曝光工具及使用曝光工具的方法技术

本文描述的一些实施方式提供了一种曝光工具及使用曝光工具的方法。该曝光工具包括遮罩变形侦测器及一或多个处理器，该一或多个处理器用以在扫描晶圆的多个场的扫描制程期间经由遮罩变形侦测器获取与遮罩相关联的遮罩变形信息。一或多个处理器在扫描制程期间基于遮罩变形信息多次判定遮罩的变形，且在扫描制程期间基于遮罩的变形多次执行对曝光工具的一或多个组件的一或多次调整。一或多个组件的一或多次调整。一或多个组件的一或多次调整。

【技术实现步骤摘要】
曝光工具及使用曝光工具的方法


[0001]本揭露关于一种曝光工具及使用曝光工具的方法。

技术介绍

[0002]半导体制造中的微影术(例如，光微影术)为将图案转移至晶圆的制程。微影术可包括经由遮罩(例如，光罩)施加光且施加至晶圆场上。遮罩为配置有图案(例如，晶粒层图案、集成电路图案等)的设备，该图案在微影术制程期间转移至晶圆。遮罩可包括其上形成有图案的微影罩幕、微影罩幕或遮罩所附接的框架及保护图案免受损坏及灰尘的薄膜层，否则该些损坏及灰尘会导致图案转移至基板。

