等离子体发生设备和半导体加工设备制造技术

本实用新型专利技术涉及一种等离子体发生设备和半导体加工设备，该等离子体发生设备包括第一框架、第二框架和锁定件；其中，第一框架与线圈固接；第二框架与腔室固接；线圈设置于腔室的外部，用于在线圈通电后，在腔室的内部产生等离子体；第二框架与第一框架相配合，且第二框架与第一框架的至少一部分的配合位置的形状为曲面，以使得第一框架与第二框架之间能够进行沿所述曲面的相对转动；锁定件用于锁定第一框架与第二框架之间的相对转动。利用本实用新型专利技术的等离子体发生设备和半导体加工设备，能够对等离子发生设备中的线圈的水平度进行快速调节。调节。调节。

【技术实现步骤摘要】
等离子体发生设备和半导体加工设备


[0001]本技术涉及半导体
，特别是涉及一种等离子体发生设备和半导体加工设备。

技术介绍

[0002]此处的陈述仅提供与本技术有关的背景信息，而不必然地构成现有技术。
[0003]半导体加工过程中常常会利用到等离子体，因此半导体加工设备常常具有ICP(感性耦合等离子体Inductively Coupled Plasma)装置。
[0004]在使用ICP装置产生等离子体的过程中，一般使用与射频(RF)电源、阻抗匹配网络(impedance matching network)连接的若干组线圈(antenna)来进行电磁感应，通过对腔室气体进行电磁感应来产生等离子体，以便与放置于腔室内的载台上的晶片(也称为晶圆、基片、wafer)进行反应。
[0005]由等离子体的产生和输运过程带来的不均匀性几乎无可避免。其中离子浓度的空间分布与线圈和真空腔室结构有密切联系。
[0006]为此，通常采用特别形状的线圈或者特别设计的腔室结构的方式，来获得反应腔室中的径向(晶片的半径方向)均匀的磁强度分布，以控制等离子体中离子密度径向的均匀性，从而对放置于反应腔室的载台上的晶片表面等离子体均匀性进行调节。但是在利用这种方式进行实际工艺过程中，如果发现产生的等离子体不均匀而导致晶片工艺均匀性不好，对线圈形状或腔室结构进行实时改变调节是不现实的，改变线圈形状或腔室结构需要很长的维护、加工时间。

