存储器及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种存储器及其制作方法，涉及存储设备技术领域，用于解决存储器的存储密度低的技术问题。该存储器的制作方法包括：提供基底，基底包括相连的中心区和边缘区，边缘区中形成有与基底中的字线结构电连接的第一接触结构；于边缘区上形成与第一接触结构电连接的第二接触结构；于中心区上形成与字线结构电连接的电容结构；于第二接触结构上形成与第二接触结构电连接的第三接触结构；于电容结构和第三接触结构上形成与字线结构电连接的晶体管结构，晶体管结构在基底上的正投影与电容结构和第三接触结构在基底上的正投影至少部分重合，以增加设置电容结构的范围，使电容结构中可以形成更多的电容器，进而提高存储器的存储密度。储密度。储密度。

【技术实现步骤摘要】
存储器及其制作方法


[0001]本专利技术实施例涉及存储设备
，尤其涉及一种存储器及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术和存储技术不断发展，电子设备不断向小型化、集成化方向发展，动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)因其具有较高的存储密度以及较快的读写速度被广泛地应用在各种电子设备中。
[0003]动态随机存储器通常包括存储阵列区和沿存储阵列区周围设置的外围电路区。存储阵列区中设置有阵列排布的多个电容器，外围电路区中设置有用于控制电容器的晶体管以及用于与晶体管电连接的接触线。动态随机存储器的存储密度主要取决于电容器的密度，现有技术中，外围电路区占据一定空间，限制设置存储阵列区的范围，动态随机存储器的存储密度低。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术实施例提供一种存储器及其制作方法，以解决动态随机存储器的存储密度低的技术问题。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术实施例提供如下技术方案：
[0006]第一方面，本专利技术实施例提供了一种存储器的制作方法，包括：提供基底，所述基底包括中心区，以及与所述中心区连接的边缘区，所述边缘区中形成有第一接触结构，所述第一接触结构与所述基底中的字线结构电连接；于所述边缘区上形成第二接触结构，所述第二接触结构与所述第一接触结构电连接；于所述中心区上形成电容结构，所述电容结构与所述字线结构电连接；于所述第二接触结构上形成第三接触结构，所述第三接触结构与所述第二接触结构电连接；于所述电容结构和所述第三接触结构上形成晶体管结构，所述晶体管结构与所述第三接触结构电连接，且所述晶体管结构在所述基底上的正投影与所述电容结构和所述第三接触结构在所述基底上的正投影至少部分重合。
[0007]本专利技术实施例提供的存储器的制作方法具有如下优点：
[0008]本专利技术实施例提供的存储器的制作方法中，基底包括邻接的边缘区和中心区，边缘区中形成与基底中的字线结构电连接的第一接触结构，边缘区上形成与第一接触结构电连接的第二接触结构，第二接触结构上形成与第二接触结构电连接的第三接触结构，中心区上形成与字线结构电连接的电容结构，电容结构和第三接触结构上形成与字线结构电连的晶体管结构。晶体管结构通过第三接触结构、第二接触结构、第一接触结构、字线结构与电容结构电连接，从而使得晶体管结构可以通过字线结构控制电容结构读入或者输出数据。同时，由于且晶体管结构在基底上的正投影与电容结构和第三接触结构在基底上的正投影至少部分重合，使得晶体管结构至少部分位于电容结构和第三接触结构的正上方区域，相较于相关技术中晶体管结构位于电容结构的旁侧，本专利技术实施例中无需在电容结构的旁侧设置晶体管结构，可以增加设置电容结构的范围，以提高电容结构中的电容器的数
量，进而可以提高存储器的存储密度。
[0009]如上所述的存储器的制作方法，于所述边缘区上形成第二接触结构之前，所述制作方法还包括：于所述基底上形成具有孔洞结构的掩膜层；于所述孔洞结构的内表面和底部形成下电极层。
[0010]如上所述的存储器的制作方法，所述孔洞结构包括第一孔洞结构和第二孔洞结构，所述第一孔洞结构位于所述中心区上，所述第二孔洞结构位于所述边缘区上；其中，所述第二孔洞结构暴露所述第一接触结构。
[0011]如上所述的存储器的制作方法，所述下电极层包括第一下电极层和第二下电极层，所述第一下电极层设置于所述第一孔洞结构内，所述第二下电极层设置于所述第二孔洞结构内。
[0012]如上所述的存储器的制作方法，所述基底中还包括间隔设置的位线结构和电容接触结构，所述第一孔洞结构暴露所述电容接触结构，且所述电容接触结构的一端与所述字线结构电连接，另一端与所述电容结构连接。
[0013]如上所述的存储器的制作方法，于所述边缘区上形成第二接触结构的步骤包括：于所述中心区上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层覆盖所述第一孔洞结构和部分所述掩膜层；于所述第二孔洞结构内形成第一导电层，所述第一导电层和所述第二下电极层构成所述第二接触结构；去除所述第一光刻胶层。
[0014]如上所述的存储器的制作方法，于所述基底上形成具有孔洞结构的掩膜层的步骤包括：于所述基底上层叠设置初始第一绝缘层、初始第一支撑层、初始第二绝缘层和初始第二支撑层；刻蚀去除部分所述初始第一绝缘层、部分初始第一支撑层、部分初始第二绝缘层和部分初始第二支撑层，形成具有孔洞结构的第一绝缘层、具有孔洞结构的第一支撑层、具有孔洞结构的第二绝缘层和具有孔洞结构的第二支撑层；所述第一绝缘层、所述第一支撑层、所述第二绝缘层和所述第二支撑层构成所述掩膜层。
[0015]如上所述的存储器的制作方法，于所述中心区上形成电容结构的步骤包括：去除所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，形成空洞结构；于所述下电极层表面形成介电层；于所述介电层表面形成上电极层；于所述上电极层表面形成第二导电层，所述第二导电层填充满所述空洞结构并覆盖于所述上电极层；位于所述中心区上的所述下电极层、所述介电层、所述上电极层和所述第二导电层构成所述电容结构。
