基片处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种基片处理装置。该基片处理装置包括：能够将基片收纳于内侧的处理容器；在处理容器的内侧的保持位置保持基片的保持部；流体供给部，其具有向处理容器的内侧释放处理流体的供给开口部；和供给引导部件，其在供给开口部与保持位置之间与供给开口部相对，对来自供给开口部的处理流体进行引导以使其扩展到比供给开口部的开口面积大的面积的范围。根据本实用新型专利技术，有利于稳定地进行基片的干燥处理。的干燥处理。的干燥处理。

Substrate processing device

The utility model provides a substrate processing device. The substrate processing device comprises: a processing container capable of storing the substrate on the inner side; A holding part for holding the substrate at a holding position on the inner side of the processing container; A fluid supply part having a supply opening for releasing the processing fluid to the inner side of the processing container; And a supply guide part, which is opposite to the supply opening part between the supply opening part and the holding position, guides the processing fluid from the supply opening part to expand to an area larger than the opening area of the supply opening part. According to the utility model, it is conducive to the stable drying treatment of the substrate. Drying treatment of. Drying treatment of< br/>

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置


[0001]本技术涉及基片处理装置。

技术介绍

[0002]已知有使用超临界状态的处理流体来使附着有处理液的半导体晶片等基片干燥的技术(参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2013
‑
251550号公报。
[0006]技术要解决的问题
[0007]在使超临界状态的处理流体从小直径的开口猛烈地喷出的情况下，有时会产生处理流体的涡流，或者产生处理流体的滞留。在这样的情况下，未必能够高效地将处理流体引导到基片(特别是干燥对象面)的周围，其结果是，有时基片的干燥处理需要长时间。另外，由于从开口猛烈地喷出的处理流体被吹向基片，有时液体会非意愿地从基片飞散。
[0008]因此，无法稳定地进行基片表面整体的干燥处理。

