绝缘栅功率管窄脉冲驱动器制造技术

本发明专利技术是关于绝缘栅功率管（ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ）驱动电路的领域，特别是一种既电气隔离，又无隔离电源的绝缘栅功率管窄脉冲驱动器，本驱动器由三部分组成：信号变换及驱动，脉冲变压器、电子开关。信号变换电路，把输入信号的高或低电平变换成具有一定频率的高窄脉冲或低窄脉冲，也就是用高频窄脉冲信号将输入信号进行调制，通过功率管驱动脉冲变压器，在电子开关的控制下直接对功率管的栅极充电，形成正栅压或负栅压。窄脉冲信号产生时，电子开关打开，消失后关闭。利用其本身的栅电容来保持栅压，因采用窄脉冲驱动，脉冲变压器体积很小，无需隔离电源，可一直保持功率管的开通或关断。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种绝缘栅功率管窄脉冲驱动器，含有信号变换及功率驱动（ＢＱ），脉冲变压器（Ｂ），稳压管限幅（Ｄ８）、（Ｄ９），其特征是在脉冲变压器（Ｂ）的次级线圈（３）（４）端与被驱动绝缘栅功率管（Ｔ）之间接有一电子开关（ＤＫ）。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：满会生，
申请(专利权)人：满会生，
类型：发明
国别省市：13[中国|河北]