振荡器制造技术

技术编号:3399386 阅读:199 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种振荡器,其包括:晶体管,具有用于接收电源电压的集电极;第一电容器,其连接在所述晶体管的基极和发射极之间;第二电容器,其连接在所述第一电容器和地之间;电阻器,其连接在所述晶体管的集电极和基极之间;第一电感器,其耦接在晶体管的基极和地之间;以及第二电感器,其耦接在所述晶体管的发射极与所述第一电感器或地之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及振荡器,更具体地,涉及一种适于射频(RF)电路的振荡器。
技术介绍
传统上使用多种类型的振荡器,例如用于调频调谐器的本机振荡器、晶体振荡器和压控振荡器。已知的LC振荡器有Colpittz振荡器和Hartley振荡器。LC振荡器采用一种通过组合电感器L和电容器C而形成的谐振电路。LC谐振电路能够产生宽频率范围的振荡信号。通常,在振荡器的LC振荡电路之后设置缓冲电路以使振荡稳定。近来,由于电子设备的小型化使得在研制小型化振荡器方面的活动增多。然而,包括振荡电路和缓冲电路的振荡器已达到小型化的极限。图1是传统Colpittz振荡电路的电路图。Colpittz振荡器电路由晶体管TR、反馈用电容器C1和C2、电阻器R1、R2和R3以及电感器L组成。通过端子P1将电源电压施加给振荡器。电阻器R1和R2的串联电路连接在端子P1和地之间,并产生施加给晶体管TR的基极的直流偏压。发射极由用作为发射极偏压电阻器的电阻器R3进行偏压。在Colpittz振荡电路之后设置缓冲电路(未示出)。更具体地,将缓冲电路连接到晶体管TR的发射极。要求在不降低电特性的情况下实现振荡器的小型化。
技术实现思路
本专利技术的总的目的是提供一种小型化的振荡器,其具有新的电路结构而不降低电特性。可以通过一种振荡器来实现本专利技术的这一目的,该振荡器包括晶体管,具有用于接收电源电压的集电极;第一电容器,连接在晶体管的基极和发射极之间;第二电容器,连接在第一电容器和地之间;电阻器,其连接在晶体管的集电极和基极之间;第一电感器,耦接在晶体管的基极和地之间;以及第二电感器,耦接在晶体管的发射极与第一电感器或地之间。附图说明当结合附图阅读下面的详细描述时,本专利技术的其它目的、特征和优点将变得更加明了,其中在所有附图中,相同的附图标记表示相同的元件,在附图中图1是传统Colpittz振荡器的电路图;图2是根据本专利技术第一实施例的振荡器的电路图;图3是根据本专利技术第二实施例的振荡器的电路图;图4是根据本专利技术第三实施例的振荡器的电路图;图5是根据本专利技术第四实施例的振荡器的电路图;图6是根据本专利技术的第五实施例的振荡器的电路图;图7是根据本专利技术的第六实施例的振荡器的电路图;图8示意性地示出了用于实现这些实施例的振荡器的基板的横截面;图9示意性地示出了形成在本专利技术的第一至第八实施例的振荡器的谐振电路中采用的电感器的微带状线(micro stripline);图10是图3所示振荡器的变型的电路图;图11是图4所示振荡器的变型的电路图;图12是图5所示振荡器的变型的电路图;图13是根据本专利技术第七实施例的振荡器的电路图;图14是图13所示振荡器的变型的电路图;图15是根据本专利技术第八实施例的振荡器的电路图;图16是图15所示振荡器的变型的电路图;图17是图3所示振荡器的变型的电路图;以及图18是图10所示振荡器的变型的电路图。具体实施例方式现将描述本专利技术的实施例。第一实施例图2是根据本专利技术第一实施例的振荡器的电路图。图2所示振荡器是Colpittz振荡器的变型,其构造如下。用于反馈的晶体管TR的集电极接收通过电源端子P1施加的电源电压。