量子点发光器件及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了量子点发光器件及其制备方法、显示装置。该量子点发光器件包括：阳极；量子点层，量子点层设置在所述阳极的一侧；电子传输层，所述电子传输层设置在所述量子点层远离所述阳极的一侧，所述电子传输层包括层叠设置的第一子电子传输层和第二子电子传输层，所述第一子电子传输层靠近所述量子点层设置；阴极，所述阴极设置在所述电子传输层远离所述阳极的一侧，其中，所述第一子电子传输层的材料包括ZnTiO3，所述第二子电子传输层的材料包括Alq3。由此，可以平衡电子和空穴的注入和传输，从而提高器件的效率。从而提高器件的效率。从而提高器件的效率。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光器件及其制备方法、显示装置


[0001]本专利技术涉及量子点
，具体的，涉及量子点发光器件及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]量子点已被广泛应用于发光二极管、太阳能电池、生物成像、探测器等诸多方面，其中，量子点发光二极管(QLED)由于具有高色纯度、发光颜色可调、稳定性好等诸多优点而成为下一代显示技术的有利竞争者。但是，目前有关QLED的研究工作大部分还停留在实验阶段，而限制QLED产业化脚步的主要原因是QLED器件的效率和寿命问题。
[0003]由于目前的QLED器件中空穴迁移率小于电子迁移率，在器件中电子的注入和传输效率远大于空穴的的注入和传输效率，造成电子和空穴的注入并不平衡，从而限制了器件效率的提升；并且，QLED器件中常用的电子传输层材料为氧化锌(ZnO)，而ZnO表面缺陷态相对较多，ZnO电子传输层与量子点层直接接触，容易造成量子点的荧光淬灭，且单一的ZnO在空气中极不稳定，容易发生团聚。
[0004]因此，目前的量子点发光器件及其制备方法仍有待改进。

