降低可控硅平均驱动电流的控制装置及其控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术是一种降低可控硅平均驱动电流的控制装置及其控制方法。本发明专利技术包括有高压电输入模块（１）、直流电生成模块（２）、微处理器ＩＣ模块（３）、电源过零采集模块（４）和可控硅控制模块（５），本发明专利技术由于采用微处理器ＩＣ模块根据电源过零采集模块产生的电源过零信号向可控硅控制模块输出可控硅驱动信号，并控制可控硅控制模块输出可控硅驱动信号的导通时间，在导通时间内，实现可控硅的持续导通，在导通时间外，微处理器ＩＣ模块控制可控硅控制模块关闭可控硅驱动信号，从而降低平均驱动电流，有效的节约了成本，提高了经济效益。本发明专利技术的控制装置平均驱动电流小，且可降低电路系统成本。本发明专利技术的控制方法控制简单，方便实用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是一种降低可控硅平均驱动电流的控制装置及其控制方 法，属于的改造技 术。
技术介绍
可控硅在交流电路中常用作电源和电路的无触点开关及带负载。 使用时，只要在其正、负极加上相应的电压，又在控制极上施加导通 触发信号，正负、极之间就可导通，有电流流动。同时，在可控硅导 通后，如果正、负极间有电流流过，即使关闭触发信号，可控硅也不 会立即关闭，只有在正、负极电压接近于零电压的时候，才能关闭。在实际应用中，通常会出现施加在可控硅正、负极的交流电与触 发信号不同步的情况，如果电源施加在可控硅和负载的瞬间电压过 高，会造成一瞬间的合闸电涌流而使可控硅损坏，对负载也会造成电 流冲击，易损坏设备，这是本
上的共识。为此，本领域的相 关人员经研究和实践，认为在可控硅正、负极电压过零的时候进行触 发导通是最好的选择，对可控硅和负载的电涌冲击损害最小。目前通 常釆用如下的控制方法用于可控硅的驱动控制中控制器检测到电源 电压的过零信号时，输出开通可控硅导通的信号，使可控硅长时间导通，直至需要关闭可控硅时，控制器才关闭可控硅导通的信号。但这 种驱动方法存在的缺点是在维持可控硅导通的全过程中，需要消耗较 大的驱动电流，电路系统成本也较高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于考虑上述问题而提供 一种平均驱动电流小，降 低电路系统成本的降低可控硅平均驱动电流的控制装置。本专利技术的另一目的在于提供一种控制简单，方便实用的降低可控 硅平均驱动电流的控制方法。本专利技术的技术方案是包括有高压电输入模块、直流电生成模块、 微处理器IC模块、电源过零釆集模块和可控硅控制模块，其中高压电 输入模块的输出端分别与直流电生成模块的输入端连接及与电源过零 釆集模块连接，直流电生成模块的输出端分别与微处理器IC模块连 接、与电源过零采集模块连接及与可控硅控制模块连接，电源过零釆 集模块的输出端与微处理器IC模块的输入端连接，微处理器IC模块 的输出端与可控硅控制模块的输入端连接，微处理器IC模块根据电源 过零釆集模块产生的电源过零信号Utp2向可控硅控制模块输出可控 硅驱动信号Utp3,其中微处理器IC模块向可控硅控制模块输出可控 硅驱动信号Utp3的导通时间为ATO， AT0的范围为当电源电压频 率为50Hz时，ATO控制在O. 5ms 10ms之间；当电源电压频率为60Hz 时，ATO控制在0. 5ms 8ms之间。上述微处理器IC模块向可控硅控制模块输出可控硅驱动信号 Utp3的导通时间ATO的优选范围为当电源电压频率为50Hz时，ATO控制在2ms 5ms之间；当电源电压频率为60Hz时，AT0控制在 2ms ~ 4ms之间。本专利技术降低可控硅平均驱动电流的控制方法，其包括以下步骤1) 电源过零釆集模块检测电源电压信号，并将信号送至微处理 器IC模块；2) 当电源过零采集模块检测到电源电压过零信号时，微处理器 IC模块(3)输出可控硅驱动信号至可控硅控制模块，并对可控硅驱 动信号的导通时间AT进行计时；3) 当可控硅驱动信号的导通时间AT达到设定的导通时间ATO 时，微处理器IC模块关闭可控硅驱动信号；4) 重复以上步骤l)至步骤3)的过程。上述设定的导通时间ATO的范围为当电源电压频率为50Hz时， ATO控制在O. 5ms 10ms之间；当电源电压频率为60Hz时，ATO控 制在0. 5ms ~ 8ms之间。上述设定的导通时间ATO的范围为当电源电压频率为50Hz时， AT0控制在2ms 5ffls之间；当电源电压频率为60Hz时，ATO控制在 2ms ~ 4ms之间。