本发明专利技术涉及一种高电压选择电路，所述高电压选择电路包括：第一降压引出电路、第二降压引出电路、开关管M7和开关管M6；开关管M7连接在第一电压输入端和选择电压输出端之间；开关管M6连接在第二电压输入端和选择电压输出端之间；第一降压引出电路与第一电压输入端连接；第二降压引出电路与第二电压输入端连接；第一降压引出电路的引出电压输出端与开关管M6的控制端连接；第二降压引出电路的引出电压输出端与开关管M7的控制端连接；本发明专利技术直接根据第一电压输入端和第二电压输入端降压后的电压与选择电压输出端的电压差值实现较高电压的选择接通，在无需逻辑判断及电平转移的条件下，实现了高电压的选择，同时减少了功耗且不会产生延时。不会产生延时。不会产生延时。
【技术实现步骤摘要】
一种高电压选择电路及系统
[0001]本专利技术涉及电源电路
，特别是涉及一种高电压选择电路及系统。
技术介绍
[0002]在多电压供电系统中，由于供电电源前级可能有多个输出，高低不可控，为保证后级电路的正常工作，需要对供电电源进行选择。为保证芯片在任意一个电源存在条件下都能正常工作，此时需要选择出高电压来为后级电路供电。传统的电压选择方案如图1所示，往往通过对每个电压进行采样然后通过比较器来判断电压高低，通过逻辑来对电源进行选择，这种方法主要存在如下缺点：1.这种实现方案需要电压采样，判断，对于高压电源的判断后，由于器件耐压的限制，需要对逻辑结果通过电平转移才能实现电压的选择，因此面积、功耗方面会比较大，可见传统的方案在成本和功耗方面有明显的缺点；2.由于对电压进行采样，判断整个过程需要一定的时间，因此电压切换时，输出电压会有一定的下降，这就对输出上的电容值有较大的要求，以防止后级电路工作异常。
技术实现思路
[0003]有鉴于此，本专利技术提供了一种高电压选择电路及系统，在无需逻辑判断及电平转移的条件下，实现高电压的选择，同时减少功耗并避免产生延时。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：
[0005]一种高电压选择电路，所述高电压选择电路包括：
[0006]第一降压引出电路、第二降压引出电路、开关管M7和开关管M6；
[0007]所述开关管M7连接在第一电压输入端和选择电压输出端之间；
[0008]所述开关管M6连接在第二电压输入端和选择电压输出端之间；
[0009]所述第一降压引出电路与第一电压输入端连接，所述第一降压引出电路用于对第一电压输入端输入的电压进行降压引出，获得第一引出电压；
[0010]所述第二降压引出电路与所述第二电压输入端连接，所述第二降压引出电路用于对第二电压输入端输入的电压进行降压引出，获得第二引出电压；
[0011]所述第一降压引出电路的引出电压输出端与所述开关管M6的控制端连接；所述开关管M6在选择电压输出端的电压与所述第一引出电压的差值大于预设电压时导通；
[0012]所述第二降压引出电路的引出电压输出端与所述开关管M7的控制端连接；所述开关管M7在选择电压输出端的电压与所述第二引出电压的差值大于预设电压时导通。
[0013]可选的，所述第一降压引出电路包括开关管M4、开关管M1和电阻R1；
[0014]所述开关管M4、所述开关管M1和所述电阻R1依次串联连接在所述第一电压输入端和地之间；
[0015]所述开关管M4的控制端与输出端短接；所述开关管M4的输出端作为所述第一降压引出电路的引出电压输出端，与开关管M6的控制端连接；
[0016]所述开关管M1的控制端输入预设幅值的电压；
[0017]所述开关管M1和所述电阻R1用于产生第一预设偏置电流，以使开关管M4产生第一预设压降。
[0018]可选的，所述开关管M4为PMOS管；
[0019]所述开关管M1为NMOS管。
[0020]可选的，所述第二降压引出电路包括开关管M5、开关管M3和电阻R3；
[0021]所述开关管M5、所述开关管M3和所述电阻R3依次串联连接在所述第二电压输入端和地之间；
[0022]所述开关管M5的控制端与输出端短接；所述开关管M5的输出端作为所述第二降压引出电路的引出电压输出端，与开关管M7的控制端连接；
[0023]所述开关管M3的控制端输入预设幅值的电压；
[0024]所述开关管M3和所述电阻R3用于产生第二预设偏置电流，以使开关管M5产生第二预设压降。
[0025]可选的，所述开关管M5为PMOS管；
[0026]所述开关管M3为NMOS管。
[0027]可选的，所述高电压选择电路还包括：第三降压引出电路、开关管M8、开关管M9、电阻R4和电阻R5；
[0028]所述开关管M8连接在所述第一降压引出电路的引出电压输出端与所述开关管M6的控制端之间；
[0029]所述开关管M9连接在所述第二降压引出电路的引出电压输出端与所述开关管M7的控制端之间；
[0030]所述第三降压引出电路与所述选择电压输出端连接，所述第二降压引出电路用于对所述选择电压输出端的电压进行降压引出，获得第三引出电压；
[0031]所述第二降压引出电路的引出电压输出端分别与所述开关管M9的控制端和开关管M8的控制端连接；
