包括桥接器的微电子结构制造技术

本文公开了包括桥接器的微电子结构以及相关组件和方法。在一些实施例中，微电子结构可以包括衬底和桥接器。可以包括衬底和桥接器。可以包括衬底和桥接器。

【技术实现步骤摘要】
包括桥接器的微电子结构

技术介绍

[0001]在常规微电子封装中，管芯可以通过焊料附接到有机封装衬底。例如，这种封装可能受限于封装衬底和管芯之间可实现的互连密度、可实现的信号传输速度以及可实现的小型化。
附图说明
[0002]通过以下结合附图进行的详细描述，将容易理解实施例。为了便于描述，相同的附图标记表示相同的结构元件。在附图的各图中，通过示例而非限制的方式示出了各实施例。
[0003]图1是根据各个实施例的示例性微电子结构的侧视截面图。
[0004]图2是根据各个实施例的包括图1的微电子结构的示例性微电子组件的侧视截面图。
[0005]图3
‑
10是根据各个实施例的用于制造图2的微电子组件的示例性过程中的各个阶段的侧面截面图。
[0006]图11是根据各个实施例的示例性微电子结构的侧视截面图。
[0007]图12是根据各个实施例的示例性微电子组件的侧视截面分解图。
[0008]图13
‑
14是根据各个实施例的示例性微电子组件的侧视截面图。
[0009]图15
‑
23是根据各个实施例的用于制造图13的微电子组件的示例性过程中的各种阶段的侧视截面图。
[0010]图24
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25是根据各个实施例的示例性微电子组件的侧视截面图。
[0011]图26
‑
33是根据各个实施例的用于制造图25的微电子组件的示例性过程中的各个阶段的侧视截面图。
[0012]图34
>‑
35是根据各个实施例的示例性微电子组件的侧视截面图。
[0013]图36是根据各个实施例的具有研磨表面的焊料中的研磨痕迹的俯视图。
[0014]图37
‑
41是根据各个实施例的用于制造图35的微电子组件的示例性过程中的各种阶段的侧视截面图。
[0015]图42
‑
44是根据各个实施例的示例性微电子组件的侧视截面图。
[0016]图45
‑
52是根据各个实施例的用于制造图44的微电子组件的示例性过程中的各种阶段的侧视截面图。
[0017]图53是根据各个实施例的示例性微电子组件的侧视截面分解图。
[0018]图54是根据本文公开的任何实施例的可以包括在微电子结构或微电子组件中的晶圆和管芯的俯视图。
[0019]图55是根据本文公开的任何实施例的可以包括在微电子结构或微电子组件中的集成电路(IC)器件的侧视截面图。
[0020]图56是根据本文公开的任何实施例的可以包括微电子结构或微电子组件的IC器件组件的侧视截面图。
[0021]图57是根据本文公开的任何实施例的可以包括微电子结构或微电子组件的示例
性电气设备的框图。
具体实施方式
[0022]本文公开了包括桥接器的微电子结构以及相关组件和方法。在一些实施例中，微电子结构可以包括衬底和在衬底的腔中的桥接器。微电子部件可以耦合到衬底和桥接器。
[0023]为了在微电子封装中实现高互连密度，一些常规方法需要昂贵的制造操作，例如在面板规模上完成的在嵌入式桥接器上方的衬底层中的精细间距过孔形成和第一级互连镀敷。本文公开的微电子结构和组件可以在不以常规的昂贵的制造操作为代价的情况下实现与常规方法一样高或更高的互连密度。此外，本文公开的微电子结构和组件为电子设计者和制造商提供了新的灵活性，允许他们选择实现他们的器件目标的架构，而没有额外的成本或制造复杂性。
[0024]在以下详细描述中，参考形成其一部分的附图，其中相同的附图标记始终表示相同的部分，并且其中通过说明的方式示出了可以实施的实施例。应当理解，在不脱离本公开的范围的情况下，可以利用其他实施例，并且可以进行结构或逻辑改变。因此，以下详细描述不应被理解为是限制性的。
[0025]可以以最有助于理解所要求保护的主题的方式将各种操作依次描述为多个分立的动作或操作。然而，描述的顺序不应被解释为暗示这些操作必须是顺序相关的。特别地，可以不以所呈现的顺序执行这些操作。所描述的操作可以以与所描述的实施例不同的顺序来执行。在另外的实施例中，可以执行各种另外的操作，和/或可以省略所描述的操作。
[0026]对于本公开，短语“A和/或B”表示(A)、(B)或(A和B)。对于本公开，短语“A、B和/或C”表示(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)或(A、B和C)。短语“A或B”表示(A)、(B)或(A和B)。附图不一定是按比例的。尽管许多附图示出了具有平坦壁和直角拐角的直线结构，但这仅仅是为了便于说明，并且使用这些技术制造的实际器件将表现出圆角、表面粗糙度和其他特征。
