本发明专利技术公开了一种嵌埋元器件封装基板的制作方法，包括：(a)制作半成品基板，所述半成品基板包括第一介质层和位于所述第一介质层上表面上的第一线路层；(b)制备嵌埋器件层，所述嵌埋器件层包括封装层和嵌埋在所述封装层内的器件，所述器件的背面和所述封装层的下表面平齐；(c)通过粘性层将所述半成品基板和所述嵌埋器件层压合；(d)在所述封装层内和所述粘性层内形成沿高度方向贯穿所述封装层和所述粘性层的层间导通铜柱层，在所述封装层内形成与所述器件的端子连通的导通孔，在所述封装层的上表面上形成外线路层，所述外线路层与所述第一线路层通过所述层间导通铜柱层导通连接，所述外线路层与所述器件的端子通过所述导通孔连通。通孔连通。通孔连通。
【技术实现步骤摘要】
嵌埋元器件封装基板的制作方法
[0001]本专利技术涉及半导体封装领域，具体涉及嵌埋元器件封装基板的制作方法。
技术介绍
[0002]随着电子产业的不断发展，电子产品多功能和微型化成为发展趋势。在封装基板领域，将元器件嵌埋入基板内部可以帮助电子产品实现高集成、多功能和微型化的需求。
[0003]现有封装基板嵌埋技术中，分为有腔体技术和无腔体技术。有腔体技术需要先在基板上制作腔体，然后将元器件置入腔体内部，最后封装、增层；无腔体技术则直接在基板或承载板表面贴装元器件，然后封装、增层。
[0004]有腔体技术，腔体的尺寸、位置精度受设备、工艺方式限制，成本较高。现有无腔体技术，通常的制作方式是先制作基板，然后在基板表面单面贴合元器件，最后压合树脂介质封装和制作线路；或者先在承载板封装元器件，然后在其表面上逐一增层。
[0005]有腔体技术和无腔体技术在结构上均是非对称的，制作的方式也是非对称制作，因材料之间CTE(热膨胀系数)的差异，尤其是固化树脂类介质时会导致应力不平衡而发生基板翘曲。
[0006]此外，有腔体技术和无腔体技术均是在封装之后再进行线路增层，后制程产生的报废直接导致了嵌埋元器件的损失，层数越多、线路越密集，良率损失就越高，则元器件的损失也越大。
技术实现思路
[0007]有鉴于此，本专利技术的目的在于提出一种嵌埋元器件封装基板的制作方法。
[0008]基于上述目的，本专利技术第一方面提供一种嵌埋元器件封装基板的制作方法，包括如下步骤：
[0009](a)制作半成品基板，所述半成品基板包括第一介质层和位于所述第一介质层上表面上的第一线路层；
[0010](b)制备嵌埋器件层，所述嵌埋器件层包括封装层和嵌埋在所述封装层内的器件，所述器件的背面和所述封装层的下表面平齐；
[0011](c)通过粘性层将所述半成品基板和所述嵌埋器件层压合；
[0012](d)在所述封装层内和所述粘性层内形成沿高度方向贯穿所述封装层和所述粘性层的层间导通铜柱层，在所述封装层内形成与所述器件的端子连通的导通孔，在所述封装层的上表面上形成外线路层，所述外线路层与所述第一线路层通过所述层间导通铜柱层导通连接，所述外线路层与所述器件的端子通过所述导通孔连通。
[0013]在一些实施方案中，步骤(b)包括：
[0014](b1)准备临时承载板，所述临时承载板包括至少一面覆有双层铜箔的覆铜板，其中所述覆铜板包括核心层、在所述核心层表面上的第一铜层和在所述第一铜层上的第二铜层，其中所述第一铜层和所述第二铜层通过物理压合附着在一起；
[0015](b2)在所述第二铜层的上表面上施加芯片粘接层；
[0016](b3)将所述器件的背面贴合在所述芯片粘接层上；
[0017](b4)在所述芯片粘接层上形成嵌埋所述器件的封装层，并在所述封装层的上表面上形成铜箔层；
[0018](b5)将所述第一铜层和所述第二铜层物理分离以移除所述核心层和所述第一铜层；
[0019](b6)蚀刻所述第二铜层和所述铜箔层。
[0020]在一些实施方案中，步骤(a)还包括：形成沿高度方向贯穿所述半成品基板的第一铆钉孔。
[0021]在一些实施方案中，步骤(b5)还包括：移除所述核心层和所述第一铜层后，形成沿高度方向贯穿所述第二铜层、所述封装层和所述铜箔层的第二铆钉孔，且所述第一铆钉孔和所述第二铆钉孔能够纵向重合。
[0022]在一些实施方案中，步骤(c)还包括：通过铆钉贯穿所述第一铆钉孔和所述第二铆钉孔以将压合后的所述半成品基板和所述嵌埋器件层铆合固定，并将铆合固定后的所述半成品基板和所述嵌埋器件层固化，然后移除所述铆钉。
[0023]在一些实施方案中，所述核心层选自PP、金属或玻璃。
[0024]在一些实施方案中，所述铜箔层的厚度和所述第二铜层的厚度相同或相近。
[0025]在一些实施方案中，步骤(b2)包括通过点胶或贴DAF的方式在所述临时承载板的上表面上施加芯片粘接层。
[0026]在一些实施方案中，所述封装层选自PP、ABF和PID中的一种或多种的组合。
[0027]在一些实施方案中，所述粘性层选自PP、ABF、PID或纯胶粘结片。
[0028]在一些实施方案中，所述步骤(d)包括：
[0029](d1)在所述封装层内和所述粘性层内形成暴露所述第一线路层或所述器件的端子的导通盲孔；
[0030](d2)在所述导通盲孔的底部和侧壁以及所述封装层的上表面上形成第一金属种子层；