[0016]如上所述的存储器的制作方法，于所述第二接触结构上形成第三接触结构的步骤包括：去除与所述边缘区相对的部分所述介电层、部分所述上电极层和部分所述第二导电层，以暴露所述第二接触结构；于所述电容结构和所述第二接触结构上形成第三绝缘层；去除部分所述第三绝缘层，形成第三孔洞结构，所述第三孔洞结构暴露所述第二接触结构；于所述第三孔洞结构内形成阻挡层和第三导电层，所述阻挡层和所述第三导电层构成所述第三接触结构。
[0017]如上所述的存储器的制作方法，于所述基底上形成晶体管结构的步骤包括：于所述第三绝缘层上依次沉积多晶硅层、氧化物层和栅极层，所述多晶硅层覆盖所述第三绝缘层和所述第三接触结构；去除部分所述氧化物层和部分所述栅极层，以暴露部分所述多晶硅层，保留下来的所述氧化物层形成栅极氧化层，保留下来的所述栅极层形成栅极结构；利用离子注入技术向所述多晶硅层中掺杂离子，以形成源极结构和漏极结构；于所述多晶硅
层上形成栅极保护层，所述源极结构、所述漏极结构、所述栅极氧化层、所述栅极结构和所述栅极保护层构成所述晶体管结构。
[0018]如上所述的存储器的制作方法，于所述电容结构和所述晶体管结构上形成间隔设置的第四接触结构、第五接触结构和第六接触结构，所述第四接触结构与所述电容结构电连接，所述第五接触结构和所述源极结构或所述漏极结构电连接，所述第六接触结构与所述栅极结构电连接。
[0019]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种存储器，包括基底，所述基底包括中心区，以及与所述中心区连接的边缘区，所述边缘区中形成有第一接触结构，所述第一接触结构与所述基底中的字线结构电连接；电容结构，所述电容结构设置于所述中心区上，且与所述字线结构电连接；第二接触结构，所述第二接触结构设置于所述边缘区上，且与所述第一接触结构电连接；第三接触结构，所述第三接触结构设置于所述第二接触结构上，且与所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括中心区，以及与所述中心区连接的边缘区，所述边缘区中形成有第一接触结构，所述第一接触结构与所述基底中的字线结构电连接；于所述边缘区上形成第二接触结构，所述第二接触结构与所述第一接触结构电连接；于所述中心区上形成电容结构，所述电容结构与所述字线结构电连接；于所述第二接触结构上形成第三接触结构，所述第三接触结构与所述第二接触结构电连接；于所述电容结构和所述第三接触结构上形成晶体管结构，所述晶体管结构与所述第三接触结构电连接，且所述晶体管结构在所述基底上的正投影与所述电容结构和所述第三接触结构在所述基底上的正投影至少部分重合。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，于所述边缘区上形成第二接触结构之前，所述制作方法还包括：于所述基底上形成具有孔洞结构的掩膜层；于所述孔洞结构的内表面和底部形成下电极层。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述孔洞结构包括第一孔洞结构和第二孔洞结构，所述第一孔洞结构位于所述中心区上，所述第二孔洞结构位于所述边缘区上；其中，所述第二孔洞结构暴露所述第一接触结构。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述下电极层包括第一下电极层和第二下电极层，所述第一下电极层设置于所述第一孔洞结构内，所述第二下电极层设置于所述第二孔洞结构内。5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述基底中还包括间隔设置的位线结构和电容接触结构，所述第一孔洞结构暴露所述电容接触结构，且所述电容接触结构的一端与所述字线结构电连接，另一端与所述电容结构连接。6.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，于所述边缘区上形成第二接触结构的步骤包括：于所述中心区上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层覆盖所述第一孔洞结构和部分所述掩膜层；于所述第二孔洞结构内形成第一导电层，所述第一导电层和所述第二下电极层构成所述第二接触结构；去除所述第一光刻胶层。7.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，于所述基底上形成具有孔洞结构的掩膜层的步骤包括：于所述基底上层叠设置初始第一绝缘层、初始第一支撑层、初始第二绝缘层和初始第二支撑层；刻蚀去除部分所述初始第一绝缘层、部分初始第一支撑层、部分初始第二绝缘层和部分初始第二支撑层，形成具有孔洞结构的第一绝缘层、具有孔洞结构的第一支撑层、具有孔洞结构的第二绝缘层和具有孔洞结构的第二支撑层；所述第一绝缘层、所述第一支撑层、所述第二绝缘层和所述第二支撑层构成所述掩膜层。8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，于所述中心区上形成电容结构的步骤
包括：去除所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，形成空洞结构；于所述下电极层表面形成介电层；于所述介电层表面形成上电极层；于所述上电极层表面形成第二导电层，所述第二导电层填充满所述空洞结构并覆盖于所述上电极层；位于所述中心区上的所述下电极层、所述介电层、所述上电极层和所述第二导电层构成所述电容结构。9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：占康澍，夏军，宛强，刘涛，李森，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：