电平移动。采用上述锁存器时，电源开关和输入开关互补地导通和切断，从而对于从电源断开CMOS锁存单元，待锁存的目标数据被置于CMOS锁存器中。此后，对于CMOS锁存器的输入从上游电路断开，接通电源至CMOS锁存单元，从而使置于CMOS锁存单元中的数据电平移动。适当地控制锁存单元与电源的连接和断开，从而有效地防止在电源切换时可能产生的流过电流。通过对流过电流的抑制，相应地降低了功率消耗。当简化了电本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：寺西康幸，仲岛义晴，丰泽升，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：
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