流体处理系统、方法和光刻设备技术方案

本发明专利技术涉及流体处理系统。流体处理系统包括液体限制结构，液体限制结构被配置为将浸没液体限制在液体限制结构的至少一部分和衬底表面之间的空间中。流体处理系统还包括被配置为使得与浸没液体接触的振动部件振动的机构。为使得与浸没液体接触的振动部件振动的机构。为使得与浸没液体接触的振动部件振动的机构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】流体处理系统、方法和光刻设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年11月18日提交的EP申请19209814.3的优先权，该申请的全部内容通过引用并入本文。


[0003]本专利技术涉及流体处理系统和装置制造方法。本专利技术还涉及光刻设备。

技术介绍

[0004]光刻设备是被构造为将期望图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以被用于例如集成电路(IC)的制造中。例如，光刻设备可以将图案形成装置(例如，掩模)的图案(也通常被称为“设计布局”或“设计”)投影到衬底(例如，晶片)上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。已知的光刻设备包括所谓的步进机，其中通过一次将整个图案曝光到目标部分上来照射每个目标部分，以及所谓的扫描仪，其中通过在给定方向(“扫描”方向)上借助辐射束扫描图案同时平行或反平行于该方向同步扫描衬底来照射每个目标部分。
[0005]随着半导体制造工艺的不断进步，电路元件的尺寸不断减小，而每个器件的功能元件(诸如晶体管)的数量在过去几十年中遵循通常被称为“摩尔定律”的趋势一直在稳步增加。为了跟上摩尔定律，半导体行业正在追逐能够创造出越来越小的特征的技术。为了在衬底上投影图案，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定了在衬底上图案化的特征的最小尺寸。当前使用的典型波长为365nm(i
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line)、248nm、193nm和13.5nm。
[0006]更小特征的分辨率的进一步改进可以通过在曝光期间在衬底上提供具有相对高折射率的浸没流体(诸如水)来实现。浸没流体的作用是使得能够对更小的特征进行成像，因为曝光辐射在流体中的波长比在气体中的波长更短。浸没流体的作用也可以被看作是增加了系统的有效数值孔(NA)，并且也增加了焦深。
[0007]浸没流体可以通过流体处理结构被限制在光刻设备的投影系统和衬底之间的局部区域。使用这样的浸没流体可能导致在衬底表面上存在微滴。这样的微滴可能是问题，因为当微滴撞击浸没液体的弯液面时，由于浸没液体中夹带的气体，这可能导致气泡的形成。浸没液体中的气泡会导致衬底上的印刷缺陷。可以通过降低衬底的相对速度来降低引入这样的气泡的可能性，然而这限制了光刻设备的产量。

