低噪、宽带、低失真电子放大器制造技术

技术编号:3403308 阅读:214 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种低噪、宽带、低失真电子放大器,包括放大电路,该放大电路主要由带抽头的宽带变压器T1和晶体管Q1组成,其特征是晶体管Q1的发射极与变压器T1的初级绕组的一端相连,变压器T1的初级绕组的另一端通过隔直流输入耦合电容C4接放大电路的信号输入端J1,该端同时连接有由电阻R3及电感L2串接而成的偏置电路,该偏置电路的另一端接地;晶体管Q1的集电极通过串接的电阻R4和电感L1接电源,其基极通过由电阻R1、电容C1并联组成的耦合电路接地,在晶体管Q1的基极和集电极之间连接有偏置电阻R2;变压器T1的次级绕阻的一端接地,另一端通过隔直流输出耦合电容C3接晶体管Q1的集电极,变压器T1次级绕组的中间抽头作为放大信号输出点接输出端口J2。(*该技术在2015年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种低噪、宽带、低失真电子放大器,包括放大电路,该放大电路主要由带抽头的宽带变压器T1和晶体管Q1组成,其特征是晶体管Q1的发射极与变压器T1的初级绕组的一端相连,变压器T1的初级绕组的另一端通过隔直流输入耦合电容C4接放大电路的信号输入端J1,该端同时连接有由电阻R3及电感L2串接而成的偏置电路,该偏置电路的另一端接地;晶体管Q1的集电极通过串接的电阻R4和电感L1接电源,其基极通过由电阻R1、电容C1并联组成的耦合电路接地,在晶体管Q1的基极和集电极之间连接有偏置电阻R2;变压器T1的次级绕阻的一端接地,另一端通过隔直流输出耦合电容C3接晶体管Q1的集电极,变压器T1次级绕组的中间抽头作为放大信号输出点接输出端口J2。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:鞠苏民
申请(专利权)人:熊猫电子集团有限公司南京熊猫电子股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:84[中国|南京]

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