处理模块、基板处理系统以及处理方法技术方案

本发明专利技术提供能够降低占地面积的处理模块、基板处理系统以及处理方法。处理模块在处理模块的内部具有以两行两列的方式布局的四个载置台，构成布局的行间隔和列间隔为不同的尺寸。寸。寸。

【技术实现步骤摘要】
处理模块、基板处理系统以及处理方法


[0001]本公开涉及处理模块、基板处理系统以及处理方法。

技术介绍

[0002]作为基板处理系统中的对基板(以下，也称作晶圆)进行处理的处理模块，公知有一种在一个腔室同时处理四张晶圆的形态的处理模块(专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2019
‑
087576号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供能够降低占地面积的处理模块、基板处理系统以及处理方法。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一技术方案的处理模块在处理模块的内部具有以两行两列的方式布局的四个载置台，构成布局的行间隔和列间隔为不同的尺寸。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，能够降低占地面积。
附图说明
[0012]图1是表示本公开的一实施方式的基板处理系统的结构的一个例子的概略俯视图。
[0013]图2是表示本实施方式的基板处理装置的结构的一个例子的分解立体图。
[0014]图3是表示待机位置处的处理空间与旋转臂的位置关系的一个例子的图。
[0015]图4是表示晶圆的保持位置处的处理空间与旋转臂的位置关系的一个例子的图。
[0016]图5是表示本实施方式的基板处理装置内的晶圆的移动路径的一个例子的图。
[0017]图6是表示本实施方式的基板处理装置的排气路径的一个例子的图。
[0018]图7是表示本实施方式的基板处理装置的结构的一个例子的概略剖视图。
具体实施方式
[0019]以下，基于附图详细地说明所公开的处理模块、基板处理系统以及处理方法的实施方式。此外，公开技术并不被以下的实施方式所限定。
[0020]在一个腔室同时处理四张晶圆的形态的处理模块也具有四个分别载置四张晶圆的载置台，因此，占地面积也较大。相对于此，在设置基板处理系统的工厂中，谋求占地面积的降低，以提高空间效率。另外，有时在相对于处理模块送入送出晶圆的真空输送室连接有在一个腔室同时处理两张晶圆的形态的处理模块。也就是说，有时在真空输送室连接有不
同的尺寸的处理模块。在这样的情况下，在真空输送室设置分别与不同的尺寸的处理模块相对应的晶圆输送机构。因此，期待降低处理模块的占地面积，并且进行晶圆输送机构的共用化。
[0021](实施方式)
[0022][基板处理系统的结构][0023]图1是表示本公开的一实施方式的基板处理系统的结构的一个例子的概略俯视图。图1所示的基板处理系统1具有送入送出口11、送入送出模块12、真空输送模块13a、13b和基板处理装置2、2a、2b。在图1中，将X方向设为左右方向，将Y方向设为前后方向，将Z方向设为上下方向(高度方向)，将送入送出口11设为前后方向上的近前侧，而进行说明。在送入送出模块12的近前侧互相朝向前后方向地连接有送入送出口11，在送入送出模块12的里侧互相朝向前后方向地连接有真空输送模块13a。
[0024]在送入送出口11载置有载体，该载体是收容有作为处理对象的基板的输送容器。基板是作为直径例如为300mm的圆形基板的晶圆W。送入送出模块12是用于在载体与真空输送模块13a之间进行晶圆W的送入送出的模块。送入送出模块12具有：常压输送室121，其利用输送机构120在常压气氛中在与载体之间进行晶圆W的交接；和加载互锁室122，其将载置晶圆W的气氛在常压气氛与真空气氛之间切换。
[0025]真空输送模块13a、13b分别具有形成为真空气氛的真空输送室14a、14b。在真空输送室14a、14b的内部分别配置有基板输送机构15a、15b。真空输送模块13a与真空输送模块13b之间配置有在真空输送模块13a、13b之间进行晶圆W的交接的通道16。真空输送室14a、14b例如分别形成为俯视时呈矩形。在真空输送室14a的四个侧壁中的在左右方向上互相相对的边，分别连接有基板处理装置2、2b。在真空输送室14b的四个侧壁中的在左右方向上互相相对的边，分别连接有基板处理装置2a、2b。
