用于存储器装置的快速模式制造方法及图纸

技术编号:34074786 阅读:10 留言:0更新日期:2022-07-11 17:23
描述用于存储器装置的快速模式的方法、系统和装置。在一些实例中,可在系统启动程序期间初始化存储器装置。所述存储器装置可支持多个操作模式,包含至少包含第一组能力的第一模式和包含所述第一组能力以及一或多个额外能力的第二模式。所述存储器装置可在根据所述第一模式操作所述存储器装置时执行所述初始化,所述根据所述第一模式操作所述存储器装置可包含延迟与所述一或多个额外能力相关联的一或多个动作。在所述系统启动程序完成之后,所述存储器装置可根据所述第二模式操作,所述根据所述第二模式操作可包含执行在所述系统启动期间延迟的动作。动期间延迟的动作。动期间延迟的动作。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于存储器装置的快速模式

技术介绍

[0001]下文大体上涉及一种包含至少一个存储器装置的系统,且更具体地说,涉及用于存储器装置的快速模式。
[0002]系统可包含各种存储器装置和控制器,所述存储器装置和控制器经由一或多个总线耦合以管理多种电子装置中的信息,所述电子装置例如计算机、无线通信装置、物联网、摄像头、数字显示器等。存储器装置广泛地用于在此类电子装置中存储信息。通过编程存储器单元的不同状态来存储信息。举例来说,二进制存储器单元可存储两个状态中的一个,通常由逻辑“1”或逻辑“0”标示。一些存储器单元能够存储多于两个状态中的一个。为了存取所存储信息,存储器装置可读取或感测存储器单元中的所存储状态。为了存储信息,存储器装置可将状态写入或编程到存储器单元。
[0003]存在各种类型的存储器装置,包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、3维交叉点存储器(3D Xpoint)、快闪存储器(例如浮动栅极快闪装置和电荷捕集快闪装置,其可用于或非(NOR)或与非(NAND)存储器装置中)等。存储器装置可为易失性或非易失性的。例如快闪存储器单元的非易失性存储器单元即使在不存在外部电源的情况下仍可维持其所存储逻辑状态达很长一段时间。例如DRAM单元的易失性存储器单元除非被外部电源周期性地刷新,否则可能随时间推移而丢失其所存储状态。基于快闪的存储器装置与一些非易失性和易失性存储器装置相比可具有改进的性能。
附图说明
[0004]图1说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器装置的快速模式的存储器装置的实例。
[0005]图2说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器装置的快速模式的NAND存储器电路的实例。
[0006]图3说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器装置的快速模式的系统的实例。
[0007]图4说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器装置的快速模式的过程的流程图的实例。
[0008]图5说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器装置的快速模式的过程的流程图的实例。
[0009]图6说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器装置的快速模式的过程的流程图的实例。
[0010]图7展示根据本公开的各方面的支持用于存储器装置的快速模式的装置的框图。
[0011]图8到10展示说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器装置的快速模式的一或多种方法的流程图。
具体实施方式
[0012]对于一些电子系统,减少系统在系统启动程序(例如,系统通电)之后可用所需的时间量可能是有益的。举例来说,一些电子汽车系统,包含安全关键系统,可能会受到要求的约束,所述要求定义系统在系统启动程序之后可用的最长时间。作为一个此类实例,汽车的一些系统(例如,高级驾驶员辅助系统(ADAS))可能需要倒车摄像头在倒车摄像头通电后约1.0或1.2秒或更短的时间内准备就绪。许多此类系统需要存储器装置进行操作。时间要求可包含此类存储器装置(例如,受管理NAND存储器装置)执行某些过程的时间,所述过程例如初始化存储器装置、准备好来自存储器装置的数据等。举例来说,系统可能需要倒车摄像头的存储器装置在系统开始通电后约0.5秒或更短的时间内返回汽车的初始屏幕数据。
[0013]作为另一实例,系统(例如,符合控制器局域网(CAN)规范的系统)可能需要存储器装置在约2.0秒或更短的时间内向域控制网关的网关提供数据。系统可能需要在约2.0秒或更短的时间内加载网关操作系统(OS)和驱动程序。因而,存储器装置可能需要在约0.6秒或更短的时间内执行初始化和读取操作。
[0014]在系统启动程序期间,例如由于NAND存储器装置的受管理输入/输出等待时间较长,存储器装置可能会执行花费相对较长时间的操作。此等待时间是在受管理NAND初始化期间,此时可能会刷新系统块或映射表块或这两者。此刷新可能花费约几百毫秒,从而增加几百毫秒的初始化时间。此等待时间的另一实例是在读取操作期间,此时将读取干扰块刷新为新块可能会增加存储器装置的读取等待时间。此等待时间的又一实例是在写入操作期间,此时可能会触发前台垃圾收集,从而增加写入等待时间。
[0015]为了减少等待时间,一些系统可实施异构存储器装置。举例来说,NOR存储器装置可快于相当的NAND存储器装置(例如,具有更低读取时间)。在一个实例中,系统可实施NOR装置作为系统启动装置,且实施受管理NAND装置以用于数据存储。然而,具有异构存储器装置的系统可能与系统的成本和复杂性增加相关联。
[0016]本文中描述例如在系统启动(例如启动电子汽车系统)期间减少存储器装置的等待时间的技术。存储器装置可支持多个模式,其中第一模式(例如,快速模式)可包含一组能力,并且第二模式(例如,正常或标准模式)可包含所述一组能力以及一或多个额外能力。在系统启动程序期间,存储器装置可被初始化,且根据第一模式(快速模式)操作。根据第一模式的操作可允许与所述一组能力相关联的动作(例如,用于系统启动的关键操作)和直到系统启动完成之后的与一或多个额外能力相关联的延迟动作。举例来说,存储器装置可允许某些初始化、读取或写入操作,但暂停、延迟或修改某些其它读取和写入、刷新或管理操作,直到系统启动完成。存储器装置可在初始化期间在作为默认操作模式的第一模式下操作,或者响应于(例如,从存储器控制器)接收到的命令而在第一模式下操作。存储器装置可响应于接收到的命令或在满足阈值的情况下退出第一模式以在第二模式下操作。通过在第一模式下操作时延迟存储器装置的某些动作直到系统启动完成,例如电子汽车系统的系统可减少系统启动所需的时间,从而以较低的成本减少等待时间,并提高系统的整体性能。
[0017]首先在如参考图1到3所描述的存储器装置和存储器电路的上下文中描述本公开的特征。在如参考图4到6所描述的过程的上下文流程图中描述本公开的特征。本公开的这些和其它特征由如参考图7到10所描述的与用于存储器装置的快速模式相关的系统图、设备图和流程图进一步说明且参考所述系统图、设备图和流程图进行描述。
[0018]图1说明根据如本文中所公开的实例的存储器装置100的实例。在一些情况下,存储器装置100可被称为存储器芯片、存储器裸片或电子存储器设备。存储器装置100可包含一或多个存储器单元,例如存储器单元105

