一种晶圆处理设备制造技术

本申请公开了一种晶圆处理设备，该设备包括依次连接的装载系统、工艺腔和卸载系统，工艺腔内设至少一个第一工艺空间与至少一个第二工艺空间，其中，第一工艺空间和第二工艺空间分别对应的工艺不同，以工艺处理的先后方向为参考，第一工艺空间与第二工艺空间的顺序为第一工艺空间在前，第二工艺空间在后；或第二工艺空间在前，第一工艺空间在后；第一工艺空间和第二工艺空间分别用于对基底进行处理。通过上述方式，本申请能够在同一个工艺腔中对基底执行两种不同的工艺，进而提高材料的制备效率，降低成本。降低成本。降低成本。

A wafer processing equipment

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆处理设备


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种晶圆处理设备。

技术介绍

[0002]隔膜的高阻隔性能是许多聚合物包装材料都要求具备的特性之一。在专业术语中高阻隔是指对低分子量的化学物质，如H2O、O2、有机化合物等具有非常低的透过性。目前，高阻隔膜在食品药品包装、电子器件封装、太阳能电池封装等领域都有不同级别的需求。
[0003]为了提高阻隔材料的阻隔性能，目前常采用的技术手段主要包括多层复合、表面涂覆、材料复合、表面改性等。其中在聚合物表面涂覆叠层材料，在薄膜表面形成致密而且阻隔性能优异涂层的方法，其阻氧、阻水性能最为优异，且薄膜透光性好，被视为获取最高级别阻隔性能的最佳手段。但由于现有不同涂覆技术(如物理气相沉积/原子层沉积/化学气相沉积)等通常需要独立的工艺腔，多个工艺则需要多个独立的工艺腔，所以制备效率比较低，设备投资极其昂贵，加工技术难度高，且设备在大批量量产的情况下存在维护困难的问题，导致产品成本极高。

