三氯氢硅合成系统技术方案

本申请提供一种三氯氢硅合成系统，包括氯化氢合成炉、空冷器、氯化氢储罐和第一三氯氢硅合成炉，第一管道连接于第一三氯氢硅合成炉的进气口，第一管道设有第一控制阀，第一三氯氢硅合成炉的出气口连接有第二管道，第二管道上设有第二控制阀，第二管道上连接有第三管道，第三管道靠近第二管道的一端设有第三控制阀，第一管道与空冷器通过第四管道连接，第四管道上设有第四控制阀，空冷器与氯化氢储罐通过第五管道连接，第五管道上设有第五控制阀，氯化氢储罐与第一三氯氢硅合成炉的进气口通过第六管道连接，第六管道上设有第六控制阀。本申请的硅粉是由高温氯化氢进行加热，没有采用其他加热措施，能耗较少，降低了生产成本，实际使用效果很好。际使用效果很好。际使用效果很好。

Trichlorosilane synthesis system

【技术实现步骤摘要】
三氯氢硅合成系统


[0001]本申请涉及三氯氢硅合成
，尤其涉及一种三氯氢硅合成系统。

技术介绍

[0002]三氯氢硅是一种无机物，主要用作高分子有机硅化合物的原料，也可以用于仪表工业。
[0003]三氯氢硅一般在合成炉内由氯化氢气体和硅粉混合制成，合成炉的温度需保持在280℃至320℃之间。在反应开始之前，应对合成炉加热，以使硅粉的温度达到300℃左右再通入氯化氢气体。
[0004]目前，对合成炉进行加热的措施有：导热油通过换热管加热、通入用电加热后的氮气加热、采用电感线圈加热和用电热丝加热等措施，这些措施能耗较大，导致生产成本较高。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种三氯氢硅合成系统，硅粉是利用高温氯化氢进行加热的，没有采用其他的加热措施，能耗较少，降低了生产成本，实际使用效果很好。
[0006]为解决上述技术问题，本申请采用以下的技术方案：
[0007]一种三氯氢硅合成系统，包括氯化氢合成炉、空冷器、氯化氢储罐和第一三氯氢硅合成炉，所述氯化氢合成炉的出气口连接有第一管道，所述第一管道连接于所述第一三氯氢硅合成炉的进气口，所述第一管道靠近所述氯化氢合成炉的一端设有第一控制阀，所述第一管道用于向所述第一三氯氢硅合成炉提供加热硅粉用的氯化氢气体，所述第一三氯氢硅合成炉的出气口连接有第二管道，所述第二管道与三氯氢硅处理系统连通，所述第二管道上设有第二控制阀，所述第二管道上连接有第三管道，且所述第三管道与所述第二管道的连接点位于所述第二控制阀与所述第一三氯氢硅合成炉之间，所述第三管道靠近所述第二管道的一端设有第三控制阀，所述第一管道与所述空冷器通过第四管道连接，且所述第四管道与所述第一管道的连接点位于所述氯化氢合成炉与所述第一控制阀之间，所述第四管道上设有第四控制阀，所述空冷器与所述氯化氢储罐通过第五管道连接，所述第五管道上设有第五控制阀，所述氯化氢储罐与所述第一三氯氢硅合成炉的进气口通过第六管道连接，所述第六管道上设有第六控制阀，所述氯化氢储罐用于向所述第一三氯氢硅合成炉提供与硅粉反应的氯化氢气体。
[0008]在使用时，通过控制各个控制阀的启闭可以实现两条路径的切换，具体如下：
[0009]当第一控制阀和第三控制阀开启，第二控制阀和第四控制阀关闭(相应地，第五控制阀和第六控制阀也应关闭)时，形成第一路径，第一路径具体为氯化氢合成炉
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第一管道
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第一三氯氢硅合成炉
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第二管道
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第三管道，第一路径是将氯化氢合成炉合成的高温氯化氢气体通入到第一三氯氢硅合成炉内，对硅粉进行加热，加热后的氯化氢气体进入第三管道，可以用容器收集或作为他用，从而实现对硅粉的加热。
[0010]当第一控制阀和第三控制阀关闭，第二控制阀和第四控制阀开启(相应地，第五控制阀和第六控制阀也应开启)时，形成第二路径，第二路径具体为氯化氢合成炉
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第一管道
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第四管道
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空冷器
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第五管道
