【技术实现步骤摘要】
本技术属于一种电子元件，尤其指一种大功率射频电阻或衰减器。技术背景参照图1，通常，对于大功率射频电阻，负载或衰减器，是将电阻材料(陶瓷衬底4)金属化焊接到铜材料的安装法兰5上，引线2从电阻材料中引出，上 面设有陶瓷封帽，电阻材料主要是BeO， A1N。为了提高器件的功率，陶瓷衬底 的面积也需相应的增加，由于铜跟BeO， A1N的热膨胀系数相差很大，面积增大 时，总的热膨胀差异也显著提高，随着多次的温度变化，它们的焊接面会遭到 损坏，最终直至分离失效，另一种失效的情况是陶瓷衬底断裂当散热法兰通 过法兰孔固定到器件上后，铜受热膨胀，因为两端被固定，所以只能变成一个 拱桥形，这样就会折断陶瓷衬底。在大功率电阻，负载或衰减器的使用过程中， 这种现象非常普遍。
技术实现思路
本技术的一个目的，在于解决现有技术中的不足之处，提供一种防止 陶瓷衬垫断裂的大功率射频电阻。为实现上述目的，本技术的大功率射频电阻，包括陶瓷封帽、陶瓷衬底和安装法兰，陶瓷衬底位于陶瓷封帽和安装法兰的中间，陶瓷封帽、陶瓷衬底和安装法兰固定连接在一起，引线从陶瓷衬底中伸出，陶瓷衬底包括多片陶瓷衬底，多片陶瓷衬底之间电连接。优选地，陶瓷衬底是由两片陶瓷衬底组成。优选地，所述两片陶瓷衬底分别位于安装法兰中心线的两侧，对称放置。 本技术的优点为将陶瓷衬底由一整片分为多片，减小了单个衬底基片的面积，从而降低了所受到的拉力，弯折力；提高设计电阻的灵活性；有利 于焊接陶瓷衬底和安装法兰时，排出气泡，提高导热系数。附图说明图l为现有大功率射频电阻示意图。图2为本技术所述大功率射频电阻示意图。图3为安装法兰中心线的示...
【技术保护点】
一种大功率射频电阻，包括陶瓷封帽、陶瓷衬底和安装法兰，陶瓷衬底位于陶瓷封帽和安装法兰的中间，陶瓷封帽、陶瓷衬底和安装法兰固定连接在一起，引线从陶瓷衬底中伸出，其特征在于：陶瓷衬底包括多片陶瓷衬底，多片陶瓷衬底之间电连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘汛，
申请(专利权)人：深圳市禹龙通电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]
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