[0026]另外，在真空输送室14a的四个侧壁中的近前侧的边，连接有在送入送出模块12内设置的加载互锁室122。在常压输送室121与加载互锁室122之间、加载互锁室122与真空输送模块13a之间、真空输送模块13a、13b与基板处理装置2、2a、2b之间配置有闸阀G。闸阀G对分别在互相连接的模块设置的晶圆W的送入送出口进行开闭。
[0027]基板输送机构15a在真空气氛中在送入送出模块12、基板处理装置2、2b和通道16之间进行晶圆W的输送。另外，基板输送机构15b在真空气氛中在通道16和基板处理装置2a、2b之间进行晶圆W的输送。基板输送机构15a、15b由多关节臂形成，具有保持晶圆W的基板保持部。基板处理装置2、2a、2b在真空气氛中对多张(例如两张或四张)晶圆W一并进行使用了处理气体的基板处理。因此，基板输送机构15a、15b的基板保持部例如构成为能够同时保持两张晶圆W，以向基板处理装置2、2a、2b一并交接两张晶圆W。此外，基板处理装置2、2a能够利用设于内部的旋转臂将在真空输送模块13a、13b侧的载置台接收到的晶圆W向里侧的载置台输送。另外，基板输送机构15a、15b为晶圆输送机构的一个例子。
[0028]另外，基板处理装置2、2a、2b的载置台的Y方向间距(行间隔)共同为间距Py，因此，该基板处理装置2、2a、2b能够连接于真空输送模块13a、13b的在左右方向上互相相对的边的任一部位。在图1的例子中，在真空输送模块13a连接有基板处理装置2和基板处理装置2b，在真空输送模块13b连接有基板处理装置2a和基板处理装置2b。此外，基板处理装置2和基板处理装置2a是与工艺用途相对应的、包括与一个载置台对应的处理空间的反应器的直
径不同且作为载置台的X方向间距(列间隔)的间距Px1、Px2不同的基板处理装置。另外，基板处理装置2a的间距Px2是与间距Py相同的值。也就是说，间距Py对应于最大的反应器的尺寸。即，基板处理装置2的反应器的尺寸比基板处理装置2a小，因此能够使间距Px1小于间距Px2。
[0029]基板处理装置2a的内部结构除了间距Px2与间距Px1不同这方面以外与基板处理装置2基本同样，省略其说明。此外，基板处理装置2b是具有两个载置台的类型的基板处理装置，在基板处理装置2b内不进行晶圆的输送，该基板处理装置2b是将两张晶圆同时送入而进行处理并同时送出的类型的基板处理装置。此外，为了方便说明，将图1的XYZ坐标中的X方向间距设为列间隔，将Y方向间距设为行间隔，而进行说明，但例如，也存在基板处理装置2、2a配置于真空输送模块13b的里侧的边的情况，因此，在该情况下，需要将列间隔与行间隔调换地进行考虑。也就是说，哪个是行哪个是列需要以基板处理装置2、2a与真空输送模块13a、13b本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种处理模块，其中，在处理模块的内部具有以两行两列的方式布局的四个载置台，构成所述布局的行间隔与列间隔为不同的尺寸。2.根据权利要求1所述的处理模块，其中，该处理模块还具有旋转臂，该旋转臂包括：四个末端执行器，其能够保持分别载置于所述四个载置台的晶圆；和基部构件，其旋转轴线位于所述布局的中心位置，所述四个末端执行器以成为X形状的方式连接于所述基部构件，所述X形状的与所述行间隔对应的Y方向上的尺寸和与所述列间隔对应的X方向上的尺寸不同。3.根据权利要求2所述的处理模块，其中，该处理模块还具有偏移检测传感器，该偏移检测传感器分别在被所述旋转臂保持着的所述晶圆的旋转轨迹上、且是所述行间隔内或所述列间隔内的旋转对称的位置检测所述晶圆的偏移。4.根据权利要求3所述的处理模块，其中，所述四个载置台分别能够根据所述偏移检测传感器所检测到的所述晶圆的位置来在至少XY平面内微小地移动。5.根据权利要求2～4中任一项所述的处理模块，其中，能够同时送入或送出两张载置于同一列的所述载置台的所述晶圆。6.一种基板处理系统，其是多个处理模块...

【专利技术属性】
技术研发人员：山岸孝幸，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：