发光装置和包括其的电子设备制造方法及图纸

技术编号:34004884 阅读:10 留言:0更新日期:2022-07-02 13:06
提供了发光装置和包括发光装置的电子设备。发光装置包括:第一电极和第二电极,各自具有与另一个相对的表面;以及设置在第一电极和第二电极之间的夹层,其中夹层包括发射层和空穴传输区,空穴传输区置于第一电极和发射层之间。发射层包括第一发射层和第二发射层,第一发射层置于空穴传输区和第二发射层之间,其中第一发射层包括第一主体和第一发光材料,并且第二发射层包括第二主体和第二发光材料。第二主体为取代的蒽化合物,并且第一主体和第二主体彼此不同。第二主体的最低未占分子轨道(LUMO)能级小于第一主体的LUMO能级,并且第一主体的LUMO能级和第二主体的LUMO能级中的每一个都具有负值并使用密度泛函理论(DFT)方法确定。确定。确定。

【技术实现步骤摘要】
发光装置和包括其的电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年12月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10

2020

0186771号的权益和优先权,其公开内容通过引用以其整体并入本文。

技术介绍

[0003]一个或多个实施方式涉及发光装置和包括其的电子设备。


[0004]对包括具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异显示特性的发光装置的自发射装置有着强烈的需求。
[0005]在发光装置中,第一电极位于基板上,并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次位于第一电极上。从第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝向发射层移动,并且从第二电极提供的电子通过电子传输区朝向发射层移动。空穴和电子在发射层复合以产生激子。当激子从激发态跃迁到基态时,从发光装置中发射光。

技术实现思路

[0006]提供了具有高发光效率和长寿命的发光装置和包括发光装置的电子设备。
[0007]另外的方面将部分地在以下的描述中阐述,并且部分地将从描述中显而易见,或可以由普通技术人员通过实践本公开所呈现的实施方式来了解。
[0008]根据一方面,提供了发光装置,包括:
[0009]第一电极和第二电极,各自具有与另一个相对的表面,以及
[0010]设置在第一电极和第二电极之间的夹层,
[0011]夹层包括发射层和空穴传输区,空穴传输区设置在第一电极和发射层之间,/>[0012]其中发射层包括第一发射层和第二发射层,第一发射层设置在空穴传输区和第二发射层之间,
[0013]其中第一发射层包括第一主体和第一发光材料,并且第二发射层包括第二主体和第二发光材料,
[0014]其中第二主体为取代的蒽化合物,并且第一主体和第二主体彼此不同,
[0015]其中第二主体的最低未占分子轨道(LUMO)能级小于第一主体的LUMO能级,并且
[0016]第一主体的LUMO能级和第二主体的LUMO能级中的每一个都具有通过使用密度泛函理论(DFT)方法确定的负值。
[0017]根据另一方面,提供了包括发光装置的电子设备。
附图说明
[0018]本公开的某些实施方式的上述和其他方面、特征和优势将从结合所附附图的下述描述中更显而易见,在附图中:
[0019]图1为根据实施方式的发光装置的结构的示意图;
[0020]图2为根据另一实施方式的发光装置的结构的示意图;
[0021]图3为根据实施方式的电子俘获(electron scavenger)材料、第一主体、第二主体和空穴阻挡材料的最高占据分子轨道(HOMO)能级和最低未占分子轨道(LUMO)能级的图;
[0022]图4为根据另一实施方式的电子俘获材料、第一主体、第二主体和空穴阻挡材料的最高占据分子轨道(HOMO)能级和最低未占分子轨道(LUMO)能级的图;
[0023]图5为根据另一实施方式的电子俘获层、第一发射层、第二发射层和空穴阻挡层的HOMO能级和LUMO能级的图;
[0024]图6为根据实施方式的电子设备的结构的示意图;
[0025]图7为根据另一实施方式的电子设备的结构的示意图;并且
[0026]图8为实施例1的有机发光装置和比较例1的有机发光装置中的每一个的亮度

