GaNHEMT器件焊接质量检测系统技术方案

本实用新型专利技术涉及无线通信技术领域，提供一种GaN HEMT器件焊接质量检测系统，按键模块与MCU模块的INT0端口连接；第一电阻和第二电阻串联，第一电阻与单刀双掷继电器的公共端连接，第二电阻与探头连接；单刀双掷继电器的控制端通过驱动与MCU模块的I/O端口连接；第一运算放大器的第一输入端设于第一电阻和第二电阻间，第一运算放大器的第二输入端与第一运算放大器的输出端均连接于第二运算放大器的第一输入端，第二运算放大器的第二输入端与第二运算放大器的输出端均连接于MCU模块的ADC0端口；单刀双掷继电器的常开端和第二运算放大器的第一输入端均与电源模块连接。相比传统的检测装置，提高了生产效率，减少损失。减少损失。减少损失。

【技术实现步骤摘要】
GaN HEMT器件焊接质量检测系统


[0001]本技术涉及无线通信
，尤其涉及一种GaN HEMT器件焊接质量检测系统。

技术介绍

[0002]随着5G移动通信技术的发展，基站系统对核心设备之一的射频功率放大器要求越来越高，GaN作为第三代半导体材料具有宽禁带半导体特性、高饱和电子迁移率以及更高的击穿电压及热传导特性，这使得GaN功放管能够承受更高的温度，具有更高的功率容量，效能与带宽上双双较上一代LDMOS技术更具优势。
[0003]传统的LDMOS是一种增强型FET，而当前射频氮化镓功率器件一般都是耗尽型HEMT器件，其上电断电要按照严格的顺序，上电时需要先上栅极再上漏极，断电顺序相反，先断漏极再断栅极，否则造成管子烧毁，这与LDMOS是完全不同的。
[0004]目前GaN功放管主要是借鉴LDMOS的设计生产经验，但是GaN的常开特性是与传统的常关型LDMOS功放芯片是完全不同的，其器件的导电沟道在未加栅压或栅压对地短路的情况下是完全打开的，即在无正常偏置电压(负压)的情况下，漏极是对地短路的，并且在此种情况下加漏压，功放管会烧毁损坏，因此要避免在这种情况下漏压的加载。而GaN功放管在生产贴片过程中，难免出现栅极焊接对地短路或虚焊的现象，一旦出现这种情况，在生产测试中加漏压就会出现功放管烧毁，造成较大的经济损失，因此需要在上电初期就排查出焊接不良的单板。

