单片LNA支持IC制造技术

一种低噪声放大器（ＬＮＡ），包括：多个ＦＥＴ（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４），被布置为处理放大器所接收的信号；电源输入端（１０），被布置为用以操作ＬＮＡ的电能；以及单片支持集成电路（ＩＣ）。单片支持ＩＣ包括：ＦＥＴ控制电路（２），被布置为监视并控制每个ＦＥＴ的漏极电流；ＦＥＴ选择电路（３，２４，２２），被布置为检测提供至电源输入端的电压信号的ＤＣ分量的电平，并根据所检测的ＤＣ电平向ＦＥＴ控制电路（２）提供ＦＥＴ选择信号。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种低噪声放大器（ＬＮＡ），包括：　多个ＦＥＴ，被布置为处理由放大器接收的信号；　电源输入端，被布置为接收用以操作ＬＮＡ的电能；以及　单片支持集成电路（ＩＣ），　其中，所述单片支持ＩＣ包括：　ＦＥＴ控制电路，被布置为监视并控制每个ＦＥＴ的漏极电流；　ＦＥＴ选择电路，被布置为检测提供至电源输入端的电压信号的ＤＣ分量的电平，并根据所检测的ＤＣ电平给所述ＦＥＴ控制电路提供ＦＥＴ选择信号，所述ＦＥＴ控制电路响应于所述ＦＥＴ选择信号而禁用所选的多个ＦＥＴ中的两个ＦＥＴ的其中之一；　电压调节电路，连接至电源输入端，并适于根据到所述电源输入端的电压信号产生调节后的输出电压；以及　负电源发生器电路，连接以接收调节后的输出电压，并被布置为根据调节后的输出电压产生负电源电压，并将所述负电源电压提供给ＦＥＴ控制电路，将所述ＦＥＴ控制电路布置为使用所述负电源电压来给ＦＥＴ提供负栅极驱动电压。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴维布莱德博瑞，
申请(专利权)人：赛特克斯半导体公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]