a和存储器单元105

b(未标记其它存储器单元)。存储器单元105可为例如快闪存储器单元(例如在图1中所展示的存储器单元105

a的放大图中)、DRAM存储器单元、FeRAM存储器单元、PCM存储器单元或另一类型的存储器单元。
[0019]每一存储器单元105可被编程为存储表示一或多个信息位的逻辑状态。在一些情况下,存储器单元105可例如在可被称为SLC存储器单本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法,其包括:在系统启动程序期间识别存储器装置的初始化,所述存储器装置支持包含第一组能力的第一模式且支持包含所述第一组能力和一或多个额外能力的第二模式;至少部分地基于所述识别,在根据所述第一模式操作所述存储器装置时执行所述初始化,其中根据所述第一模式操作所述存储器装置包括延迟与所述一或多个额外能力相关联的动作;以及在所述系统启动程序完成之后根据所述第二模式操作所述存储器装置,其中根据所述第二模式操作所述存储器装置包括执行延迟动作。2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:接收使所述存储器装置进入所述第一模式以用于所述初始化的命令;以及响应于所述命令而确定根据所述第一模式执行所述初始化。3.根据权利要求2所述的方法,其中使所述存储器装置进入所述第一模式的所述命令是从主机装置接收的,所述方法进一步包括:将所述命令的确认传输到所述主机装置。4.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:将所述第一模式识别为默认模式以用于初始化所述存储器装置;以及至少部分地基于将所述第一模式识别为所述默认模式而确定根据所述第一模式执行所述初始化。5.根据权利要求1所述的方法,其中延迟所述动作包括:在根据所述第一模式操作时延迟所述存储器装置的映射表组件的刷新。6.根据权利要求1所述的方法,其中延迟所述动作包括:在根据所述第一模式操作时延迟所述存储器装置的系统组件的刷新。7.根据权利要求1所述的方法,其中延迟所述动作包括:在根据所述第一模式操作时停用所述存储器装置的前台垃圾收集。8.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:在执行所述初始化时将数据存储于所述存储器装置的单层级与非(NAND)存储器单元中,其中延迟所述动作至少部分地基于将所述数据存储到所述单层级NAND存储器单元;以及在所述系统启动程序完成之后将所述数据存储于所述存储器装置的多层级NAND存储器单元中。9.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:识别待刷新的所述存储器装置的块;存储所识别块的指示,其中延迟所述动作至少部分地基于存储所述指示;以及在所述系统启动程序完成之后根据所存储的指示刷新所述块。10.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:在所述系统启动程序期间识别所述存储器装置中能用于写入的存储器块的不存在;以及至少部分地基于识别到存储器块的所述不存在而在所述系统启动程序完成之前将所述存储器装置切换到所述第二模式。
11.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:在所述系统启动程序期间识别已满足读取错误阈值;以及至少部分地基于识别到已满足所述读取错误阈值而在所述系统启动程序完成之前将所述存储器装置切换到所述第二模式。12.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:接收使所述存储器装置退出所述第一模式的命令;至少部分地基于接收到的命令而将所述存储器装置从所述第一模式切换到所述第二模式;以及响应于所述接收到的命令而传输确认。13.一种设备,其包括:与非(NAND)存储器单元;以及存储器控制器,其与所述NAND存储器单元耦合且能用于使所述设备进行以下操作:在系统启动程序期间初始化所述设备,所述设备支持包含第一组能力的第一模式和包含所述第一组能力和一或多个额外能力的第二模式;在初始化所述设备之后根据所述第一模式操作所述设备,其中根据所述第一模式操作所述设备包括延迟与所述一或多个额外能力相关联的动作;以及在所述系统启动程序完成之后根据所述第二模式操作所述设备,其中根据所述第二模式操作所述设备包括执行延迟动作。14.根据权利要求13所述的设备,其进一步包括:映射表组件,其与所述存储器控制器耦合且能用于将逻辑存储器地址映射到物理存储器地址,其中所述延迟动作包括...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴敏健
申请(专利权)人:美光科技公司
类型:发明
国别省市:

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