具备氮化铝基层的补强片制造技术

技术编号:34101068 阅读:14 留言:0更新日期:2022-07-11 23:27
本实用新型专利技术揭示了具备氮化铝基层的补强片,包括补强片基体,补强片基体的顶面和底面分别设有离型保护膜层,补强片基体包括氮化铝基层,氮化铝基层的至少一侧设有金属导电层,任一金属导电层上设有导电胶层。本实用新型专利技术采用氮化铝作为补强片基层,其具备较为可靠地成型精度,尤为适用于紧凑空间的高精度搭载,同时其具备非常显著的热导率与较低的热膨胀系数,不易造成热膨胀应力损伤,维持有效使用寿命。具备导电胶层的多区粘接结构,确保补强片导通配合稳定,不易出现断路不良情况,与柔性电路板之间连接牢固可靠。层状结构设计合理巧妙,满足导通接地需求,补强片性能得到显著提升,适于推广应用,对电子产品稳定性提升具备较大参考应用价值。较大参考应用价值。较大参考应用价值。

Reinforcing sheet with aluminum nitride base

【技术实现步骤摘要】
具备氮化铝基层的补强片


[0001]本技术涉及具备氮化铝基层的补强片,属于补强片的


技术介绍

[0002]补强片即用于FPC柔性线路板的区域或位置支撑,满足FPC柔性线路板的厚度和结构强度需求,从而实现对FPC柔性线路板的搭载固定。
[0003]传统补强片为不锈钢等金属材质补强片,补强片要求平整度较优、具备较小热膨胀系数和较高地导热率,其作为FPC柔性线路板搭载固定应用时,会存在工作升温现象,需要具备较高地散热性,而散热性即需要较高地导热率来满足,传统不锈钢等金属材质补强片导热率较优,但是其较高地膨胀系数会影响到电子产品稳定性,严重者出现热膨胀应力损伤,导致断裂破损等现象。而氮化铝材料具备平整度优、较低热膨胀系数和较高地的导热率,是集成电路、模组等的优异材料,但是还未普及至补强片中,另外补强片存在多种层状结构,如何实现氮化铝在补强片中的应用即为本案的主旨。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是解决上述现有技术的不足,针对传统金属补强片存在膨胀系数较高会造成热膨胀应力引起电子产品损伤的问题,提出具备氮化铝基层的补强片。
[0005]为了达到上述目的,本技术所采用的技术方案为:
[0006]具备氮化铝基层的补强片,包括补强片基体,所述补强片基体的顶面和底面分别设有离型保护膜层,
[0007]所述补强片基体包括氮化铝基层,所述氮化铝基层的至少一侧设有金属导电层,任一所述金属导电层上设有导电胶层。
[0008]优选地,所述金属导电层上设有镂空部,所述导电胶层具备延伸填充所述镂空部的镂空填充部,所述镂空填充部与所述氮化铝基层相粘接。
[0009]优选地,所述氮化铝基层的两侧分别设有所述金属导电层。
[0010]优选地,所述补强片基体上设有至少两个相间隔设置的贯通槽,任意所述贯通槽内设有用于两层所述金属导电层相导通连接的金属导通体。
[0011]优选地,所述补强片基体上设有若干锁固通孔。
[0012]优选地,所述金属导电层为含银和/或铜的金属薄层。
[0013]优选地,所述金属导通体与所述贯通槽相过盈配接,并且所述金属导通体与任意所述金属导电层相固定一体。
[0014]优选地,所述金属导通体为含银和/或铜的金属体。
[0015]优选地,所述氮化铝基层的厚度为1mm~5mm。
[0016]优选地,所述氮化铝基层的两个侧面的平整度<20μm。
[0017]本技术的有益效果主要体现在:
[0018]1.采用氮化铝作为补强片基层,其具备较为可靠地成型精度,尤为适用于紧凑空
间的高精度搭载,同时其具备非常显著的热导率与较低的热膨胀系数,不易造成过热工况下的热膨胀应力损伤,维持有效使用寿命。
[0019]2.具备导电胶层的多区粘接结构,确保补强片导通配合粘接稳定,不易出现断路不良情况,其与柔性电路板之间连接牢固可靠。
[0020]3.层状结构设计合理巧妙,满足导通接地需求,补强片性能得到显著提升,适于推广应用,对电子产品稳定性提升具备较大参考应用价值。
附图说明
[0021]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
[0022]图1是本技术具备氮化铝基层的补强片的层状结构示意图。
[0023]图2是本技术具备氮化铝基层的补强片的一个具体实施例层状结构示意图。
[0024]图3是本技术具备氮化铝基层的补强片的一个优选实施例层状结构示意图。
[0025]图4是本技术具备氧化铝基层的补强片优选实施例中补强片基体的结构示意图。
具体实施方式
[0026]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0027]下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关技术,而非对该技术的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与有关技术相关的部分。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0028]本技术提供了具备氮化铝基层的补强片,如图1至图4所示,包括补强片基体1,补强片基体1的顶面和底面分别设有离型保护膜层2。此结构为现有技术,通过离型保护膜层2实现对补强片基体1的两个配接面的保护,在进行组装作业是进行揭膜即可。
[0029]本案中,如图1至图3所示,补强片基体1包括氮化铝基层3,氮化铝基层3的至少一侧设有金属导电层4,任一金属导电层4上设有导电胶层5。
[0030]具体地说明,氮化铝材料属于现有技术,但是其并未在补强片中进行应用及具体层状结构实现。
[0031]本案中,氮化铝基层存在如下特性:氮化铝基层的平整度<20μm,热导率≥170W/(m
·
K),热膨胀系数/10