[0031](d3)电镀所述导通盲孔形成沿高度方向贯穿所述封装层和所述粘性层的层间导通铜柱层，以及与所述器件的端子连通的导通孔，并在所述封装层的上表面上电镀形成外铜层；
[0032](d4)在所述外铜层上施加第一光刻胶层，曝光显影所述第一光刻胶层形成第一特征图案；
[0033](d5)在所述第一特征图案中蚀刻暴露的外铜层和第一金属种子层；
[0034](d6)移除所述第一光刻胶层。
[0035]基于相同目的，本专利技术第二方面提供一种嵌埋元器件封装基板的制作方法，包括如下步骤：
[0036](a)制作半成品基板，所述半成品基板包括第一介质层和位于所述第一介质层上表面上的第一线路层；
[0037](b)制备嵌埋器件层，所述嵌埋器件层包括封装层和嵌埋在所述封装层内的器件，所述器件的端子面和所述封装层的第一表面平齐；
[0038](c)通过粘性层将所述半成品基板和所述嵌埋器件层压合，其中所述封装层的第二表面与所述粘性层贴合；
[0039](d)在所述封装层内和所述粘性层内形成沿高度方向贯穿所述嵌埋器件层和所述粘性层的层间导通铜柱层，在所述封装层的上表面上形成外线路层，所述外线路层与所述第一线路层通过所述层间导通铜柱层导通连接，所述外线路层与所述器件的端子连通。
[0040]在一些实施方案中，步骤(b)包括：
[0041](b1)准备牺牲基板；
[0042](b2)在所述牺牲基板的上表面上压合热化离型胶层；
[0043](b3)将所述器件的端子面贴合在所述热化离型胶层上；
[0044](b4)在所述热化离型胶层上形成嵌埋所述器件的封装层，且所述器件的端子面和所述封装层的第一表面平齐；
[0045](b5)分离所述热化离型胶层并移除所述牺牲基板。
[0046]在一些实施方案中，步骤(a)还包括：形成沿高度方向贯穿所述半成品基板的第一铆钉孔。
[0047]在一些实施方案中，步骤(b)还包括：
[0048](b6)在步骤(b5)之后，形成沿高度方向贯穿所述封装层的第二铆钉孔，且所述第一铆钉孔和所述第二铆钉孔能够纵向重合。
[0049]在一些实施方案中，步骤(c)还包括：通过铆钉贯穿所述第一铆钉孔和所述第二铆钉孔以将压合后的所述半成品基板和所述嵌埋器件层铆合固定，并将铆合固定后的所述半成品本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种嵌埋元器件封装基板的制作方法，包括如下步骤：(a)制作半成品基板，所述半成品基板包括第一介质层和位于所述第一介质层上表面上的第一线路层；(b)制备嵌埋器件层，所述嵌埋器件层包括封装层和嵌埋在所述封装层内的器件，所述器件的背面和所述封装层的下表面平齐；(c)通过粘性层将所述半成品基板和所述嵌埋器件层压合；(d)在所述封装层内和所述粘性层内形成沿高度方向贯穿所述封装层和所述粘性层的层间导通铜柱层，在所述封装层内形成与所述器件的端子连通的导通孔，在所述封装层的上表面上形成外线路层，所述外线路层与所述第一线路层通过所述层间导通铜柱层导通连接，所述外线路层与所述器件的端子通过所述导通孔连通。2.根据权利要求1所述的制作方法，其中步骤(b)包括：(b1)准备临时承载板，所述临时承载板包括至少一面覆有双层铜箔的覆铜板，其中所述覆铜板包括核心层、在所述核心层表面上的第一铜层和在所述第一铜层上的第二铜层，其中所述第一铜层和所述第二铜层通过物理压合附着在一起；(b2)在所述第二铜层的上表面上施加芯片粘接层；(b3)将所述器件的背面贴合在所述芯片粘接层上；(b4)在所述芯片粘接层上形成嵌埋所述器件的封装层，并在所述封装层的上表面上形成铜箔层；(b5)将所述第一铜层和所述第二铜层物理分离以移除所述核心层和所述第一铜层；(b6)蚀刻所述第二铜层和所述铜箔层。3.根据权利要求2所述的制作方法，其中步骤(a)还包括：形成沿高度方向贯穿所述半成品基板的第一铆钉孔。4.根据权利要求3所述的制作方法，其中步骤(b5)还包括：移除所述核心层和所述第一铜层后，形成沿高度方向贯穿所述第二铜层、所述封装层和所述铜箔层的第二铆钉孔，且所述第一铆钉孔和所述第二铆钉孔能够纵向重合。5.根据权利要求4所述的制作方法，其中步骤(c)还包括：通过铆钉贯穿所述第一铆钉孔和所述第二铆钉孔以将压合后的所述半成品基板和所述嵌埋器件层铆合固定，并将铆合固定后的所述半成品基板和所述嵌埋器件层固化，然后移除所述铆钉。6.根据权利要求2所述的制作方法，其中所述核心层选自PP、金属或玻璃。7.根据权利要求2所述的制作方法，其中所述铜箔层的厚度和所述第二铜层的厚度相同或相近。8.根据权利要求2所述的制作方法，其中步骤(b2)包括通过点胶或贴DAF的方式在所述临时承载板的上表面上施加芯片粘接层。9.根据权利要求2所述的制作方法，其中所述封装层选自PP、ABF和PID中的一种或多种的组合。10.根据权利要求1所述的制作方法，其中所述粘性层选自...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈先明，林文健，黄高，黄本霞，
申请(专利权)人：珠海越亚半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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