半导体封装结构制造技术

本实用新型专利技术的实施例提供了一种半导体封装结构，涉及半导体封装技术领域，该半导体封装结构包括基板、芯片、支撑柱和转接板，通过在基板上贴装芯片，并在芯片的至少两侧设置支撑柱，同时在支撑柱上设置转接板，通过转接板来实现封装堆叠。并且，转接板与基板之间设置有第一焊球，转接板与基板通过第一焊球电连接。相较于现有技术，本实用新型专利技术通过额外设置支撑柱，能够起到支撑作用，避免焊接时第一焊球之间发生的虚焊/桥接问题，同时能够对于转接板和基板之间的间隙宽度进行限定，能够更好地控制焊接后第一焊球的一致性。并且，通过设置支撑柱，能够提高中间层的焊接强度，从而提高产品跌落测试的可靠性，防止焊球裂痕等问题。防止焊球裂痕等问题。防止焊球裂痕等问题。

Semiconductor packaging structure

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构


[0001]本技术涉及半导体封装
，具体而言，涉及一种半导体封装结构。

技术介绍

[0002]随着半导体行业的快速发展，电子产品微型化越来越高密度，通信内产品需要满足高带宽性能，通过POP(Package on Package)堆叠结构广泛应用于半导体行业中，将存储芯片与处理器芯片封装在一起，满足高带宽性能，以及实现微型化，其封装产品尺寸小，产品性能优越，信号传输频率快等，产品主要应用于微型化和薄型化的通信终端产品。
[0003]由于客户定制化产品的要求，需要在POP堆叠结构上层结构，实现自由分配存储芯片的大小，故需要满足可拆卸性，传统POP堆叠结构，通常采用激光开孔将塑封体开孔后漏出基板表面，容易导致焊盘烧坏，导致上层叠装结构焊接失效，同时也无法实现产品的自主的可分配性。进一步地，出现了利用转接板实现堆叠的封装结构。
[0004]然而，现有技术中利用转接板实现堆叠，由于堆叠不同封装体的材料使用不同，材料间的CTE系数不同，堆叠结构回流焊接过程中，容易导致产品翘曲，从而导致锡球与锡球(包括中间层锡球以及基板底部锡球)之间桥接/虚焊等问题。