技术实现思路

[0007]本技术的目的在于提供一种新的等离子体发生设备和半导体加工设备，所要解决的技术问题是对等离子发生设备中的线圈的水平度进行快速调节。
[0008]本技术的目的采用以下技术方案来实现。依据本技术提出的等离子体发生设备，所述等离子体发生设备包括第一框架、第二框架和锁定件；其中，所述第一框架与线圈固接；所述第二框架与腔室固接；所述线圈设置于所述腔室的外部，用于在所述线圈通电后，在所述腔室的内部产生等离子体；所述第二框架与所述第一框架相配合，且所述第二框架与所述第一框架的至少一部分的配合位置的形状为曲面，以使得所述第一框架与所述第二框架之间能够进行沿所述曲面的相对转动；所述锁定件用于锁定所述第一框架与所述第二框架之间的相对转动。
[0009]本技术的目的还可以采用以下的技术措施来进一步实现。
[0010]前述的等离子体发生设备，所述第二框架的一面与腔室固接，所述第二框架的另一面与所述第一框架相抵接；在所述第二框架与所述第一框架的至少一部分的接触位置，所述第二框架、所述第一框架之中的一个具有曲面凸起，另一个具有与所述曲面凸起相匹配的曲面凹陷。
[0011]前述的等离子体发生设备，所述第二框架与所述第一框架的至少一部分的配合位置的形状由一个或多个同一类型的曲面形成、或由一个或多个不同类型的曲面形成。
[0012]前述的等离子体发生设备，所述曲面的类型包括球面、圆柱面、圆锥面、单叶双曲回转面和双曲抛物面之中的一种或多种。
[0013]前述的等离子体发生设备，所述第一框架的与所述第二框架相配合的位置被设置为基于一个球面形成的球面凸起，所述第二框架的与所述第一框架相配合的位置被设置为与所述球面凸起相匹配的球面凹陷。
[0014]前述的等离子体发生设备，所述第一框架具有多个通孔，所述第二框架具有多个螺纹孔；所述锁定件包括多个调节螺栓，所述调节螺栓穿过所述第一框架的所述通孔并螺纹连接于所述第二框架的所述螺纹孔；在所述第一框架与所述第二框架之间的靠近所述调节螺栓的位置具有间隙，以形成为所述第一框架与所述第二框架的相对位置的调节空间；所述调节螺栓用于通过对所述多个调节螺栓中的一个或一些调节螺栓进行拧紧或松开以使得所述第一框架与所述第二框架之间进行沿所述曲面的相对转动。
[0015]前述的等离子体发生设备，所述调节螺栓具有头部和杆部，所述调节螺栓的头部位于所述第一框架的背向所述第二框架的一面；在所述调节螺栓的头部与所述第一框架之间设有一对球面垫圈，所述一对球面垫圈中的一个球面垫圈具有球面凸起、另一个球面垫圈具有相应的球面凹陷；或者，所述调节螺栓的头部为球形或锥形，在所述调节螺栓的头部与所述第一框架之间设有一个垫圈，所述垫圈具有与所述调节螺栓的球形或锥形的头部相匹配的球形或锥形的凹陷。
[0016]前述的等离子体发生设备，所述调节螺栓为四个，所述第一框架的所述通孔为四个，设置于所述第一框架的靠近外缘的位置，排布为四边形的四个顶点。
[0017]前述的等离子体发生设备，还包括所述线圈和所述腔室。
[0018]本技术的目的还采用以下技术方案来实现。依据本技术提出的半导体加工设备，包括任意一种前述的等离子体发生设备。
[0019]本技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案，本技术提出的等离子体发生设备和半导体加工设备至少具有下列优点及有益效果：
[0020]1、本技术的等离子体发生设备，通过第一框架与第二框架之间进行沿曲面的相对转动，使得能够对与第一框架固接的线圈进行调节，从而实现了调节等离子体分布均匀性，进而能够调节晶片工艺均匀性；
[0021]2、本技术的等离子体发生设备的成本低、实用性高；
[0022]3、本技术的调节方式易于操作；
[0023]4、本技术通过球面接触方式，使得第一框架与第二框架之间无缝隙，能够在调节的过程中和调节前后，第一框架与第二框架之间始终接触良好，该球面设计保证了电磁场回路连接的可靠性，保证了电磁场的导通性。
[0024]上述说明仅是本技术技术方案的概述，为了能更清楚了解本技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为让本技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
[0025]图1是本技术一个实施例的等离子体发生设备的立体结构示意图；
[0026]图2是本技术一个实施例的等离子体发生设备的调节螺栓附近的局部剖面示意图；
[0027]图3是本技术另一实施例的等离子体发生设备的立体结构示意图；
[0028]图4是本技术一个实施例的等离子体发生设备的剖面结构示意图；
[0029]图5是本技术另一实施例的等离子体发生设备的另一个立体结构示意图。
具体实施方式
[0030]为更进一步阐述本技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本技术提出的等离子体发生设备和半导体加工设备的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
[0031]请参阅图1、图2、图3、图4和图5，本技术示例的等离子体发生设备主要包括：第一框架110、第二框架120和锁定件。
[0032]其中，第一框架110与线圈210固接。具体的，第一框架110可以具有线圈固定件，用于将线圈210固本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体发生设备，其特征在于，所述设备包括：第一框架、第二框架和锁定件；其中，所述第一框架与线圈固接；所述第二框架与腔室固接；所述线圈设置于所述腔室的外部，用于在所述线圈通电后，在所述腔室的内部产生等离子体；所述第二框架与所述第一框架相配合，且所述第二框架与所述第一框架的至少一部分的配合位置的形状为曲面，以使得所述第一框架与所述第二框架之间能够进行沿所述曲面的相对转动；所述锁定件用于锁定所述第一框架与所述第二框架之间的相对转动。2.根据权利要求1所述的等离子体发生设备，其特征在于：所述第二框架的一面与腔室固接，所述第二框架的另一面与所述第一框架相抵接；在所述第二框架与所述第一框架的至少一部分的接触位置，所述第二框架、所述第一框架之中的一个具有曲面凸起，另一个具有与所述曲面凸起相匹配的曲面凹陷。3.根据权利要求1所述的等离子体发生设备，其特征在于：所述第二框架与所述第一框架的至少一部分的配合位置的形状由一个或多个同一类型的曲面形成、或由一个或多个不同类型的曲面形成。4.根据权利要求3所述的等离子体发生设备，其特征在于：所述曲面的类型包括球面、圆柱面、圆锥面、单叶双曲回转面和双曲抛物面之中的一种或多种。5.根据权利要求4所述的等离子体发生设备，其特征在于：所述第一框架的与所述第二框架相配合的位置被设置为基于一个球面形成的球面凸起，所述第二框架的与所述第一框架相配合的位置被设置为与所述球面凸起相匹配的球面凹陷。6.根据权利要求1到5中任意一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：项习飞，田才忠，林保璋，李士昌，
申请(专利权)人：盛吉盛半导体科技北京有限公司，
类型：新型
国别省市：