发光效率图。
具体实施方式
[0027]现将详细地参考实施方式,其示例阐释在所附附图中,其中相同的附图标记遍及本文指相同的元件。就此而言,本实施方式可具有不同的形式并且不应解释为限于本文阐述的描述。相反,提供这些实施方式以便本公开将是透彻的和完整的,并且将向本领域技术人员充分传达本专利技术的范围。
[0028]因此,以下通过参考图仅描述实施方式,以解释本描述的各方面。如本文使用的,术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。遍及本公开,表达“a、b和c中的至少一个”指示仅a,仅b,仅c,a和b二者,a和c二者,b和c二者,所有的a、b和c,或其变化。
[0029]应理解,当元件被称为在另一个元件“上”时,它可以直接在另一个元件上,或者它们之间可以存在居间元件。相反,当元件被称为“直接”在另一个元件“上”时,不存在居间元件。
[0030]将理解,尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文用于描述各种元件、组件、区、层和/或部分,但这些元件、组件、区、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件、组件、区、层或部分与另一个元件、组件、区、层或部分。因此,在不脱离本文教导的情况下,以下讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区”、“第一层”或“第一部分”可被称为第二元件、第二组件、第二区、第二元层或第二部分。
[0031]如本文使用的,单数形式“一个(a)”、“一种(an)”和“所述”旨在包括复数形式,包括“至少一个”,除非上下文另外清楚地指示。“至少一个”不应被解释为限制“一个”或“一种”。“或”意指“和/或”。将进一步理解,术语“包含(comprises)”和/或“包含(comprising)”或“包括(includes)”和/或“包括(including)”在本说明书中使用时,指定所陈述的特征、区、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在,但不排除一个或多个其他特征、区、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。
[0032]如本文使用的“约”或“近似”包括陈述值并且意指在如本领域普通技术人员考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即测量系统的限制)而确定的特定值的可接受偏差范围内。例如,“约”可以意指在陈述值的一个或多个标准偏差内,或在陈述值的
±
10%内。
[0033]除非另外限定,否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科技术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。将进一步理解,术语,比如常用词典中限定的那些,应被解释为具有与它们在相关领域和本公开的语境中的含义一致的含义,并且将不以理想化或过于正式的意义来解释,除非本文明确如此限定。
[0034]参考作为理想化的实施方式的示意性图示的截面图示,本文描述了示例性实施方式。这样,应预期由例如制造技术和/或公差造成的图示的形状的变化。因此,本文描述的实施方式不应解释为限于本文图示的区的特定形状,而是包括由于例如制造造成的形状的偏差。例如,图示或描述为平坦的区通常可以具有粗糙和/或非线性特征。此外,图示的尖角可以是圆的。因此,图中图示出的区本质上是示意性的,并且它们的形状不旨在图示出区的精确形状,并且不旨在限制本权利要求的范围。
[0035]功函数(费米能)、HOMO能级或LUMO能级的值表示为真空水平的绝对值。另外,当功函数(费米能)、HOMO能级或LUMO能级被称为“深”、“高”或“大”时,基于真空水平的“0eV”,绝对值大,而当功函数(费米能)、HOMO本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置,包括:第一电极和第二电极,各自具有与另一个相对的表面;以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的夹层,所述夹层包括发射层和空穴传输区,所述空穴传输区设置在所述第一电极和所述发射层之间,其中所述发射层包括第一发射层和第二发射层,所述第一发射层设置在所述空穴传输区和所述第二发射层之间,其中所述第一发射层包括第一主体和第一发光材料,并且所述第二发射层包括第二主体和第二发光材料,其中所述第二主体为取代的蒽化合物,并且所述第一主体和所述第二主体彼此不同,其中所述第二主体的最低未占分子轨道能级小于所述第一主体的最低未占分子轨道能级,并且所述第一主体的所述最低未占分子轨道能级和所述第二主体的所述最低未占分子轨道能级中的每一个都具有使用密度泛函理论方法评估的负值。2.如权利要求1所述的发光装置,其中所述第二主体的所述最低未占分子轨道能级和所述第一主体的所述最低未占分子轨道能级之间的差的绝对值为0.3eV或更小。3.如权利要求1所述的发光装置,其中所述第二主体的所述最低未占分子轨道能级和所述第一主体的所述最低未占分子轨道能级之间的差的绝对值为0.1eV至0.3eV。4.如权利要求1所述的发光装置,其中所述第一主体为取代的蒽化合物。5.如权利要求1所述的发光装置,其中所述第一主体为包括至少一个A1基团的取代的蒽化合物,并且所述至少一个A1基团独立地为:i)包括至少一个第一基团、至少一个第二基团和至少一个第三基团的稠合环状基团作为稠环基团(A1

i),ii)包括至少一个第一基团和至少一个第三基团的稠合环状基团作为稠环基团(A1

ii),iii)包括两个或更多个第三基团的稠合环状基团作为稠环基团(A1

iii),或iv)第三基团,其中所述第一基团为呋喃基、噻吩基或环戊二烯基,所述第二基团为吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基或三嗪基,并且所述第三基团为苯基。6.如权利要求5所述的发光装置,其中所述至少一个A1基团中的每一个为苯并呋喃并喹啉基、苯并呋喃并异喹啉基、二苯并呋喃基、茚并二苯并呋喃基、萘并苯并呋喃基、萘基、菲基、芘基、1,2

苯并菲基或苝基。7.如权利要求1所述的发光装置,其中所述第二主体为包括至少一个A2基团的取代的蒽化合物,并且所述至少一个A2基团独立地为:i)包括至少一个第一基团和至少一个第三基团的稠合环状基团作为稠环基团(A2

i),ii)第四基团,
iii)包括至少一个第三基团和至少一个第四基团的稠合环状基团作为稠环基团(A2

iii),或iv)包括至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员:崔善美姜宣宇
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1