振幅控制电路与电压控制振荡器及控制信号振幅的方法技术

本发明专利技术提供一种振幅控制电路，其包含配置用来接收差分信号及以该差分信号振幅为基础提供一第一信号的一第一电路，配置用来接收偏压信号及以该偏压信号为基础提供一第二信号的一第二电路，及配置用来提供偏压至该第一电路及提供该偏压信号至该第二电路的一第三电路。该偏压信号乃经设定以提供该差分信号的选择振幅。

【技术实现步骤摘要】

本案涉及一种振幅控制电路。
技术介绍
振幅控制电路(ACC’s)系控制被系统提供及处理的功率。同时，振幅控制电路可使系统适应可变操作环境及信号动态。振幅控制电路可被用于任何适当系统，如通信系统，处理控制系统，测试设备及声控系统。例如，通信系统中，接收器处的振幅控制系确保固定振幅电平被提供至解调器。同时，传送器处的振幅控制系协助降低接收器的动态范围要求。如通信系统及声控系统的许多系统包含至少一电压控制振荡器(VCO)。电压控制振荡器系提供可以控制信号调整的一被选择振荡频率。通常，控制信号系改变如电容值的组件值来改变振荡频率。被耦合至电压控制振荡器的振幅控制电路系控制振荡输出信号的振幅。电压控制振荡器可被用于如可携式通信系统的任何适当系统。通常，可携式通信系统中的电压控制振荡器系被建造提供低相位噪声电平但消耗最少功率。为了达成这些目标，生产者系以互补金属氧化半导体(CMOS)技术来发展电压控制振荡器。包含振幅控制电路的一互补金属氧化半导体电压控制振荡器中，振幅控制电路系不需来自电压控制振荡器的差分输出信号的回授而可提供电流至电压控制振荡器。该结果系为处理相依。同时，包含振幅控制电路的双极接面晶体管电压控制振荡器并不转移井至互补金属氧化半导体技术及进一步至低电压互补金属氧化半导体技术。针对这些及其它原因，需要本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的一观点系提供一种振幅控制电路，包含一第一电路，被配置接收差分信号及以该差分信号振幅为基础提供一第一信号，一第二电路，被配置接收偏压信号及以该偏压信号为基础提供一第二信号，及一第三电路，被配置提供偏压至该第一电路及提供该偏压信号至该第二电路。该偏压信号系被设定提供该差分信号的选择振幅。附图说明图1系为描述电压控制振荡器的一实施例中的振幅控制电路的一图2系为描述电阻器的一实施例图标。图3系为描述开关的一实施例图标。图4系为描述放大器电路的一实施例图标。图5系为描述放大器电路的另一实施例图标。图6系为描述箝位电路的一实施例图标。图7系为描述电压控制振荡器的另一实施例中的振幅控制电路的另一实施例图标。图8系为描述振幅控制电路的一实施例的开放回路交流响应图标。图9A系为描述振幅控制电路的一实施例开始时的瞬时响应图标。图9B系为描述振幅控制电路的一实施例开始时的各差分输出信号的峰值对峰值电压摆动图标。具体实施例方式以下详细说明中，系参考形成此一部份且藉由本专利技术可被实施的图标特定实施例来显示的附图。此考量中，如”顶部”，”底部”，”正面”，”背面”，”前导”，”尾随”等系参考被说明的图标方向来使用。因为本专利技术实施例组件可以若干不同方向来放置，所以方向性术语系可被用来描述而丝毫不受限制。应了解只要不背离本专利技术范围，其它实施例亦可被使用且可作结构或逻辑改变。因此，以下详细说明并不采用限制观念，而本专利技术范围系藉由附带权利要求来界定。图1系为描述电压控制振荡器20的一实施例中的振幅控制电路24的一实施例图标。电压控制振荡器20包含一电压控制振荡器核心22及振幅控制电路24。电压控制振荡器核心22系经由输出导体26及28及尾端电流偏压导体30被电子耦合至振幅控制电路24。同时，电压控制振荡器核心22及振幅控制电路24系经由功率传导路径32被电子耦合至电源供给电压VDD。振幅控制电路24系经由输出导体26及28接收来自电压控制振荡器核心22的差分输出信号。该差分输出信号彼此振荡异相。各差分输出信号系偏压晶体管差分对中的一晶体管。该差分对的被滤波输出包含与该差分输出信号振幅相关的直流(DC)组成。被滤波输出的直流组成系被与可程序参考电压比较来控制电压控制振荡器核心22的尾端电流及该差分输出信号的振幅。