技术实现思路

[0005]本技术的目的包括，例如，提供了一种半导体封装结构，其能够有效减缓基板翘曲导致的焊球桥接/虚焊等问题，并能够更好地控制焊球的一致性，提升焊接强度。
[0006]本技术的实施例可以这样实现：
[0007]本实施例提供了一种半导体封装结构，包括：
[0008]基板；
[0009]贴装在所述基板上的芯片；
[0010]设置在所述基板上，并位于所述芯片的至少两侧的支撑柱；
[0011]以及，设置在所述芯片远离所述基板一侧的转接板；
[0012]其中，所述支撑柱位于所述转接板和所述基板之间，并用于支撑所述转接板，所述转接板与所述基板之间还设置有第一焊球，所述转接板与所述基板通过所述第一焊球电连接。
[0013]在可选的实施方式中，所述半导体封装结构还包括塑封体，所述塑封体包覆在所述芯片和所述支撑柱外，所述支撑柱贯穿所述塑封体，且所述支撑柱的一端延伸至所述基板的表面，另一端延伸至所述转接板的表面，用于支撑所述转接板。
[0014]在可选的实施方式中，所述支撑柱相对于所述基板的高度大于所述芯片相对于所述基板的高度。
[0015]在可选的实施方式中，所述支撑柱包括基底部和支撑部，所述基底部设置在所述基板上，所述支撑部设置在所述基底部的顶部，并贴合在所述转接板的表面，且所述支撑部在所述基板上的投影面积大于所述基底部在所述基板上的投影面积。
[0016]在可选的实施方式中，所述基底部延伸至所述支撑部的中心位置，且所述基底部和所述支撑部的截面呈T字形。
[0017]在可选的实施方式中，所述基底部延伸至所述支撑部的一侧边缘，且所述基底部和所述支撑部的截面呈倒L字形。
[0018]在可选的实施方式中，所述转接板远离所述基板的一侧表面设置有转接焊盘，且所述转接板上靠近所述基板的一侧表面设置有连接焊盘，所述第一焊球与所述连接焊盘连接。
[0019]在可选的实施方式中，所述基板靠近所述转接板的一侧表面设置有第一基底焊盘，所述第一焊球与所述第一基底焊盘连接，且所述基板远离所述转接板的一侧表面设置有第二基底焊盘，所述第二基底焊盘上设置有第二焊球。
[0020]在可选的实施方式中，所述基板靠近所述转接板的一侧表面设置有第三基底焊盘，所述芯片的一侧表面设置有连接凸块或连接导线，所述连接凸块或所述连接导线与所述第三基底焊盘连接，以使所述芯片与所述基板电连接。
[0021]在可选的实施方式中，所述转接板远离所述基板的一侧还设置有堆叠结构，所述堆叠结构与所述转接板电连接。
[0022]本技术实施例的有益效果包括，例如：
[0023]本技术提供的半导体封装结构，通过在基板上贴装芯片，并在芯片的至少两侧设置支撑柱，同时在支撑柱上设置转接板，通过转接板来实现封装堆叠。并且，转接板与基板之间设置有第一焊球，转接板与基板通过第一焊球电连接。相较于现有技术，本技术通过额外设置支撑柱，能够起到支撑作用，避免焊接时第一焊球之间发生的虚焊/桥接问题，同时能够对于转接板和基板之间的间隙宽度进行限定，能够更好地控制焊接后第一焊球的一致性。并且，通过设置支撑柱，能够提高中间层的焊接强度，从而提高产品跌落测试的可靠性，防止焊球裂痕等问题。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0025]图1为本技术第一实施例提供的半导体封装结构的示意图；
[0026]图2为本技术第二实施例提供的半导体封装结构在第一视角下的示意图；
[0027]图3为本技术第二实施例提供的半导体封装结构在第二视角下的示意图；
[0028]图4为本技术第三实施例提供的半导体封装结构的示意图。
[0029]图标：100
‑
半导体封装结构；110
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基板；111
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第一基底焊盘；113
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第二基底焊盘；115
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第三基底焊盘；120
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芯片；121
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连接凸块；130
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支撑柱；131
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基底部；133
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支撑部；140
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塑封体；150
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转接板；151
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转接焊盘；153
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连接焊盘；160
‑
第一焊球；170
‑
第二焊球。
具体实施方式
[0030]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新
型实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0031]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0032]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0033]在本技术的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：基板；贴装在所述基板上的芯片；设置在所述基板上，并位于所述芯片的至少两侧的支撑柱；以及，设置在所述芯片远离所述基板一侧的转接板；其中，所述支撑柱位于所述转接板和所述基板之间，并用于支撑所述转接板，所述转接板与所述基板之间还设置有第一焊球，所述转接板与所述基板通过所述第一焊球电连接。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括塑封体，所述塑封体包覆在所述芯片和所述支撑柱外，所述支撑柱贯穿所述塑封体，且所述支撑柱的一端延伸至所述基板的表面，另一端延伸至所述转接板的表面，用于支撑所述转接板。3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述支撑柱相对于所述基板的高度大于所述芯片相对于所述基板的高度。4.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述支撑柱包括基底部和支撑部，所述基底部设置在所述基板上，所述支撑部设置在所述基底部的顶部，并贴合在所述转接板的表面，且所述支撑部在所述基板上的投影面积大于所述基底部在所述基板上的投影面积。5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述基底部延伸至所述支撑部的中心位置，且所述基底部和所述支撑部的截面呈T字形。6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈泽，张聪，
申请(专利权)人：甬矽半导体宁波有限公司，
类型：新型
国别省市：