大面积纳米压印拼接模板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种大面积纳米压印拼接模板，其包括基板和多个压印模板单元；所述基板上设有多个阵列排布的基准光栅，所述多个阵列排布的基准光栅在所述基板上界定多个拼接区域；所述多个压印模板单元分别设于所述多个拼接区域内，且任意相邻的两个所述压印模板单元相互拼接。本实用新型专利技术提供的大面积纳米压印拼接模板，通过在基板上设置多个阵列排布的基准光栅，该基准光栅能够在拼接压印模板单元时，作为对准准星，以使得压印模板单元能够精确的被布置在基板上预定的拼接区域内，从而实现压印模板单元间的精准过渡。现压印模板单元间的精准过渡。现压印模板单元间的精准过渡。

【技术实现步骤摘要】
大面积纳米压印拼接模板


[0001]本技术是关于纳米压印
，特别是关于一种大面积纳米压印拼接模板。

技术介绍

[0002]纳米压印技术是一种使用压印模板单元下压压印胶，生成微小图案形状的一种微纳加工技术。自上世界90年代该技术被从实验室引入生产领域，在薄膜材料制作(例如LED显示技术、平板显示屏)领域有大规模的应用；并且随着技术材料的发展，模板的制作技术也随之产生巨大的变化。其中，大面积的模板制作，从之前单一的离子(电子)束刻蚀，到模板的形状转移技术，再到模板拼接技术，使压印模板单元的制作成本大规模降低，同时生产效率大大提高。
[0003]现有技术中大面积压印模板单元的制作方式，通常是在压印模板单元边缘设置牺牲层，在两个压印模板单元间重复压印(在接缝处二次压印)。然而，这种拼接结构不能保证压印模板单元的精确对准。
[0004]因此，针对上述技术问题，有必要提供一种新的面积纳米压印拼接模板。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种面积纳米压印拼接模板，该纳米压印拼接模板通过基准光栅的设置，能够提高拼接压印模板单元时的对准精度。
[0006]为实现上述目的，本技术提供的技术方案如下：
[0007]一种大面积纳米压印拼接模板，其包括基板和多个压印模板单元；所述基板上设有多个阵列排布的基准光栅，所述多个阵列排布的基准光栅在所述基板上界定多个拼接区域；所述多个压印模板单元分别设于所述多个拼接区域内，且任意相邻的两个所述压印模板单元相互拼接。
[0008]在一个或多个实施方式中，所述基板上任意相邻的两个所述基准光栅的对准中心之间的间距为D；所述压印模板单元上形成有多个微纳结构，相邻的两个所述微纳结构之间的间距为A；其中，D为A的正整数倍。
[0009]在一个或多个实施方式中，所述基准光栅呈矩阵排布。
[0010]在一个或多个实施方式中，所述基准光栅为能够形成摩尔纹的圆形光栅。
[0011]在一个或多个实施方式中，任意相互拼接的两个所述压印模板单元均具有相互重合的过渡部分。
[0012]在一个或多个实施方式中，任意相互拼接的两个所述压印模板单元的所述过渡部分相互压合。
[0013]在一个或多个实施方式中，所述压印模板单元由压印胶固化形成。
[0014]在一个或多个实施方式中，所述基板的表面上设有增粘剂。
[0015]与现有技术相比，本技术提供的大面积纳米压印拼接模板，通过在基板上设
置多个阵列排布的基准光栅，该基准光栅能够在拼接压印模板单元时，作为对准准星，以使得压印模板单元能够精确的被布置在基板上预定的拼接区域内，从而实现压印模板单元间的精准过渡。
附图说明
[0016]图1是本技术一实施方式中大面积纳米压印拼接模板的结构示意图；
[0017]图2是本技术一实施方式中基板的结构示意图；
[0018]图3是本技术一实施方式中形成压印模板单元的场景示意图；
[0019]图4是本技术一实施方式中拼接压印模板单元的场景示意图；
[0020]图5是本技术一实施方式中拼接压印模板单元的另一场景示意图。
[0021]主要附图标记说明：
[0022]1‑
基板，11
‑
基准光栅，2
‑
压印模板单元，21
‑
微纳结构，3
‑
衬底，4
‑
承载平台，41
‑
对准光栅，5
‑
母模板。
具体实施方式
[0023]下面结合附图，对本技术的具体实施方式进行详细描述，但应当理解本技术的保护范围并不受具体实施方式的限制。