技术实现思路

[0008]本专利技术的一个目的是提供其中采取措施来增加产量和/或减少衬底上的缺陷的流体处理系统和方法。
[0009]根据本专利技术，提供了流体处理系统，包括：液体限制结构，其被配置为将浸没液体限制在液体限制结构的至少一部分和衬底的表面之间的空间中，液体限制结构具有其中形成的孔的结构，用于辐射束穿过孔来通过浸没液体照射衬底的表面；以及被配置为在使用中以大于或等于大约30Hz且小于9,500Hz的频率振动与浸没液体接触的振动部件的机构。
[0010]根据本专利技术，还提供了如本文所公开的器件制造方法。
[0011]根据本专利技术，还提供了如本文所公开的光刻设备。
[0012]以下结合附图来详细描述本专利技术的进一步实施例、特征和优点，以及本专利技术的各个实施例、特征和优点的结构和操作。
附图说明
[0013]现在将仅通过示例的方式参考所附示意图来描述本专利技术的实施例，其中对应的附图标记指示对应的部分，并且其中：
[0014]图1描绘了光刻设备的示意图；
[0015]图2a、图2b和图2c各自以截面描绘了流体处理系统的两个不同版本，在每个版本的左侧和右侧图示了不同的特征，特征可以围绕整个圆周延伸；
[0016]图3a、图3b、图3c和图3d各自以截面的形式描绘了本专利技术第一实施例的系统的变型，其中两个不同版本的流体处理系统具有在左侧和右侧图示的不同特征，特征可以围绕整个圆周延伸；
[0017]图4以截面描绘了本专利技术第一实施例的系统的变型，其中两个不同版本的流体处理系统具有在左侧和右侧图示的不同特征，特征可以围绕整个圆周延伸；
[0018]图5a和图5b描绘了第一实施例的系统的变型；
[0019]图6以截面形式描绘了本专利技术的第二实施例的系统，其中两个不同版本的流体处理系统具有在左侧和右侧图示的不同特征，特征可以围绕整个圆周延伸；以及
[0020]图7以截面的形式描绘了本专利技术第三实施例的系统，其中两个不同版本的流体处理系统具有在左侧和右侧图示的不同特征，特征可以围绕整个圆周延伸。
[0021]图中所示的特征不一定按比例绘制，并且所描绘的尺寸和/或布置不是限制性的。应当理解，附图包括对本专利技术而言可能不是必需的可选特征。此外，并非在每个图中都描绘了设备的所有特征，并且这些图可能仅示出了与描述特定特征有关的一些部件。
具体实施方式
[0022]在本文件中，术语“辐射”和“光束”被用于涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如，具有365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)。
[0023]本文中使用的术语“掩模版”、“掩模”或“图案形成装置”可以被广义地解释为指代可以被用于赋予入射辐射束经图案化的截面的通用图案形成装置，经图案化的截面对应于待在衬底的目标部分中创建的图案。在该上下文中也可以使用术语“光阀”。除了经典掩模(透射或反射、二元、相移、混合等)之外，其他此类图案形成装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。
[0024]图1示意性地描绘了光刻设备。光刻设备包括被配置为调节辐射束B(例如，UV辐射或DUV辐射)的照射系统(也称为照射器)IL；被构造为支撑图案形成装置(例如，掩模)MA并且被连接到第一定位器PM的掩模支撑件(例如，掩模台)MT，第一定位器PM被配置为根据某些参数来精确定位图案形成装置MA；被构造为保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W并且被连接到第二定位器PW的衬底支撑件(例如，衬底台)WT，第二定位器PW被配置为根据某些参数来精确定位衬底支撑件WT；以及被配置为将通过图案形成装置MA赋予辐射束B的图案
投影到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或多个管芯)上的投影系统(例如，折射投影透镜系统)PS。
[0025]在操作中，照射系统IL例如经由光束传递系统BD接收来自辐射源SO的辐射束B。照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、磁性、电磁型、静电型和/或其他类型的光学部件或其任何组合，用于引导、成形和/或控制辐射。照射器IL可以被用于将辐射束B调节为在其在图案形成装置MA的平面处的截面中具有期望的空间和角强度分布。
[0026]本文使用的术语“投影系统”PS应被广义地解释为根据需要对于所使用的曝光辐射和/或对于其他因素，诸如使用浸没液体或使用真空，涵盖各种类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、畸变型、磁性、电磁型和/或静电型光学系统或它们的任何组合。本文中对术语“投影透镜”的任何使用可以被认为与更一般的术语“投影系统”PS同义。
[0027]光刻设备是这样的类型，其中衬底W的至少一部分可以被具有相对高折射率的浸没液体(例如水)覆盖，以填充投影系统PS和衬底W之间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种流体处理系统，包括：液体限制结构，其被配置为将浸没液体限制到所述液体限制结构的至少一部分和衬底的表面之间的空间，所述液体限制结构具有在其中形成的孔，用于使辐射束从其中穿过，以通过穿过所述浸没液体来照射所述衬底的所述表面；以及机构，其被配置为在使用中以大于或等于大约30Hz且小于9,500Hz的频率来振动与所述浸没液体接触的振动部件。2.根据权利要求1所述的流体处理系统，其中所述液体限制结构包括主体，并且所述振动部件是所述液体限制结构的所述主体，使得所述机构被配置为使得所述主体振动，或者其中所述液体限制结构包括主体并且所述机构被配置为使得所述振动部件相对于所述液体限制结构的所述主体振动，或者其中所述机构包括第一机构和第二机构，所述液体限制结构包括由第一主体元件和第二主体元件形成的主体，并且所述第一机构被配置为使得所述第一主体元件振动，并且所述第二机构被配置为使得所述第二主体元件振动。3.根据权利要求2所述的流体处理系统，其中所述振动部件和所述主体彼此耦合，或者其中所述液体限制结构具有纵向轴线，并且在平面图中，所述主体沿所述纵向轴线被分离为所述第一主体元件和所述第二主体元件，或者其中所述液体限制结构具有纵向轴线，并且在平面图中，所述主体沿所述纵向轴线被分离为所述第一主体元件和所述第二主体元件，或者其中所述第一主体元件形成所述液体限制结构的内部部分并且所述第二主体元件形成所述液体限制结构的外部部分。4.根据权利要求3所述的流体处理系统，其中所述第一主体元件形成所述液体限制结构的内部部分并且所述第二主体元件形成所述液体限制结构的外部部分和/或其中所述第一主体元件和所述第二主体元件彼此耦合。5.根据权利要求1所述的流体处理系统，其中所述振动部件被定位在所述液体限制结构的外部，并且所述流体处理系统还包括连接到所述振动部件的通道，使得所述振动部件经由在使用中填充有所述浸没液体的所述通道而与所述浸没液体接触，或者其中所述振动部件包括在所述液体限制结构的表面上形成的、在使用中与所述浸没液体接触的膜。6.根据权利要求5所述的流体处理系统，其中所述表面面向所述衬底并且所述膜被定位在所述表面上。7.根据前述权利要求中任一项所述的流体处理系统，其中所述频率大于或等于约60Hz，或优选地，所述频率为约100Hz至2,000Hz，或更优选地为约500Hz至1,500Hz，和/或其中所述振动部件由所述机构在基本水平的平面中移动，和/或其中所述机构包括压电致动器、洛伦兹致动器、磁致伸缩致动器或磁阻致动器，和/或其中所述液体限制结构包括被配置为向所述空间提供浸没液体的至少一个液体供给构件以及被配置为从所述空间移除所述浸没液体的至少一个提取构件。8.根据权利要求7所述的流体处理系统，其中所述至少一个液体供给构件包括在所述液体限制结构的内表面上形成的液体供给开口，和/或其中所述至少一个液体供给构件包括在所述液体限制结构面向所述衬底的所述表面的表面上形成的液体供给开口，和/或其中所述液体限制结构包括两个提取构件和两个气体供给构件，其中所述至少一个液体供给构件、所述两个提取构件和所述两个气体供给构件形成在所述液体限制结构面向所述衬底的所述表面的表面上。
9.根据权利要求8所述的流体处理系统，其中所述提取构件中的第一提取构件在所述至少一个液体供给构件的径向外侧，所述两个气体供给构件中的第一气体供给构件在所述提取构件中的第一提取构件的径向外侧，所述提取构件中的第二提取构件在所述两个气体供给构件中的第一气体供给构件的径向外侧，所述两个气体供给构件中的第二气体供给构件在所述两个提取构件中的第二提取构件的...

【专利技术属性】
技术研发人员：YS，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：