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氯化氢储罐
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第六管道
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第一三氯氢硅合成炉
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第二管道
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三氯氢硅处理系统，第二路径是将高温氯化氢气体冷却储存在氯化氢储罐内，作为合成三氯氢硅的原料，通入到第一三氯氢硅合成炉内与硅粉进行反应，生成三氯氢硅，三氯氢硅通过第二管道进入三氯氢硅处理系统，从而实现三氯氢硅的生产。
[0011]相比于现有技术，该三氯氢硅合成系统通过第一路径利用高温氯化氢气体对硅粉进行加热，通过第二路径利用低温氯化氢气体与加热后的硅粉进行反应生产三氯氢硅。在这个过程中，硅粉是利用高温氯化氢进行加热的，没有采用其他的加热措施，能耗较少，降低了生产成本，实际使用效果很好。
[0012]在本申请的一实施例中，还包括第二三氯氢硅合成炉，所述第二三氯氢硅合成炉的进气口与所述第三管道连接。
[0013]在本申请的一实施例中，所述第二三氯氢硅合成炉的进气口通过第七管道与所述氯化氢储罐的出气口连通，所述第七管道上设有第七控制阀，所述第二三氯氢硅合成炉的出气口连接有第八管道，所述第八管道上设有第八控制阀，所述第八管道与三氯氢硅处理系统连通。
[0014]在本申请的一实施例中，所述第一管道靠近所述第一三氯氢硅合成炉的一端设有第九控制阀。
[0015]在本申请的一实施例中，所述第三管道靠近所述第二三氯氢硅合成炉的一端设有第十控制阀。
[0016]在本申请的一实施例中，所述第一管道包覆有保温棉。
[0017]在本申请的一实施例中，所述保温棉由硅酸铝制成。
[0018]在本申请的一实施例中，所述第一管道上设有测温表，所述测温表位于所述氯化氢合成炉与所述第一控制阀之间。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为本申请一实施例提供的三氯氢硅合成系统的结构示意图；
[0021]图2为本申请一实施例提供的三氯氢硅合成系统的第一路径的流向示意图；
[0022]图3为本申请一实施例提供的三氯氢硅合成系统的第二路径的流向示意图；
[0023]图4为本申请另一实施例提供的三氯氢硅合成系统的结构示意图。
[0024]附图标记：
[0025]100、氯化氢合成炉；110、空冷器；120、氯化氢储罐；130、第一三氯氢硅合成炉；140、第一管道；150、第一控制阀；160、第二管道；170、第二控制阀；180、第三管道；190、第三控制阀；200、第四管道；210、第四控制阀；220、第五管道；230、第五控制阀；240、第六管道；250、第六控制阀；260、第二三氯氢硅合成炉；270、第七管道；280、第七控制阀；290、第八管
道；300、第八控制阀；310、第九控制阀；320、第十控制阀；330、测温表。
具体实施方式
[0026]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，也属于本申请保护的范围。
[0027]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三氯氢硅合成系统，其特征在于，包括氯化氢合成炉、空冷器、氯化氢储罐和第一三氯氢硅合成炉，所述氯化氢合成炉的出气口连接有第一管道，所述第一管道连接于所述第一三氯氢硅合成炉的进气口，所述第一管道靠近所述氯化氢合成炉的一端设有第一控制阀，所述第一管道用于向所述第一三氯氢硅合成炉提供加热硅粉用的氯化氢气体；所述第一三氯氢硅合成炉的出气口连接有第二管道，所述第二管道与三氯氢硅处理系统连通，所述第二管道上设有第二控制阀，所述第二管道上连接有第三管道，且所述第三管道与所述第二管道的连接点位于所述第二控制阀与所述第一三氯氢硅合成炉之间，所述第三管道靠近所述第二管道的一端设有第三控制阀；所述第一管道与所述空冷器通过第四管道连接，且所述第四管道与所述第一管道的连接点位于所述氯化氢合成炉与所述第一控制阀之间，所述第四管道上设有第四控制阀，所述空冷器与所述氯化氢储罐通过第五管道连接，所述第五管道上设有第五控制阀，所述氯化氢储罐与所述第一三氯氢硅合成炉的进气口通过第六管道连接，所述第六管道上设有第六控制阀，所述氯化氢储罐用于向所述第一三氯氢硅合成炉提供与硅粉反应的氯...

【专利技术属性】
技术研发人员：王敏强，陈保平，赵剑，张丽烽，
申请(专利权)人：宁夏福泰硅业有限公司，
类型：新型
国别省市：