技术实现思路

[0005]本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
[0006]在本专利技术的一方面，本专利技术提出了一种量子点发光器件，该量子点发光器件包括：阳极；量子点层，所述量子点层设置在所述阳极的一侧；电子传输层，所述电子传输层设置在所述量子点层远离所述阳极的一侧，所述电子传输层包括层叠设置的第一子电子传输层和第二子电子传输层，所述第一子电子传输层靠近所述量子点层设置；阴极，所述阴极设置在所述电子传输层远离所述阳极的一侧其中，所述第一子电子传输层的材料包括ZnTiO3，所述第二子电子传输层的材料包括Alq3。由此，第一子电子传输层和第二子电子传输层可以提高电子注入势垒，减缓电子注入速率，进而有效改善电子注入和传输速率远大于空穴注入和传输速率的问题，平衡电子和空穴的注入和传输，从而提高器件的效率。
[0007]根据本专利技术的实施例，所述量子点发光器件还包括：空穴注入层，所述空穴注入层设置在所述阳极和所述量子点层之间；空穴传输层，所述空穴传输层设置在所述空穴注入层与所述量子点层之间。
[0008]根据本专利技术的实施例，所述空穴注入层的材质包括PEDOT:PSS、PTPDES、PTPDES:TPBAH、PFO
‑
co
‑
NEPBN、PFO
‑
co
‑
NEPBN:F4
‑
TCNQ、钼的氧化物、钨的氧化物、NiO、CuO中的至少之一。
[0009]根据本专利技术的实施例，所述空穴传输层的材质包括TFB、PVK、TCTA、TPD、聚TPD、CBP中的至少之一。
[0010]根据本专利技术的实施例，所述量子点层的材质包括II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物、II
‑
V族化合物、III
‑
VI族化合物、IV
‑
VI族化合物、I
‑
III
‑
VI族化合物、II
‑
IV
‑
VI族化合物或
IV族单质中的至少之一。
[0011]根据本专利技术的实施例，所述量子点层的材质包括无机钙钛矿型半导体、有机
‑
无机杂化钙钛矿型半导体中的至少之一。
[0012]根据本专利技术的实施例，所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为CsMX3，其中，M为二价金属阳离子，X为卤素阴离子；所述有机
‑
无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为BNY3，其中，B为有机胺阳离子，N为二价金属阳离子，Y为卤素阴离子；任选地，M和N各自独立地包括Pb
2+
、Sn
2+
、Cu
2+
、Ni
2+
、Cd
2+
、Cr
2+
、Mn
2+
、Co
2+
、Fe
2+
、Ge
2+
、Yb
2+
和Eu
2+
中的至少之一；任选地，X和Y各自独立地包括Cl
‑
、Br
‑
或I
‑
中的至少之一。
[0013]在本专利技术的另一方面，本专利技术提出了一种制备前面所述的量子点发光器件的方法，该方法包括：形成阳极；在所述阳极的一侧涂覆量子点溶液，加热处理，得到量子点层；在所述量子点层远离所述阳极的一侧形成电子传输层；在所述电子传输层远离所述阳极的一侧蒸镀形成阴极，其中，形成所述电子传输层包括：在所述量子点层远离所述阳极一侧涂覆ZnTiO3的乙二醇乙醚溶液，并进行加热处理，得到第一子电子传输层；在所述第一子电子传输层远离所述阳极的表面上涂覆Alq3的乙醇溶液，并进行加热处理，得到第二子电子传输层。利用该方法制备得到的量子点发光器件的空穴注入和传输效率与电子注入和传输效率相匹配，达到较好的平衡状态，可以有效提高量子点发光器件的效率，并延长量子点发光器件的使用寿命。
[0014]根据本专利技术的实施例，所述ZnTiO3的乙二醇乙醚溶液的制备方法包括：以ZnCl2和TiCl4为原料，氨水为矿化剂，反应釜内以去离子水为介质，在所述反应釜内使得ZnCl2、TiCl4和氨水在270
‑
290度下反应8h
‑
10h；之后再对所述反应釜内的反应产物进行高温退火处理，得到ZnTiO3；最后配置ZnTiO3乙二醇乙醚溶液，任选地，所述高温退火处理的温度为800
‑
900℃。
[0015]根据本专利技术的实施例，所述方法进一步包括：在所述阳极的表面上涂覆空穴注入层涂覆液，并进行加热处理，得到所述空穴注入层；在所述空穴注入层远离所述阳极的表面上涂覆空穴传输层涂覆液，加热处理，得到所述空穴传输层。
[0016]在本专利技术的又一方面，本专利技术提出了一种显示装置，该显示装置包括前面所述的量子点发光器件。由此，该显示装置具有前面所述的量子点发光器件的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该显示装置具有良好的显示效果，并且使用寿命较长。
附图说明
[0017]图1显示了根据本专利技术一个实施例的量子点发光器件的结构示意图；
[0018]图2显示了根据本专利技术另一个实施例的量子点发光器件的结构示意图；
[0019]图3显示了实施例1的量子点发光器件的成膜效果图；
[0020]图4显示了对比例1的量子点发光器件的成膜效果图；
[0021]图5显示了实施例2的量子点发光器件的成膜效果图；
[0022]图6显示了对比例2的量子点发光器件的成膜效果图。
具体实施方式
[0023]下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终
相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光器件，其特征在于，包括：阳极；量子点层，所述量子点层设置在所述阳极的一侧；电子传输层，所述电子传输层设置在所述量子点层远离所述阳极的一侧，所述电子传输层包括层叠设置的第一子电子传输层和第二子电子传输层，所述第一子电子传输层靠近所述量子点层设置；阴极，所述阴极设置在所述电子传输层远离所述阳极的一侧，其中，所述第一子电子传输层的材料包括ZnTiO3，所述第二子电子传输层的材料包括Alq3。2.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，还包括：空穴注入层，所述空穴注入层设置在所述阳极和所述量子点层之间；空穴传输层，所述空穴传输层设置在所述空穴注入层与所述量子点层之间。3.根据权利要求2所述的量子点发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材质包括PEDOT:PSS、PTPDES、PTPDES:TPBAH、PFO
‑
co
‑
NEPBN、PFO
‑
co
‑
NEPBN:F4
‑
TCNQ、钼的氧化物、钨的氧化物、NiO、CuO中的至少之一，所述空穴传输层的材质包括TFB、PVK、TCTA、TPD、聚TPD、CBP中的至少之一。4.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点层的材质包括II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物、II
‑
V族化合物、III
‑
VI族化合物、IV
‑
VI族化合物、I
‑
III
‑
VI族化合物、II
‑
IV
‑
VI族化合物或IV族单质中的至少之一。5.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点层的材质包括无机钙钛矿型半导体、有机
‑
无机杂化钙钛矿型半导体中的至少之一。6.根据权利要求5所述的量子点发光器件，其特征在于，所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为CsMX3，其中，M为二价金属阳离子，X为卤素阴离子；所述有机
‑
无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为BNY3，其中，B为有机胺阳离子，N为二价金属阳离子...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪鹏生，程陆玲，蒋畅，孙笑，
申请(专利权)人：合肥福纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：