基板清洗装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供基板清洗装置，更具体地涉及一种在单一腔体执行使基板表面的自然氧化膜和工艺气体发生反应而生成反应物的工艺和去除所述反应物的工艺的基板清洗装置。所述反应物的工艺的基板清洗装置。所述反应物的工艺的基板清洗装置。

【技术实现步骤摘要】
基板清洗装置


[0001]本专利技术涉及基板清洗装置，更具体地涉及一种在单一腔体执行使基板表面的自然氧化膜和工艺气体发生反应而生成反应物的工艺和去除所述反应物的工艺的基板清洗装置。

技术介绍

[0002]一般而言，对于利用基板而制造半导体设备或显示器的情况，在基板的表面形成自然氧化膜(native oxide)。该自然氧化膜因产生提高半导体设备或显示器等阻抗等坏的影响而需要去除自然氧化膜。
[0003]在向生成该自然氧化膜的基板供应HF及NH3等工艺气体的情况下，工艺气体和自然氧化膜发生反应而生成反应物((NH4)2SiF6)。但，该反应物在室温下未被去除，在加热至100℃以上的情况，借助热分解而去除。
[0004]对于现有技术的清洗装置的情况，在另外的腔体进行在基板表面生成反应物的工艺和去除该反应物的工艺。因此，在一个腔体供应工艺气体而在基板表面生成反应物，并将在表面生成反应物的基板移动至另外的腔体，加热而去除反应物。
[0005]对于现有技术的清洗装置，因将基板移动至腔体之间而清洗，在腔体之间移动时，反而担心会污染基板或发生损伤。尤其，对于显示器用基板一样的大面积基板，难以进行腔体之间移动，而且，在腔体之间移动时，非常担心破损及损伤。
[0006]并且，因将基板在腔体之间移动而清洗，而存在清洗花费的时间较长而降低清洗效率的问题。

