【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于超低功耗集成电路中的缓冲器，其特征在于，其包括第一级反相器（Ａ１）、第一级反相器（Ａ２）和第二级反相器（Ｂ），其中，第一级反相器（Ａ１）和（Ａ２）的输入端连接到一起，第一级反相器（Ａ１）的输出电压输入到第二级反相器（Ｂ）中的ＰＭＯＳ管Ｍ５的栅极，第一级反相器（Ａ２）的输出电压输入到第二级反相器（Ｂ）中的ＮＭＯＳ管Ｍ６的栅极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王坤，李向宏，刘新东，
申请(专利权)人：上海贝岭股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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