6/℃:20~300℃:2~3;300~800℃:2.5~3.5。该物理特性的氮化铝基层属于现有技术,但未在补强片领域中应用。
[0032]具体地实现过程及原理说明:
[0033]本案中的补强片基体1,采用氮化铝基层3作为衬底层,其具备非常可靠的热膨胀稳定性和较优地平整度,满足搭载平整可靠需求,同时在电子产品升温过程中产生热膨胀
应力较小,不易产生导通部位损伤情况发生,延长了补强片配接部位的有效使用寿命,其导电胶层5能满足与柔性电路板的导通部位相导电粘合需求,确保粘接可靠及导电稳定,金属导电层能提高综合导热系数,起到较优地导热散热需求。
[0034]在一个具体实施例中,金属导电层4上设有镂空部40,导电胶层5具备延伸填充镂空部的镂空填充部50,镂空填充部与氮化铝基层相粘接。
[0035]具体地说明,金属导电层4一般采用薄膜结构体,其存在一定地热膨胀系数,在受热情况下,容易出现较大幅面脱胶甚至整体脱胶现象,本案中,采用了镂空部40设计,导电胶层5具备填充该镂空部并与氮化铝基层相粘接的镂空填充部50,其能实现与氮化铝基层的稳定导通粘接,确保能实现局部导通,延长了电子产品有效使用寿命。
[0036]在一个优选实施例中,氮化铝基层3的两侧分别设有金属导电层4。补强片基体3上设有至少两个相间隔设置的贯通槽30,任意贯通槽内设有用于两层金属导电层相导通连接的金属导通体6。即通过金属导通体6能实现两层金属导电层之间的直接导通配合,满足补强片接地需求。
[0037]在一个具体实施例中,补强片基体1上设有若干锁固通孔7。该锁固通孔7用于补强片基体1的搭载锁固需求,能替代传统地胶本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.具备氮化铝基层的补强片,其特征在于:包括补强片基体,所述补强片基体的顶面和底面分别设有离型保护膜层,所述补强片基体包括氮化铝基层,所述氮化铝基层的至少一侧设有金属导电层,任一所述金属导电层上设有导电胶层。2.根据权利要求1所述具备氮化铝基层的补强片,其特征在于:所述金属导电层上设有镂空部,所述导电胶层具备延伸填充所述镂空部的镂空填充部,所述镂空填充部与所述氮化铝基层相粘接。3.根据权利要求2所述具备氮化铝基层的补强片,其特征在于:所述氮化铝基层的两侧分别设有所述金属导电层。4.根据权利要求3所述具备氮化铝基层的补强片,其特征在于:所述补强片基体上设有至少两个相间隔设置的贯通槽,任意所述贯通槽内设有用于两层所述金属导电层相导通连接的金属导通体。5...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈安强陈彪张震威
申请(专利权)人:昆山迪卡特精密电子有限公司
类型:新型
国别省市:

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