[0024]除非另有其它明确表示，否则在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”或其变换如“包含”或“包括有”等等将被理解为包括所陈述的元件或组成部分，而并未排除其它元件或其它组成部分。
[0025]请参照图1和图2所示，本技术一实施方式中的大面积纳米压印拼接模板，其包括基板1和多个压印模板单元2。其中，基板1上设有多个阵列排布的基准光栅11，该多个阵列排布的基准光栅11在基板1上界定出多个拼接区域；多个压印模板单元2分别设于多个拼接区域内，且任意相邻的两个压印模板单元2相互拼接。
[0026]一示例性的实施例中，请参照图3所示，压印模板单元2由带有压印结构的母模板5在压印胶上压印后固化形成。压印模板单元2的具体制作过程如下：将母模板5固定于一具有对准光栅41的承载平台4上，使母模板5的压印结构朝下设置；在一衬底3上旋涂一层压印胶，驱动承载平台4下压，使母模板5在对衬底3上的压印胶进行压印，压印胶固化后即形成压印模板单元2。
[0027]具体地，在母模板5上涂覆有第一抗粘剂，该第一抗粘剂能够降低压印胶与母模板5之间的粘接强度，以便于压印模板单元2的顺利脱模。在衬底3上涂覆有第二抗粘剂，该第二抗粘剂的抗粘系数高于第一抗粘剂，以使得压印胶对母模板5的粘附力大于压印胶对衬底3的粘附力，从而可在分离压印模板单元2和衬底3时，避免压印模板单元2从母模板5上脱落，使压印模板单元2可随母模一同转移。
[0028]一示例性的实施例中，请参照图4和图5所示，对压印模板单元2进行拼接时，移动承载平台4，使压印模板单元2随母模一同转移至基板1上方，通过基板1上的基准光栅11和承载平台4上的对准光栅41进行光学对准；然后下压承载平台4，使母模板5上的压印模板单元2压在基板1的表面上，即可使母模板5上的压印模板单元2准确地转移至基板1上预定的拼接区域内。以与前述拼接区域相邻的拼接区域为下一拼接压印模板单元2的区域，重复前
述对准拼接步骤，即可实现大面积纳米压印拼接模板的制作。
[0029]具体地，基板1上的表面上涂覆有增粘剂，该增粘剂能够增加压印胶对基板1的粘附力，以使母模板5上的压印模板单元2压在基板1的表面上时，压印模板单元2能够顺利的从母模板5上脱离。
[0030]优选地，基准光栅11和对准光栅41均为能够形成摩尔纹的圆形光栅，基准光栅11和对准光栅41可通过摩尔纹对准的方式实现光学对准。进一步地，可通过工业摄像头获取基准光栅11和对准光栅41的摩尔纹图案，配合机械控制机构调整承载平台4的位置，以实现高精度对准。
[0031]一示例性的实施例中，请参照图5所示，基板1上任意相互拼接的两个压印模板单元2均具有相互重合的过渡部分。任意相互拼接的两个压印模板单元2的前述过渡部分，在将压印模板单元2下压于基板1上时，在压力的作用下相互压合，而过渡部分多余的残胶可在压力作用下均匀摊平，被压印模板单元2均匀稀释，从而实现无缝拼接的效果。
[0032]具体地，基板1上任意相邻的两个基准光栅11的对准中心之间的间距为D；压印模板单元2上形成有多个微纳结构21，且相邻的两个微纳结构21之间的间距为A；其中，D为A的正整数倍。D优选为A的两倍本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大面积纳米压印拼接模板，其特征在于，包括：基板，所述基板上设有多个阵列排布的基准光栅，所述多个阵列排布的基准光栅在所述基板上界定多个拼接区域；多个压印模板单元，分别设于所述多个拼接区域内，且任意相邻的两个所述压印模板单元相互拼接。2.如权利要求1所述的大面积纳米压印拼接模板，其特征在于，所述基板上任意相邻的两个所述基准光栅的对准中心之间的间距为D；所述压印模板单元上形成有多个微纳结构，相邻的两个所述微纳结构之间的间距为A；其中，D为A的正整数倍。3.如权利要求1所述的大面积纳米压印拼接模板，其特征在于，所述基准光栅呈矩阵排布...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗刚，
申请(专利权)人：苏州鸿兴微纳科技有限公司，
类型：新型
国别省市：