技术实现思路

[0004]本申请主要解决的技术问题是提供一种晶圆处理设备，将两种工艺结合，能够提高材料制备效率，降低成本。
[0005]为解决上述技术问题，本申请采用的技术方案是：提供一种晶圆处理设备，该晶圆处理设备包含依次连接的装载系统、工艺腔和卸载系统，该工艺腔内设有至少一个第一工艺空间与至少一个第二工艺空间；其中，第一工艺空间和第二工艺空间分别对应的工艺不同，以工艺处理的先后方向为参考，第一工艺空间与第二工艺空间的顺序为第一工艺空间在前，第二工艺空间在后；或第二工艺空间在前，第一工艺空间在后；第一工艺空间和第二工艺空间分别用于对基底进行处理。
[0006]其中，对基底进行处理包括：对基底表面进行薄膜生长、热处理、掺杂处理、等离子体处理、降温处理。
[0007]其中，晶圆处理设备还包括清洗装置，该清洗装置设置于第一工艺空间或第二工艺空间。
[0008]其中，处理过程中空间内存在等离子体，进一步地，第一工艺空间采用等离子体增强原子层沉积工艺，第二工艺空间采用等离子体增强化学气相沉积工艺。
[0009]其中，第一工艺空间和第二工艺空间在工艺处理的先后方向上交替设置两组以上。
[0010]其中，各个第一工艺空间采用同一个等离子体源，各个第二工艺空间采用同一个等离子体源。
[0011]其中，晶圆处理设备还包括进气装置，该进气装置用于向基底输送气体。
[0012]其中，进气装置包含若干个抽气装置和若干组第一进气口、第二进气口，第一进气
口和第二进气口用于向基底输送不同气体；抽气装置设于第一进气口与第二进气口之间，用于抽取气体以隔离第一进气口与第二进气口。
[0013]其中，装载系统和卸载系统均为卷轴传输系统，卷起基底的两端并架起基底，基底经过工艺腔内的至少两个进气装置之间的空间，两个进气装置对基底的两面进行处理。
[0014]其中，卷轴传输系统包括至少两个辊；所述辊用于控制基底在晶圆处理设备中的位置。
[0015]其中，晶圆处理设备还设置有预处理空间，该预处理空间设置于装载系统与第一工艺空间之间，和/或装载系统与第二工艺空间之间，用于对基底进行温度预处理，和/或表面结合能预处理。
[0016]其中，晶圆处理设备还包括电源装置；该电源装置用于在所述第一工艺空间和/或所述第二工艺空间内起辉反应气体形成等离子体。
[0017]其中，晶圆处理设备中设置有隔绝门阀；隔绝门阀设置于装载系统与预处理空间之间，和/或，设置于第一工艺空间与卸载系统之间，和/或，第二工艺空间与卸载系统之间。
[0018]其中，晶圆处理设备还包括气帘组件，气帘组件用于形成流动的气体而间隔两个空间；以工艺处理的先后方向为参考，第一工艺空间与第二工艺空间的顺序为第一工艺空间在前，第二工艺空间在后，气帘组件设置于预处理空间与第一工艺空间之间；和/或，设置于第一工艺空间与第二工艺空间之间；和/或，设置于第二工艺空间与卸载系统之间；或，以工艺处理的先后方向为参考，第一工艺空间与第二工艺空间的顺序为第二工艺空间在前，第一工艺空间在后，气帘组件设置于预处理空间与第二工艺空间之间；和/或，设置于第二工艺空间与第一工艺空间之间；和/或，设置于第一工艺空间与卸载系统之间。
[0019]其中，晶圆处理设备还包括加热组件，该加热组件用于控制基底的温度。
[0020]本申请的有益效果是，区别于现有技术，本申请在同一个晶圆处理设备中将两种处理工艺结合，也就是在工艺腔内设有至少一个第一工艺空间与至少一个第二工艺空间，免去基底在多个设备之间传输、温度控制等预处理过程，可有效提高处理效率，降低成本。
附图说明
[0021]图1是本申请提供的晶圆处理设备一实施方式的结构示意图；
[0022]图2是本申请提供的晶圆处理设备的第一工艺空间的部分结构示意图；
[0023]图3是本申请提供的晶圆处理设备的第二工艺空间的部分结构示意图；
[0024]图4是本申请提供的晶圆处理设备一实施方式的简化结构示意图；
[0025]图5是本申请晶圆处理设备另一实施方式的简化结构示意图。
具体实施方式
[0026]为使本申请的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0027]需要说明的是，本申请实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指
示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本申请要求的保护范围之内。
[0028]为了更好地理解本申请，下面将结合附图和具体实施例对本申请提供的一种晶圆处理设备进行更为详细的描述。
[0029]由于现有不同涂覆技术(如物理气相沉积/原子层沉积/化学气相沉积)等对工艺环境要求不同(压力、温度等)，难以整合，所以设备投资极其昂贵，加工技术难度高，且设备在大批量量产的情况下存在维护困难的问题，导致产品成本极高。
[0030]概括来说，本申请提供一种晶圆处理设备，该晶圆处理设备包括依次连接的装载系统、工艺腔和卸载系统，该工艺腔内设至少一个第一工艺空间与至少一个第二工艺空间；其中，第一工艺空间和第二工艺空间分别对应的工艺不同，以工艺处理的先后方向为参考，第一工艺空间与第二工艺空间的顺序为第一工艺空间在前，第二工艺空间在后；或第二工艺空间在前，第一工艺空间在后；第一工艺空间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆处理设备，包括依次连接的装载系统、工艺腔和卸载系统，其特征在于，所述工艺腔内设至少一个第一工艺空间与至少一个第二工艺空间；其中，所述第一工艺空间和所述第二工艺空间分别对应的工艺不同，以工艺处理的先后方向为参考，所述第一工艺空间与所述第二工艺空间的顺序为所述第一工艺空间在前，所述第二工艺空间在后；或所述第二工艺空间在前，所述第一工艺空间在后；所述第一工艺空间和所述第二工艺空间分别用于对基底进行处理。2.根据权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述对基底进行处理包括：在所述基底表面进行薄膜生长、热处理、掺杂处理、等离子体处理、降温处理。3.根据权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述晶圆处理设备还包括：清洗装置，所述清洗装置设置于所述第一工艺空间或所述第二工艺空间。4.根据权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述处理过程中空间内存在等离子体。5.根据权利要求4所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述第一工艺空间采用等离子体增强原子层沉积工艺，所述第二工艺空间采用等离子体增强化学气相沉积工艺。6.根据权利要求5所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述第一工艺空间和所述第二工艺空间在工艺处理的先后方向上交替设置两组以上。7.根据权利要求5所述的晶圆处理设备，其特征在于，各个所述第一工艺空间采用同一个等离子体源，各个所述第二工艺空间采用同一个等离子体源。8.根据权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述晶圆处理设备还包括：进气装置，所述进气装置用于向所述基底输送气体。9.根据权利要求8所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述进气装置还包含：若干个抽气装置和若干组第一进气口、第二进气口；其中，所述第一进气口和所述第二进气口用于向所述基底输送不同气体；所述抽气装置设于所述第一进气口与所述第二进气口之间，用于抽取气体以隔离所述第一进气口与所述第二进气口。10.根据权利要求8所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述装载系统和所述卸载系统均为卷轴传输系统，卷起所述基底的两端并架起所述基底，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李翔，黎微明，糜珂，赵昂璧，左敏，胡磊，林英浩，杨勇，袁红霞，
申请(专利权)人：江苏微导纳米科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：