技术实现思路

[0005]本技术提供一种GaN HEMT器件焊接质量检测系统，用以解决现有技术中在上电时GaN功放管由于开路、短路问题而导致的不可逆损坏。
[0006]本技术提供一种GaN HEMT器件焊接质量检测系统，包括：MCU模块、按键模块、电源模块、信号处理模块以及探头；
[0007]所述按键模块的一端接地，所述按键模块的另一端与所述MCU模块的INT0端口连接；
[0008]所述信号处理模块包括单刀双掷继电器、第一运算放大器、第二运算放大器、第一电阻以及第二电阻；
[0009]所述第一电阻和所述第二电阻串联连接，所述第一电阻与所述单刀双掷继电器的公共端连接，所述第二电阻与所述探头连接；
[0010]所述单刀双掷继电器的常闭端接地，所述单刀双掷继电器的控制端通过驱动与所述MCU模块的I/O端口连接；
[0011]所述第一运算放大器的第一输入端连接于所述第一电阻和所述第二电阻之间，所述第一运算放大器的第二输入端与所述第一运算放大器的输出端均连接于所述第二运算放大器的第一输入端，所述第二运算放大器的第二输入端与所述第二运算放大器的输出端
均连接于所述MCU模块的ADC0端口；
[0012]所述单刀双掷继电器的常开端和所述第二运算放大器的第一输入端均与所述电源模块连接。
[0013]根据本技术提供的一种GaN HEMT器件焊接质量检测系统，所述GaN HEMT器件焊接质量检测系统还包括第三电阻，所述电源模块通过所述第三电阻与所述第二运算放大器的第一输入端连接。
[0014]根据本技术提供的一种GaN HEMT器件焊接质量检测系统，所述GaN HEMT器件焊接质量检测系统还包括第四电阻，所述第一运算放大器的第二输入端与所述第一运算放大器的输出端均通过所述第四电阻与所述第二运算放大器的第一输入端连接。
[0015]根据本技术提供的一种GaN HEMT器件焊接质量检测系统，所述GaN HEMT器件焊接质量检测系统还包括第五电阻，所述第二运算放大器的第二输入端通过所述第五电阻与所述MCU模块的ADC0端口连接。
[0016]根据本技术提供的一种GaN HEMT器件焊接质量检测系统，所述GaN HEMT器件焊接质量检测系统还包括第六电阻，所述第二运算放大器的第二输入端通过所述第六电阻接地。
[0017]根据本技术提供的一种GaN HEMT器件焊接质量检测系统，所述电源模块包括第一LDO线性稳压电源、第一电压基准源和第二电压基准源，所述第一电压基准源和所述第二电压基准源均与所述第一LDO线性稳压电源连接，所述第一电压基准源与所述单刀双掷继电器的常开端连接，所述第二电压基准源与所述第二运算放大器的第一输入端连接；
[0018]其中，所述第一LDO线性稳压电源用于接入5.4V电压并输出5V电压，所述第一电压基准源和第二电压基准源均用于输出2.5V电压。
[0019]根据本技术提供的一种GaN HEMT器件焊接质量检测系统，所述电源模块包括P沟道MOS管，所述P沟道MOS管的栅极与所述MCU模块的I/O端口连接，所述P沟道MOS管的源级用于接入5.4V电压，所述P沟道MOS管的漏极用于与GaN HEMT器件的单板连接。
[0020]根据本技术提供的一种GaN HEMT器件焊接质量检测系统，所述P沟道MOS管的漏极通过连接器用于与所述GaN HEMT器件的单板连接。
[0021]根据本技术提供的一种GaN HEMT器件焊接质量检测系统，所述电源模块还包括第二LDO线性稳压电源，所述第二LDO线性稳压电源用于接入5.4V电压并输出
‑
5V电压，所述第一运算放大器和所述第二运算放大器均与所述第二LDO线性稳压电源连接。
[0022]根据本技术提供的一种GaN HEMT器件焊接质量检测系统，所述GaN HEMT器件焊接质量检测系统还包括两个显示模块，两个所述显示模块分别与所述MCU模块的两个I/O端口一一对应连接。
[0023]本技术提供的GaN HEMT器件焊接质量检测系统，相比传统的检测装置，更加简单，不仅减少了测试时间，而且降低了测试难度，从而提高了生产效率，能够避免焊接异常问题导致的功放管损坏，从而减少不必要的损失。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本技术或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新
型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1是本技术提供的GaN HEMT器件焊接质量检测系统的结构框图；
[0026]图2是本技术提供的电源模块的结构框图；
[0027]图3是本技术提供的显示模块的结构示意图；
[0028]图4是本技术提供的按键模块的结构示意图；
[0029]图5是本技术提供的信号处理模块的结构示意图；
[0030]图6是本技术提供的MCU模块的流程示意图；
[0031]图7是本技术提供的MCU模块的中断处理流程示意图；
[0032]附图标记：
[0033]1：MCU模块；
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2：信号处理模块；
[0034]21：第一运算放大器；
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22：第二运算本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种GaN HEMT器件焊接质量检测系统，其特征在于，包括：MCU模块、按键模块、电源模块、信号处理模块以及探头；所述按键模块的一端接地，所述按键模块的另一端与所述MCU模块的INT0端口连接；所述信号处理模块包括单刀双掷继电器、第一运算放大器、第二运算放大器、第一电阻以及第二电阻；所述第一电阻和所述第二电阻串联连接，所述第一电阻与所述单刀双掷继电器的公共端连接，所述第二电阻与所述探头连接；所述单刀双掷继电器的常闭端接地，所述单刀双掷继电器的控制端通过驱动与所述MCU模块的I/O端口连接；所述第一运算放大器的第一输入端连接于所述第一电阻和所述第二电阻之间，所述第一运算放大器的第二输入端与所述第一运算放大器的输出端均连接于所述第二运算放大器的第一输入端，所述第二运算放大器的第二输入端与所述第二运算放大器的输出端均连接于所述MCU模块的ADC0端口；所述单刀双掷继电器的常开端和所述第二运算放大器的第一输入端均与所述电源模块连接。2.根据权利要求1所述的GaN HEMT器件焊接质量检测系统，其特征在于，所述GaN HEMT器件焊接质量检测系统还包括第三电阻，所述电源模块通过所述第三电阻与所述第二运算放大器的第一输入端连接。3.根据权利要求1所述的GaN HEMT器件焊接质量检测系统，其特征在于，所述GaN HEMT器件焊接质量检测系统还包括第四电阻，所述第一运算放大器的第二输入端与所述第一运算放大器的输出端均通过所述第四电阻与所述第二运算放大器的第一输入端连接。4.根据权利要求1所述的GaN HEMT器件焊接质量检测系统，其特征在于，所述GaN HEMT器件焊接质量检测系统还包括第五电阻，所述第二运算放大器的第二输入端通过所述第五电阻与所述MCU模块的ADC0端口连接。5.根据权利要求1所述的GaN HEM...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗超，何建成，罗伟，方晓科，王文海，
申请(专利权)人：中信科移动通信技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：