[0027]本说明书使用短语“在一个实施例中”或“在实施例中”，其可以各自指代相同或不同实施例中的一个或多个。此外，如关于本公开的实施例所使用的术语“包括”、“包含”、“具有”等是同义词。当用于描述大小范围时，短语“在X和Y之间”表示包括X和Y的范围。
[0028]图1是示例性微电子结构100的侧视截面图。微电子结构100可以包括衬底102和在衬底102的“顶”面处的空腔120中的桥接器部件110。衬底102可以包括电介质材料112和导电材料108，其中导电材料108(例如，如所示的，以线和过孔)布置在电介质材料112中以提供穿过衬底102的导电路径。在一些实施例中，电介质材料112可以包括有机材料，例如有机堆积膜。在一些实施例中，例如，电介质材料112可以包括陶瓷、其中具有填料颗粒的环氧树脂膜、玻璃、无机材料或有机和无机材料的组合。在一些实施例中，导电材料108可以包括金属(例如，铜)。在一些实施例中，衬底102可以包括电介质材料112/导电材料108的层，其中一层中的导电材料108的线通过导电材料108的过孔电耦合到相邻层中的导电材料108的线。例如，可以使用印刷电路板(PCB)制造技术来形成包括这些层的衬底102。衬底102可以包括N个这样的层，其中N是大于或等于一的整数；在附图中，从衬底102最靠近空腔120的面开始以降序来标记这些层(例如，层N、层N
‑
1、层N
‑
2等)。尽管在附图中的各个图中示出了电介质材料112/导电材料108的层的特定数量和布置，但是这些特定数量和布置仅是说明性
的，并且可以使用电介质材料112/导电材料108的任何期望的数量和布置。例如，尽管图1和其他附图在桥接器部件110下方的层N
‑
1中没有示出导电材料108，但是导电材料108可以存在于在桥接器部件110下方的层N
‑
1中。此外，尽管在衬底102中示出了特定数量的层(例如，五层)，但是这些层可以仅表示衬底102的部分，并且可以存在另外的层(例如，层N
‑
5、N
‑
6等)。
[0029]如上所述，微电子结构100可以包括在衬底102的“顶”面处的空腔120。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微电子组件，包括：第一微电子部件；第二微电子部件；桥接器部件，其中，所述第一微电子部件耦合到所述桥接器部件的第一面，并且所述第二微电子部件耦合到所述桥接器部件的所述第一面，所述桥接器部件具有与所述第一面相反的第二面，并且所述桥接器部件包括在所述第二面处的第一导电触点；以及衬底，具有第三导电触点，其中，所述桥接器部件至少部分地在所述第一微电子部件与所述衬底之间，所述桥接器部件至少部分地在所述第二微电子部件与所述衬底之间，所述第一导电触点通过第一焊料耦合到第二导电触点，所述第二导电触点通过第二焊料耦合到所述第三导电触点，并且所述第二导电触点在所述第一导电触点与所述第三导电触点之间。2.根据权利要求1所述的微电子组件，其中，所述第二导电触点具有与绝缘材料的表面共面的表面，所述第二导电触点嵌入在所述绝缘材料中。3.根据权利要求2所述的微电子组件，其中，所述第一微电子部件的第四导电触点通过第三焊料耦合到第五导电触点，所述第五导电触点通过第四焊料耦合到第六导电触点，所述第六导电触点是所述衬底的导电触点，所述第五导电触点在所述第四导电触点和所述第六导电触点之间，并且所述第六导电触点在所述桥接器部件的占用面积之外。4.根据权利要求3所述的微电子组件，其中，所述第五导电触点具有与所述绝缘材料的所述表面共面的表面。5.根据权利要求3所述的微电子组件，其中，所述绝缘材料是第一绝缘材料，并且所述微电子组件还包括在所述第一绝缘材料与所述第一微电子部件之间的不同于所述第一绝缘材料的第二绝缘材料。6.根据权利要求5所述的微电子组件，其中，所述第一绝缘材料是抗蚀剂材料，并且所述第二绝缘材料是模制材料。7.根据权利要求5所述的微电子组件，其中，所述桥接器部件至少部分地在所述第一绝缘材料中的开口中。8.根据权利要求3所述的微电子组件，其中，所述第四导电触点的间距大于将所述第一微电子部件耦合到所述桥接器部件的所述导电触点的间距。9.一种微电子组件，包括：微电子部件，包括第一导电触点和第二导电触点；桥接器部件，其中，所述桥接器部件包括在所述桥接器部件的面处的第三导电触点，并且所述第一导电触点通过第一焊料耦合到所述第三导电触点；以及衬底，具有第五导电触点，其中，所述桥接器部件至少部分地在所述微电子部件与所述衬底之间，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：O，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：