其它实施例中，振幅控制电路24可被用于任何适当电路来控制被接收自该电路的信号振幅。电压控制振荡器核心22包含n频道金属氧化半导体(NMOS)变抗器34及36，电感器38及40，p频道金属氧化半导体(PMOS)晶体管42，44及46。变抗器34的栅极系经由控制信号路径48被电子耦合至变抗器36的栅极。变抗器34的漏极及源极系经由输出导体26被一起电子耦合至电感器38的一终端。同时，变抗器36的漏极及源极系经由输出导体28被一起电子耦合至电感器40的一终端。电感器38的另一终端系经由共同模式信号路径50被一起电子耦合至电感器40的另一终端。变抗器34及36及电感器38及40系以变抗器34及36的电容值及电感器38及40的电感值为基础以共振频率振荡。变抗器34及36的电容值系被控制信号路径48上的控制电压VCNTRL控制。控制电压VCNTRL系经由变抗器34及36控制电压控制振荡器核心22的振荡频率。共同模式电压VCM系被提供偏压于共同模式信号路径50上。晶体管42，44及46系提供负电阻来消除变抗器34及36及电感器38及40所出现的能量损失，并设定输出信号OUTPUT1及OUTPUT2的振幅于输出导体26及28上。变抗器34的漏极及源极系经由输出导体26被电子耦合至晶体管42的漏极-源极路径及晶体管44的栅极。变抗器36的漏极及源极系经由输出导体28被电子耦合至晶体管44的漏极-源极路径及晶体管42的栅极。同时，晶体管42及晶体管44的漏极-源极路径系经由尾端电流传导路径52被一起电子耦合至晶体管46的漏极-源极路径。晶体管46的漏极-源极路径另一侧经由功率传导路径32被电子耦合至电源供给电压VDD。晶体管46的栅极经由尾端电流偏压导体30被电子耦合至振幅控制电路24。电压控制振荡器核心22系振荡分别提供振荡差分输出信号OUTPUT1及OUTPUT2于输出导体26及28上。振幅控制电路24系提供尾端电流偏压VTC于尾端电流偏压导体30上来控制流经晶体管46的电流量。流经晶体管46的电流系被提供至变抗器34及36及电感器38及40来取代损失能量，并设定输出信号OUTPUT1及OUTPUT2的振幅于输出导体26及28上。电压控制振荡器核心22的操作中，当输出信号OUTPUT1相对高于输出信号OUTPUT2时，晶体管44系被施加偏压来传导较少电流，而晶体管42系被施加偏压来传导较多电流。流经晶体管46的电流系经由晶体管42来对输出导体26充电。输出导体26上的输出信号OUTPUT1振幅系与流经晶体管46的电流振幅相关。较大电流振幅系提供较大输出信号OUTPUT1振幅。较小电流振幅系提供较小输出信号OUTPUT1振幅。当电压控制振荡器核心22振荡时，输出导体26系放电而输出导体28系充电来提供相对输出信号OUTPUT2的低输出信号OUTPUT1。晶体管44系被施加偏压来传导较多电流，而晶体管42系被施加偏压来传导较少电流。流经晶体管46的电流系经由晶体管44来对输出导体28充电。输出导体28上的输出信号OUTPUT2振幅系与流经晶体管46的电流振幅相关。较大电流振幅系提供较大输出信号OUTPUT2振幅。较小电流振幅系提供较小输出信号OUTPUT2振幅。回授回路中，振幅控制电路24接收输出信号OUTPUT1及OUTPUT2，并提供尾端电流偏压VTC来调节流经晶体管46的电流及输出信号OUTPUT1及OUTPUT2的振幅。为了接收输出信号OUTPUT1及OUTPUT2，振幅控制电路24包含直流阻隔电容器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种振幅控制电路，包含：一第一电路，配置用以接收差分信号并以该差分信号振幅为基础提供一第一信号；一第二电路，配置用以接收偏压信号并以该偏压信号为基础提供一第二信号；及一第三电路，配置用以提供偏压至该第一电路及提供该偏 压信号至该第二电路，其中该偏压信号乃设定用以提供该差分信号的选择振幅。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：S乔卡林加姆，K戈帕拉克里斯南，H帕托维，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[]