本专利技术由于釆用徽处理器IC模块根据电源过零釆集模块产生的 电源过零信号向可控硅控制模块输出可控硅驱动信号，并控制可控硅 控制模块输出可控硅驱动信号的导通时间，在导通时间内，实现可控 硅的持续导通，在导通时间外，微处理器IC模块控制可控硅控制模 块关闭可控硅驱动信号，从而降低平均驱动电流，有效的节约了成本，提高了经济效益。本专利技术的控制装置平均驱动电流小，且可降低电路 系统成本。本专利技术的控制方法控制简单，方便实用。 附图说明图1为本专利技术控制装置的原理框图2为本专利技术控制装置的电路图3为本专利技术控制方法的控制流程图4为本专利技术高压电输入模块输出的电压UL波形图、电源过零 采集模块产生的电源过零信号Utp2的波形图及可控硅控制模块输出 的可控硅驱动信号Utp的波形图。具体实施例方式实施例本专利技术控制装置的原理框图如图l所示，包括有高压电输入模块 1、直流电生成模块2、微处理器IC模块3、电源过零釆集模块4和可 控硅控制模块5,其中高压电输入模块1的输出端分别与直流电生成 模块2的输入端连接及与电源过零采集模块4连接，直流电生成模块 2的输出端分别与微处理器IC模块3连接、与电源过零采集模块4连 接及与可控硅控制模块5连接，电源过零采集模块4的输出端与微处 理器IC模块3的输入端连接，微处理器IC模块3的输出端与可控硅 控制模块5的输入端连接，微处理器IC模块3根据电源过零釆集模块 4产生的电源过零信号Utp2向可控硅控制模块5输出可控硅驱动信号 Utp3，其中微处理器IC模块3向可控硅控制模块5输出可控硅驱动信 号Utp3的导通时间为厶TO, AT0的范围为当电源电压频率为50Hz时，AT0控制在0. 5ffls ~ 10ms之间；当电源电压频率为60Hz时，△ TO控制在0. 5ms ~ 8ms之间。本专利技术控制装置的电路图如图2所示，本实施例中，高压电输入模块 1在高压交流电源的进线之间跨接压敏电阻ZR1、电容Cll实现电源滤波。本实施例中，直流电生成模块2包括有电源变压器T1、整流桥、滤波 电路、稳压电路等，其中电源变压器T1用于将电源输入的高电压交流电变 为低电压交流电；整流桥由二极管Dll、 D12、 D13、 D14构成，将前述低电 压交流电进行整流；滤波电路由电容C12、 C13并联连接，对前述整流后的 低电压交流电进行滤波；稳压电路用于将前述经滤波后的低电压交流电通 过电阻R13、稳压管ZD1、三极管Q11和Q12获得稳定的直流电Vddl和Vdd2， 直流电Vddl直接连接到高压交流电源的火线L上，并为电源过零采集模 块4提供直流电；直流电Vdd2为微处理器IC模块3提供直流电。本实施例中，电源过零采集模块4利用电阻R22、 R23、 R24、电容C23、 C22、 二极管D21和三极管Q21产生与电源电压过零同步的方波信号，并将 该过零方波信号输出给微处理器IC模块3。本实施例中，微处理器IC模块3的微处理器IC的 一个输入端口 IN接 收电源过零采集模块4产生的电源电压过零方波信号，并作为可控硅驱动 信号处理响应源，微处理器IC的一个输出端口 OUT输出可控硅驱动信号， 控制可控硅的开关。本实施例中，可控硅控制模块5的可控硅SCR1的B极作为本可控硅驱 动电路的输出端与负载相连，用于驱动负载的运行和停止；可控硅SCR1的A极与高压交流电源的零线N连接，利用直流电Vddl为可控硅导通时提供直流偏压，利用电容C21进行滤波，防止可控硅误导通；可控硅SCR1的控 制极G通过限流电阻R33、可控硅的开关与微处理器IC的输出端口 0UT相 连。可控硅的开关由三极管Q31本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降低可控硅平均驱动电流的控制装置，包括有高压电输入模块（１）、直流电生成模块（２）、微处理器ＩＣ模块（３）、电源过零采集模块（４）和可控硅控制模块（５），其中高压电输入模块（１）的输出端分别与直流电生成模块（２）的输入端连接及与电源过零采集模块（４）连接，直流电生成模块（２）的输出端分别与微处理器ＩＣ模块（３）连接、与电源过零采集模块（４）连接及与可控硅控制模块（５）连接，电源过零采集模块（４）的输出端与微处理器ＩＣ模块（３）的输入端连接，微处理器ＩＣ模块（３）的输出端与可控硅控制模块（５）的输入端连接，微处理器ＩＣ模块（３）根据电源过零采集模块（４）产生的电源过零信号Ｕｔｐ２向可控硅控制模块（５）输出可控硅驱动信号Ｕｔｐ３，其特征在于微处理器ＩＣ模块（３）向可控硅控制模块（５）输出可控硅驱动信号Ｕｔｐ３的导通时间为ΔＴ０，ΔＴ０的范围为：当电源电压频率为５０Ｈｚ时，ΔＴ０控制在０．５ｍｓ～１０ｍｓ之间；当电源电压频率为６０Ｈｚ时，ΔＴ０控制在０．５ｍｓ～８ｍｓ之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄兵，李新义，卢超齐，
申请(专利权)人：美的集团有限公司，
类型：发明
国别省市：44[中国|广东]