温度探测器的畸变校正方法、装置、设备及介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种面阵CCD温度探测器的畸变校正方法、装置、设备及介质，所述方法包括：获取面阵CCD温度探测器中每个像元的像元信息、材料量子效率和电荷变化量因子；根据所述每个像元的像元信息、材料量子效率和电荷变化量因子，建立实际灰度矩阵；对所述实际灰度矩阵进行增益和偏移校正，得到校正后的目标灰度矩阵。采用本发明专利技术，能解决现有技术中面阵CCD温度探测器输出的灰度矩阵不均匀，导致温度测量精度低等技术问题。精度低等技术问题。精度低等技术问题。

【技术实现步骤摘要】
温度探测器的畸变校正方法、装置、设备及介质


[0001]本专利技术涉及器件校正
，尤其涉及一种面阵CCD温度探测器的畸变校正方法、装置、设备及介质。

技术介绍

[0002]在板坯扎制过程中，由于板坯表面温度场本身分布不均匀，单点温度并不能代表整个表面温度分布信息，需要提供整个温度场信息来实时监测产品或设备状态，以提高板坯质量及保证生产效率和安全。
[0003]基于面阵电耦合器件(Charge Coupled Device，CCD)的高温计(Wen也可称为温度探测器)可实时获取轧材表面温度场信息，因而在热轧带钢的生产过程中被广泛应用。然而在实际应用中，利用面阵CCD温度探测器直接测量得到的板坯表面温度场会发生严重的畸变，大大降低了测温精度。其主要存在以下因素或问题是面阵CCD探测器光敏单元的响应非一致性，其由于面阵CCD在制造过程中并不能保证所有像素/像元的材料量子效率保持一致，并且各面阵CCD探测器的受光面积也不能保持一致。因此这必将导致面阵CCD输出的灰度矩阵存在一定的非均匀性，从而影响温度测量精度。
[0004]因此，亟需提出一种面阵CCD温度探测器的畸变校正方案。