技术实现思路

[0003]本揭露关于一种曝光工具。曝光工具包含一遮罩变形侦测器；及一或多个处理器，用以：在一扫描制程期间的多个实例中，经由该遮罩变形侦测器获取与一遮罩相关联的遮罩变形信息，该扫描制程包括以下步骤：扫描一晶圆的多个场；在该扫描制程期间，基于该遮罩变形信息，判定该遮罩在多个实例中的一变形；及在该扫描制程期间，基于该遮罩在该些实例下的该变形，多次对该曝光工具的一或多个组件进行一或多次调整。
[0004]本揭露关于一种使用曝光工具的方法。使用曝光工具的方法包含以下步骤。通过一曝光工具对一晶圆的一第一场进行一第一次扫描，该第一次扫描包括以下步骤：将一电磁场投射穿过一遮罩且投射至该晶圆的该第一场上；通过一遮罩变形侦测器获取与该第一次扫描期间该遮罩的变形相关联的遮罩变形信息；基于该遮罩变形信息，对该曝光工具的一或多个组件进行一或多次调整；及通过该曝光工具且在对该曝光工具的该一或多个组件进行该一或多次调整之后，对该晶圆的一第二场进行一第二次扫描，该第二次扫描包括以下步骤：将该电磁场投射穿过该遮罩且投射至该晶圆的该第二场。
[0005]本揭露关于一种曝光工具。曝光工具包含：一扫描组件，用以执行一扫描制程，该扫描制程包含引导光穿过一遮罩且朝向一晶圆的步骤；一遮罩变形侦测器，用以在该扫描制程的多个实例中获取与在该扫描制程期间该晶圆的多个不同场的多个扫描相关联的遮罩变形信息；一投射透镜，用以在该扫描制程期间基于与该扫描制程期间该晶圆的该些不同场的该些扫描相关联的该遮罩变形信息进行调整；及一遮罩外壳，用以将该遮罩定位在该扫描组件与该投射透镜之间。
附图说明
[0006]结合附图，根据以下详细描述可以最好地理解本揭示内容的各态样。注意，根据行业中的标准实务，各种特征未按比例绘制。实际上，为了讨论清楚起见，各种特征的尺寸可任意增加或减小。
[0007]图1为本文描述的曝光工具的实例的图；
[0008]图2为结合图1的曝光工具描述的遮罩变形的实例的图；
[0009]图3为结合图1的曝光工具描述的晶圆的实例的图；
[0010]图4为与图1的曝光工具一起使用的本文描述的校正像差的实例的图；
[0011]图5为结合图1的曝光工具描述的曝光工具的一部分的实例的图；
[0012]图6为结合图1的曝光工具描述的曝光工具的一部分的实例的图；
[0013]图7为结合图1的曝光工具描述的曝光工具的实例的图；
[0014]图8为图1的一或多个装置的例示性组件的图；
[0015]图9为与像差校正有关的例示性制程的流程图。
[0016]【符号说明】
[0017]100:曝光工具
[0018]102:扫描组件
[0019]104:光学元件
[0020]106:遮罩变形侦测器
[0021]106A:遮罩温度感测器
[0022]106B:基于电磁波的扫描器
[0023]108:遮罩外壳
[0024]110:遮罩
[0025]112:投射透镜外壳
[0026]114:投射透镜
[0027]116:激活装置
[0028]118:晶圆
[0029]120:遮罩处置器
[0030]122:替换遮罩
[0031]200、300、400、500、600、700:实例
[0032]202、204、206:附图标记
[0033]302:场
[0034]402:变形度量与像差分布
[0035]404:扫描
[0036]406:量测遮罩温度
[0037]408:计算像差漂移
[0038]410:扫描
[0039]412:量测遮罩温度
[0040]414:计算像差漂移
[0041]416:扫描
[0042]418:量测遮罩温度
[0043]420:计算像差漂移
[0044]502:量测
[0045]602:变形度量与像差分布
[0046]604:扫描
[0047]606:获取变形度量
[0048]608:计算像差漂移
[0049]610:扫描
[0050]612:获取变形度量
[0051]614:计算像差漂移
[0052]616:扫描
[0053]618:获取变形度量
[0054]620:计算像差漂移
[0055]702:光径长度
[0056]800:装置
[0057]810:总线
[0058]820:处理器
[0059]830:记忆体
[0060]840:储存组件
[0061]850:输入组件
[0062]860:输出组件
[0063]870:通讯组件
[0064]900:制程
[0065]910、920、930、940:方块
具体实施方式
[0066]以下揭示内容提供了用于实现提供的标的的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下描述组件及布置的特定实例用以简化本揭示内容。当然，该些仅为实例，并不旨在进行限制。例如，在下面的描述中在第二特征上方或之上形成第一特征可包括其中第一特征及第二特征直接接触形成的实施例，并且亦可包括其中在第一特征与第二特征之间形成附加特征的实施例，以使得第一特征及第二特征可以不直接接触。此外，本揭示内容可以在各个实例中重复元件符号或字母。此重复系出于简单及清楚的目的，其本身并不指定所讨论的各种实施例或组态之间的关系。
[0067]此外，为了便于描述，本文中可以使用诸如“在
……
下方”、“在
……
下”、“下方”、“在
……
上方”、“上方”之类的空间相对术语，来描述如图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除了在附图中示出的取向之外，空间相对术语意在涵盖装置在使用或操作中的不同取向。设备可以其他方式取向(旋转90度或以其他取向)，并且在此使用的空间相对描述语亦可被相应地解释。
[0068]曝光工具(例如，浸没曝光工具)可用于对晶圆执行微影术。曝光工具可以在各种曝光模式下操作，例如步进曝光模式、扫描曝光模式或步进扫描曝光模式。曝光工具可包括晶圆台，该晶圆台可包括卡盘、平台或用以支撑及固定晶圆的另一类型的结构。晶圆台可用以提供各种运动，例如过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种曝光工具，其特征在于，包含：一遮罩变形侦测器；及一或多个处理器，用以：在一扫描制程期间的多个实例中，经由该遮罩变形侦测器获取与一遮罩相关联的遮罩变形信息，该扫描制程包括以下步骤：扫描一晶圆的多个场；在该扫描制程期间，基于该遮罩变形信息，判定该遮罩在多个实例中的一变形；及在该扫描制程期间，基于该遮罩在该些实例下的该变形，多次对该曝光工具的一或多个组件进行一或多次调整。2.根据权利要求1所述的曝光工具，其特征在于，该曝光工具的该一或多个组件的该一或多次调整用以减少或消除在不进行该一或多次调整的情况下由该遮罩的该变形引起的一像差。3.根据权利要求1所述的曝光工具，其特征在于，用于执行该曝光工具的该一或多个组件的该一或多次调整的该一或多个处理器用以引起以下中的一或多者：基于该遮罩的该变形将该遮罩更换为一替换遮罩，或调整该曝光工具的一投射透镜。4.根据权利要求1所述的曝光工具，其特征在于，用于执行该曝光工具的该一或多个组件的该一或多次调整的该一或多个处理器用以：在该晶圆的一第一场的一第一次扫描与该晶圆的一第二场的一第二次扫描之间执行该曝光工具的该一或多个组件的该一或多次调整，或在该晶圆的该第一场的该第一次扫描期间执行该曝光工具的该一或多个组件的该一或多次调整。5.根据权利要求1所述的曝光工具，其特征在于，该遮罩变形侦测器包含一遮罩温度感测器，用以在该扫描制程期间量测该遮罩的一温度。6.根据权利要求5所述的曝光工具，其特征在于，该一或多个处理器用以：基于该扫描制程期间该遮罩的该温度估计该遮罩的该变形。7.根据权利要求5所述的曝光工具，其特征在于，该一或多个处理器...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴旻政，黄静茹，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：