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的技术问题
[0008]本专利技术是为了解决如上所述的问题，其目的在于提供一种在单一腔体执行使基板表面的自然氧化膜和工艺气体发生反应而生成反应物的工艺和去除所述反应物的工艺的基板清洗装置。
[0009]用于解决问题的技术方案
[0010]如上所述的本专利技术的目的通过基板清洗装置实现，该基板清洗装置包括：腔体，进行对基板的第一工艺并将以第一温度保持的第一区域包含在内侧上部，进行对所述基板的第二工艺，并将以比所述第一温度高的第二温度保持的第二区域包含在内侧下部；气体供应部，设置在所述腔体内部而向处于所述第一区域的所述基板供应工艺气体；基板加热部，设置在所述第二区域而将所述基板加热至所述第二温度；及顶升销，将所述基板在所述第一区域和第二区域之间移动。
[0011]在此，所述第一工艺与所述基板表面的自然氧化膜和工艺气体发生反应而生成反应物的工艺相对应，所述第二工艺与去除所述基板表面的反应物的工艺相对应。
[0012]另外，所述基板加热部支撑所述基板并加热。
[0013]并且，还设置：基板支撑部，支撑所述基板，所述基板加热部对于所述基板支撑部处于所述第二区域的情况，而设置供插入所述基板支撑部的凹部。
[0014]对于该情况，在所述基板支撑部还设置冷却部。
[0015]另外，在所述基板加热部形成供所述顶升销贯通，并排出残留气体的贯通孔，所述凹部的内侧棱角形成为曲线形式。
[0016]而且，与所述凹部的内侧棱角邻接而设置凸部。
[0017]另外，在所述基板加热部的表面形成浮雕(embossing)，或形成提前确定粗度的粗糙度。
[0018]专利技术的效果
[0019]根据具有上述结构的本专利技术，在单一腔体执行使基板表面的自然氧化膜和工艺气体发生反应而生成反应物的工艺；去除所述反应物的工艺而防止基板的污染及损伤，而且，缩短清洗基板花费的时间而提高清洗效率。
附图说明
[0020]图1为显示在本专利技术的一实施例的基板清洗装置中基板移动至第一区域的状态的侧截面图；
[0021]图2为显示在本专利技术的一实施例的基板清洗装置中基板移动至第二区域的状态的侧截面图；
[0022]图3为显示在本专利技术的另一实施例的基板清洗装置中基板移动至第一区域的状态的侧截面图；
[0023]图4为显示在本专利技术的另一实施例的基板清洗装置中基板移动至第二区域的状态的侧截面图；
[0024]图5为显示基板加热部的立体图；
[0025]图6为显示基板加热部和腔体的下部的局部侧截面图；
[0026]图7为在基板加热部中的曲率部的放大图。
[0027]附图标记说明
[0028]10:基板
[0029]100:腔体
[0030]300、500:基板加热部
[0031]220:气体供应部
[0032]400:基板支撑部
[0033]600:排气部
具体实施方式
[0034]下面，参照附图而对本专利技术的实施例的基板清洗装置的结构进行具体说明。
[0035]图1及图2为本专利技术的一实施例的基板清洗装置1000的侧截面图。图1中显示基板10移动至第一区域A的状态，图2中显示所述基板10移动至第二区域B的状态。
[0036]参照图1及图2，所述基板清洗装置1000包括：腔体100，进行对所述基板10的第一工艺，而将以第一温度保持的第一区域A包含在内侧上部，进行对所述基板10的第二工艺，
而将以比所述第一温度高的第二温度保持的第二区域B包含在内侧下部；气体供应部220，设置在所述腔体100内部而向处于所述第一区域A的所述基板10供应工艺气体；基板加热部300，设置在所述第二区域B而将所述基板10加热至所述第二温度；及顶升销310，将所述基板10在所述第一区域A和第二区域B之间移动。
[0037]所述腔体100提供进行对所述基板10的工艺的空间。例如，所述腔体100由上部开口的腔体主体120和密封所述腔体主体120的开口的上部的腔体导件110构成。该腔体100的结构仅用于举例说明，并适当变形。
[0038]另外，在所述腔体100的内侧提供执行对所述基板10的第一工艺及第二工艺的第一区域A及第二区域B。
[0039]例如，所述第一工艺与所述基板10表面的自然氧化膜和工艺气体发生反应而生成反应物的工艺相对应，所述第二工艺定义为去除所述基板10表面的反应物的工艺。
[0040]即，本专利技术的基板清洗装置1000与现有技术的装置不同，在一个腔体100内全部执行在基板10的表面生成反应物的工艺和去除所述反应物的工艺。因此，与现有技术的装置相比，无需为了清洗基板而将基板在腔体之间移动的需要而减少基板的污染，而且，连续执行工艺而显著缩短基板清洗花费的时间及工艺。
[0041]另外，上述第一区域A处于所述腔体100的内侧上部，所述第二区域B处于所述腔体100的内侧下部。
[0042]因所述基板10须在所述第一区域A和第二区域B之间移动，在所述腔体100的内侧，上述第一区域A和第二区域B从物理上并非区分提供的。但所述第一区域A和第二区域B可以不同地设定执行工艺的温度带。
[0043]即，执行所述第一工艺的第一区域A保持为提前确定的第一温度，执行所述第二工艺的第二区域B保持为提前确定的第二温度。对于该情况，所述第二温度确定高于所述第一温度。例如，所述第一温度与室温相对应，所述第二温度与100℃至150℃相对应。所述第二温度与通过热分解在所述基板10本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板清洗装置，其特征在于，包括：腔体，进行对基板的第一工艺并将以第一温度保持的第一区域包含在内侧上部，进行对所述基板的第二工艺，并将以比所述第一温度高的第二温度保持的第二区域包含在内侧下部；气体供应部，设置在所述腔体内部而向处于所述第一区域的所述基板供应工艺气体；基板加热部，设置在所述第二区域而将所述基板加热至所述第二温度；及顶升销，将所述基板在所述第一区域和第二区域之间移动。2.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于，所述第一工艺与所述基板表面的自然氧化膜和工艺气体发生反应而生成反应物的工艺相对应，所述第二工艺与去除所述基板表面的反应物的工艺相对应。3.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于，所述基板加...

【专利技术属性】
技术研发人员：李愚嗔，马熙铨，李洪宰，
申请(专利权)人：TES股份有限公司，
类型：发明
国别省市：