技术实现思路

[0005]本申请实施例通过提供一种面阵CCD温度探测器的畸变校正方法、装置、设备及介质，解决了现有技术中面阵CCD温度探测器输出的灰度矩阵不均匀，导致温度测量精度低等技术问题。
[0006]一方面，本申请通过本申请的一实施例提供一种面阵CCD温度探测器的畸变校正方法，所述方法包括：
>[0007]获取面阵CCD温度探测器中每个像元的像元信息、材料量子效率和电荷变化量因子；
[0008]根据所述每个像元的像元信息、材料量子效率和电荷变化量因子，建立实际灰度矩阵；
[0009]对所述实际灰度矩阵进行增益和偏移校正，得到校正后的目标灰度矩阵。
[0010]可选地，所述对所述实际灰度矩阵进行增益和偏移校正，得到校正后的目标灰度矩阵包括：
[0011]根据所述面阵CCD温度探测器的非均匀性响应校正算法，建立预配的校正灰度矩阵；
[0012]根据所述实际灰度矩阵和所述校正灰度矩阵之间的关联关系，对所述实际灰度矩阵进行增益系数和偏移系数的校正，得到校正后的所述目标灰度矩阵。
[0013]可选地，所述实际灰度矩阵为：H＝RE+γ，所述校正灰度矩阵为：G＝KE+σ；其中，
[0014]H为所述实际灰度矩阵，G为所述校正灰度矩阵，R和K为对应灰度矩阵中的增益系
数矩阵，γ和σ为对应灰度矩阵中的偏移系数矩阵。
[0015]可选地，所述关联关系为：G
ij
＝A
ij
H
ij
+B
ij
，其中(i，j)表示所述像元的行列编号，A
ij
和B
ij
均为像元(i，j)的系数。
[0016]可选地，所述目标灰度矩阵为：
[0017]其中，和为第一光照下像元(i，j)的灰度值，和为第二光照下像元(i，j)的灰度值。
[0018]可选地，所述像元信息包括像元和所述像元的像元面积。
[0019]可选地，所述像元是根据所述面阵CCD温度探测器的曝光时间、电子电荷量、入射光频率和普朗克常数确定的。
[0020]另一方面，本申请通过本申请的一实施例提供一种面阵CCD温度探测器的畸变校正装置，所述装置包括：获取模块、建立模块和校正模块，其中：
[0021]所述获取模块，用于获取面阵CCD温度探测器中每个像元的像元信息、材料量子效率和电荷变化量因子；
[0022]所述建立模块，用于根据所述每个像元的像元信息、材料量子效率和电荷变化量因子，建立实际灰度矩阵；
[0023]所述校正模块，用于对所述实际灰度矩阵进行增益和偏移校正，得到校正后的目标灰度矩阵。
[0024]关于本申请实施例中未介绍或未阐述的内容可对应参考前述方法实施例中的相关介绍，这里不再赘述。
[0025]另一方面，本申请通过本申请的一实施例提供一种终端设备，所述终端设备包括：处理器、存储器、通信接口和总线；所述处理器、所述存储器和所述通信接口通过所述总线连接并完成相互间的通信；所述存储器存储可执行程序代码；所述处理器通过读取所述存储器中存储的可执行程序代码来运行与所述可执行程序代码对应的程序，以用于执行如上所述的面阵CCD温度探测器的畸变校正方法。
[0026]另一方面，本申请通过本申请的一实施例提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有程序，当所述程序运行在终端设备时执行如上所述的面阵CCD温度探测器的畸变校正方法。
[0027]本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：本申请获取面阵CCD温度探测器中每个像元的像元信息、材料量子效率和电荷变化量因子；根据所述每个像元的像元信息、材料量子效率和电荷变化量因子，建立实际灰度矩阵；对所述实际灰度矩阵进行增益和偏移校正，得到校正后的目标灰度矩阵。上述方案中，本申请能根据面阵CCD温度探测器中每个像元的一系列信息建立自身的实际灰度矩阵，进而在对该实际灰度矩阵进行增益和偏移校正，以得到更为准确的校正后的目标灰度矩阵，从而保证后续基于目标灰度矩阵的温度测量精度。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使
用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1是本申请实施例提供的一种面阵CCD温度探测器的畸变校正系统的结构示意图。
[0030]图2是本申请实施例提供的一种采用均匀积分球进行面阵CCD温度探测器校正的原理示意图。
[0031]图3是本申请实施例提供的一种面阵CCD温度探测器的畸变校正方法的流程示意图。
[0032]图4是本申请实施例提供的一种面阵CCD温度探测器的畸变校正装置的结构示意图。
[0033]图5是本申请实施例提供的一种终端设备的结构示意图。
具体实施方式
[0034]申请人在提出本申请的过程中还发现：在面阵CCD温度探测器的实际生产过程中，由于材料质量的影响和制造工艺的限制，如沟道掺杂浓度不均匀、表面态密度分布不均及栅氧化物厚度不同，都会引起面阵CCD温度探测器的阈值电压不一致，进而导致材料量子效率不相同。此外，探测器受光面积的差异也是其响应非均匀性产生的一个重要因素。这些都将导致面阵CCD温度探测器输出的灰度矩阵存在一定的非均匀性，进而影响温度测量的精度。
[0035]本申请实施例通过提供一种面阵CCD温度探测器的畸变校正方法、装置、设备及介质，解决了现有技术中面阵CCD温度探测器输出的灰度矩阵不均匀，导致温度测量精度低等技术问题。
[0036]本申请实施例的技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种面阵CCD温度探测器的畸变校正方法，其特征在于，所述方法包括：获取面阵CCD温度探测器中每个像元的像元信息、材料量子效率和电荷变化量因子；根据所述每个像元的像元信息、材料量子效率和电荷变化量因子，建立实际灰度矩阵；对所述实际灰度矩阵进行增益和偏移校正，得到校正后的目标灰度矩阵。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述实际灰度矩阵进行增益和偏移校正，得到校正后的目标灰度矩阵包括：根据所述面阵CCD温度探测器的非均匀性响应校正算法，建立预配的校正灰度矩阵；根据所述实际灰度矩阵和所述校正灰度矩阵之间的关联关系，对所述实际灰度矩阵进行增益系数和偏移系数的校正，得到校正后的所述目标灰度矩阵。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述实际灰度矩阵为：H＝RE+γ，所述校正灰度矩阵为：G＝KE+σ；其中，H为所述实际灰度矩阵，G为所述校正灰度矩阵，R和K为对应灰度矩阵中的增益系数矩阵，γ和σ为对应灰度矩阵中的偏移系数矩阵。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述关联关系为：G
ij
＝A
ij
H
ij
+B
ij
，其中(i，j)表示所述像元的行列编号，A
ij
和B
ij
均为像元(i，j)的系数。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述目标灰度矩阵为：其中，和为第一光照下像元(i，j)的灰度...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊雯，张帆，邱鹏，叶盛，杨洲，
申请(专利权)人：武汉钢铁有限公司，
类型：发明
国别省市：