[0032]所述电阻R4连接在所述选择电压输出端和开关管M7的控制端之间；
[0033]所述电阻R5连接在所述选择电压输出端和开关管M6的控制端之间。
[0034]可选的，所述第三降压引出电路包括开关管串联组件、开关管M2和电阻R2；
[0035]所述开关管串联组件、所述开关管M2和所述电阻R2依次串联连接在所述选择电压输出端和地之间；
[0036]所述开关管串联组件的输出端作为所述第三降压引出电路的引出电压输出端，分别与开关管M8和开关管M9的控制端连接；
[0037]所述开关管M2的控制端输入预设幅值的电压；
[0038]所述开关管M2和所述电阻R2用于产生第三预设偏置电流，以使开关管串联组件产生第三预设压降。
[0039]可选的，所述开关管串联组件中包含的开关管的数量至少为两个。
[0040]可选的，所述开关管串联组件中包括依次串联连接的开关管M10、开关管M11、开关管M12；
[0041]所述开关管M10、所述开关管M11和所述开关管M12的控制端和输出端分别短接。
[0042]可选的，所述开关管M6、所述开关管M7、所述开关管M8、所述开关管M9、所述开关管
M10、所述开关管M11和所述开关管M12均为PMOS管；
[0043]所述开关管M2为NMOS管。
[0044]一种高电压选择系统，所述高电压选择系统包括N个高电压选择电路，N个所述高电压选择电路级联连接；
[0045]级联连接的方式为：
[0046]第n级的高电压选择电路的选择电压输出端与第n+1级的高电压选择电路的第一电压输入端或第二电压输入端连接，其中，n＝1，2，3，...，N
‑
1。
[0047]根据本专利技术提供的具体实施例，本专利技术公开了以下技术效果：
[0048]本专利技术公开一种高电压选择电路及系统，所述高电压选择电路包括：第一降压引出电路、第二降压引出电路、开关管M7和开关管M6；开关管M7连接在第一电压输入端和选择电压输出端之间；开关管M6连接在第二电压输入端和选择电压输出端之间；第一降压引出电路与第一电压输入端连接；第二降压引出电路与第二电压输入端连接；所述第一降压引出电路的引出电压输出端与所述开关管M6的控制端连接；第二降压引出电路的引出电压输出端与开关管M7的控制端连接；本专利技术直接根据第一电压输入端和第二电压输入端降压后的电压与选择电压输出端的电压的差值本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高电压选择电路，其特征在于，所述高电压选择电路包括：第一降压引出电路、第二降压引出电路、开关管M7和开关管M6；所述开关管M7连接在第一电压输入端和选择电压输出端之间；所述开关管M6连接在第二电压输入端和选择电压输出端之间；所述第一降压引出电路与第一电压输入端连接，所述第一降压引出电路用于对第一电压输入端输入的电压进行降压引出，获得第一引出电压；所述第二降压引出电路与所述第二电压输入端连接，所述第二降压引出电路用于对第二电压输入端输入的电压进行降压引出，获得第二引出电压；所述第一降压引出电路的引出电压输出端与所述开关管M6的控制端连接；所述开关管M6在选择电压输出端的电压与所述第一引出电压的差值大于预设电压时导通；所述第二降压引出电路的引出电压输出端与所述开关管M7的控制端连接；所述开关管M7在选择电压输出端的电压与所述第二引出电压的差值大于预设电压时导通。2.根据权利要求1所述的高电压选择电路，其特征在于，所述第一降压引出电路包括开关管M4、开关管M1和电阻R1；所述开关管M4、所述开关管M1和所述电阻R1依次串联连接在所述第一电压输入端和地之间；所述开关管M4的控制端与输出端短接；所述开关管M4的输出端作为所述第一降压引出电路的引出电压输出端，与开关管M6的控制端连接；所述开关管M1的控制端输入预设幅值的电压；所述开关管M1和所述电阻R1用于产生第一预设偏置电流，以使开关管M4产生第一预设压降。3.根据权利要求2所述的高电压选择电路，其特征在于，所述开关管M4为PMOS管；所述开关管M1为NMOS管。4.根据权利要求1所述的高电压选择电路，其特征在于，所述第二降压引出电路包括开关管M5、开关管M3和电阻R3；所述开关管M5、所述开关管M3和所述电阻R3依次串联连接在所述第二电压输入端和地之间；所述开关管M5的控制端与输出端短接；所述开关管M5的输出端作为所述第二降压引出电路的引出电压输出端，与开关管M7的控制端连接；所述开关管M3的控制端输入预设幅值的电压；所述开关管M3和所述电阻R3用于产生第二预设偏置电流，以使开关管M5产生第二预设压降。5.根据权利要求4所述的高电压选择电路，其特征在于，所述开关管M5为PMOS管；所述开关管M3为NMOS管。6.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏郅，王磊，
申请(专利权)人：上海南芯半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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