技术实现思路

[0009]本技术的问题在于提供有利于稳定地进行基片的干燥处理的技术。
[0010]用于解决问题的技术手段
[0011]本技术的一个方式涉及一种基片处理装置，其使用超临界状态的处理流体来使附着有液体的基片干燥，其包括：能够将基片收纳于内侧的处理容器；在处理容器的内侧的保持位置保持基片的保持部；流体供给部，其具有向处理容器的内侧释放处理流体的供给开口部；和供给引导部件，其在供给开口部与保持位置之间与供给开口部相对，对来自供给开口部的处理流体进行引导以使其扩展到比供给开口部的开口面积大的面积的范围。
[0012]技术效果
[0013]根据本技术，有利于稳定地进行基片的干燥处理。
附图说明
[0014]图1是表示基片处理装置的一例的俯视图。
[0015]图2是表示干燥单元和供给单元的具体构成例的图。
[0016]图3是表示第1实施方式的干燥单元的一例的侧视图。
[0017]图4是表示第1实施方式的干燥单元的一例的侧视图。
[0018]图5是表示第1实施方式的干燥单元的一例的侧视图。
[0019]图6是表示第1实施方式的干燥单元的一例的主视图。
[0020]图7是表示第1实施方式的干燥单元的一例的主视图。
[0021]图8是从上方观察第1实施方式的干燥单元的一例的截面的图。
[0022]图9是表示供给引导部件的第1结构例的放大截面图。
[0023]图10是表示供给引导部件的第2结构例的放大截面图。
[0024]图11是表示供给引导部件的第3结构例的放大截面图。
[0025]图12是表示供给引导部件的第4结构例的放大截面图。
[0026]图13是表示供给引导部件的第5结构例的放大截面图。
[0027]图14是表示供给引导部件的第6结构例的放大截面图。
[0028]图15是表示供给引导部件的第7结构例的放大截面图。
[0029]图16是从上方观察第3实施方式的干燥单元的一例的截面的图。
[0030]图17是从侧方观察第3实施方式的干燥单元的一例的截面的图。
[0031]图18是从侧方观察第1变形例的干燥单元的一例的截面的图。
[0032]附图标记说明
[0033]32b干燥单元
[0034]60压力容器
[0035]61供给头
[0036]65保持部
[0037]67供给开口部
[0038]80供给引导部件
[0039]F处理流体
[0040]L液膜
[0041]S处理空间
[0042]W基片
具体实施方式
[0043]以下，参照附图对本技术的一个实施方式进行说明。本技术并不限定于以下说明的方式和各附图所示的方式。
[0044]在各附图中简化地例示性地表示了各要素。因此，各要素的形态(例如形状、尺寸)、要素间的尺寸比在附图之间未必一致。
[0045]图1是表示基片处理装置1的一例的俯视图。附图所示的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向是相互垂直的方向。X轴方向和Y轴方向是水平方向，Z轴方向是沿着重力作用的铅垂方向的高度方向。
[0046]图1所示的基片处理装置1包括在X轴方向上排列设置的送入送出站2和处理站3。
[0047]送入送出站2具有在X轴方向上排列设置的载置台21、输送部22和交接部23。
[0048]在载置台21上设置有多个运载件C。各运载件C收纳多个基片W。在输送部22设置有能够输送1个或多个基片W的可动式的第1输送装置22a。在交接部23设置有暂时保持1个或多个基片W的过渡装置23a。各运载件C与过渡装置23a之间的基片W的输送由第1输送装置22a进行。
[0049]基片W并无限定，典型的是半导体基片(例如硅晶片或化合物半导体晶片)或玻璃基片。在基片W的表面可以设置有电子电路等器件，也可以形成有微细凹凸图案。
[0050]处理站3具有输送区块31和处理区块32。
[0051]输送区块31以在X轴方向上与交接部23相邻的方式设置。在输送区块31设置有能够输送基片W的可动式的第2输送装置31a。第2输送装置31a在过渡装置23a与处理区块32的各单元之间和处理区块32的各单元之间输送基片W。
[0052]处理区块32以在Y轴方向上与输送区块31相邻的方式设置。处理区块32的数量没有限定。在图1所示的例子中，2个处理区块32以在Y轴方向上夹着输送区块31的方式设置。此外，多个处理区块32也可以在Z轴方向上排列。
[0053]各处理区块32具有液膜形成单元32a、干燥单元32b和供给单元32c。液膜形成单元32a、干燥单元32b和供给单元32c各自的数量没有限定。在图1所示的例子中，在各处理区块32中，液膜形成单元32a、干燥单元32b和供给单元32c各设置有2个。
[0054]液膜形成单元32a对基片W赋予液体，在基片W的上表面形成液膜。液膜形成单元32a的具体结构没有限定。作为一例，液膜形成单元32a具有将基片W以可旋转的方式保持的旋转吸盘和向基片W的上表面释放液体的喷嘴。对基片W供给的液体没有限定。作为一个例子，也可以将化学液体(SC1(氨和过氧化氢的水溶液)、DHF(稀氢氟酸)等)、冲洗液(去离子水等)和干燥液(IPA(异丙醇)等有机溶剂等)按该顺序从喷嘴释放而供给到基片W。
[0055]干燥单元32b通过将由液膜形成单元32a形成在基片W上的液膜置换为超临界状态的处理流体，来使基片W干燥。超临界状态的处理流体具有临界温度以上的温度，且具有临界压力以上的压力。通过使用超临界状态的处理流体，能够抑制由基片W上的液体的表面张力引起的基片W的凹凸图案的倒塌，并且使基片W干燥。处理流体没有限定，例如可以使用二氧化碳(CO2)作为处理流体。
[0056]供给单元32c向干燥单元32b供给流体。供给单元32c的具体结构没有限定。关于干燥单元32b和供给单元32c的具体结构例将本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片处理装置，其使用超临界状态的处理流体来使附着有液体的基片干燥，其特征在于，包括：能够将所述基片收纳于内侧的处理容器；在所述处理容器的内侧的保持位置保持所述基片的保持部；流体供给部，其具有向所述处理容器的内侧释放所述处理流体的供给开口部；和供给引导部件，其在所述供给开口部与所述保持位置之间与所述供给开口部相对，对来自所述供给开口部的所述处理流体进行引导以使其扩展到比所述供给开口部的开口面积大的面积的范围。2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：所述供给引导部件具有叶片形状。3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述供给引导部件对来自所述供给开口部的所述处理流体进行引导以使其在高度方向上扩展。4.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述供给引导部件对来自所述供给开口部的所述处理流体进行引导以使其在水平方向扩展。5.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述流体供给部具有与所述供给开口部连接的供给凹部，所述供给凹部的开口面积随着远离所述供给开口部而逐渐增大，所述供给引导部件的至少一部分位于所述供给凹部中。6.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述供给引导部件设置成可动，以能够改变来自所述供给开口部的所述处理流体的引导的状态。7.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述供给引导部件将配置于所述保持位置的所述基片从水平方向的外侧局部地包围。8.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述供给开口部设置有多个，多个所述供给开口部包含在水平方向上设置于相互不同的位置的2个以上的供给开口部，所述供给引导部件具有与在水平方向上设置于相互不同的位置的2个以上的供给开口部相对的一体结构。9.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述供给开口部设置有多个，多个所述供给开口部包含在高度方向上设置于相互不同的位置的2个以上的供给开口部，所述供给引导部件具有与在高度方向上设置于相互不同的位置的2个以上的供给开口部相对的一体结构。10.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述供给引导部件设置有多个，
多个所述供给引导部件包含：在从所述供给开口部去往所述保持位置的方向上设置于第1配置位置的1个以上的所述供给引导部件；和在从所述供给开口部去往所述保持位置的方向上设置于第2配置位置的1个以上的所述供给引导部件，其中，所述第2配置位置是与所述第1配置位置不同...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：新型
国别省市：