第一电容器C1连接在晶体管TR的基极和发射极之间。第二电容器C2连接在第一电容器C1和地之间。电阻器R1连接在晶体管TR的集电极和基极之间。谐振电路的第一电感器L1连接在晶体管TR的基极和地之间。第二电感器L2连接在晶体管TR的发射极和第一电感器L1之间。应该注意,图2中所示的电路结构没有图1中所示的连接在晶体管TR的基极和地之间的偏压电阻器R2以及连接在发射极和地之间的偏压电阻器R3。因此,简化了第一实施例的偏压电路。对比图1和2可以看出,图2中所示的电路由比图1中所示电路数量更少的元件组成。因此,可以实现小型化的振荡器。晶体管TR的发射极通过电感器L2接地,电感器L2的一端连接到发射极,而另一端连接到电感器L1的中间节点。电感器L2允许直流电流流过而阻挡高频分量。因此,电感器L2类似于扼流线圈一样工作。电感器L2的另一端可以直接接地,而不使用电感器L1。专利技术人已证实图2中所示的电路结构可以产生振荡。图2中所示的元件可以安装在公共基板或芯片上,可以对该公共基板或芯片进行封装。稍后将详细描述这种结构。第二实施例图3是根据本专利技术第二实施例的振荡器的电路。该振荡器包括振荡电路30、匹配电路41、缓冲电路42和阻抗调节电路43。振荡电路30产生振荡信号,通过匹配电路41、缓冲电路42和阻抗调节电路43将该振荡信号施加给输出端子44。匹配电路41将振荡电路30与缓冲电路42隔直(DC-isolate)。当振荡信号具有高达几GHz的频率时,优选地采用匹配电路41。缓冲电路42放大该振荡信号。阻抗调节电路43在振荡器和连接到输出端子44的外部电路之间建立阻抗匹配。振荡电路30包括谐振电路31和具有振荡晶体管32的驱动电路。谐振电路31产生谐振信号。振荡晶体管32将谐振信号反馈给谐振电路31以驱动谐振电路31。谐振电路31是LC谐振电路。更具体地,谐振电路31由二极管D、电容器C3、C6和C7以及电感器33组成。二极管D可以是可变电容二极管。可以通过控制端子36和电感器34将控制信号外部地施加给二极管D的阴极,电感器34是扼流线圈。将二极管D的阳极接地。控制信号改变二极管D的电容,从而改变了谐振电路31的谐振频率。施加给控制端子36的交流电分量通过旁路电容器C5而流向地。二极管D的阴极通过电容器C6和C7接地。电感器33的一端通过电容器C6耦接到二极管D的阴极,而电感器33的另一端接地。电感器33与电容器C7并联连接。谐振频率主要取决于二极管D、电容器C6和C7以及电感器33。在电感器33和晶体管32的基极之间连接有电容器C3,用于调节阻抗。电容器C1和C2的串联节点与振荡电路30的输出端子37相连。输出端子37直接连接到晶体管32的发射极。根据匹配电路41、缓冲电路42和阻抗调节电路43将来自输出端子37的振荡信号施加给振荡器的输出端子44。基极电压由直流电路中连接在电源端子38和地之间的电阻器R1来限定。将电源电压施加给电源端子38。Colpittz振荡器包括晶体管32以及电容器C1和C2。电容器C1连接在晶体管32的基极和发射极之间。电容器C2连接在晶体管32的发射极和地之间。与图1中所示的电感器L2相对应的电感器35连接在晶体管32的发射极和电感器33的中间节点之间。在直流电路中,晶体管32的发射极通过电感器35和部分电感器33接地。将旁路电容器C8连接在晶体管32的集电极和地之间。将晶体管32的集电极连接到电源端子38。在操作时,将由谐振电路31产生的谐振信号施加给晶体管32的基极。然后,通过电感器35将发射极输出反馈给谐振电路31。通过输出端子37输出振荡信号(其可以是施加给控制端子36的控制信号)。由于振荡电路30由较少数量的元件组成,所以可以使该振荡器小型化。图10示出了图3中所示电路结构的变型。图10中所示的电感器35没有连接到电感器33而是接地。图10中所示电路的其它部分与图3中所示电路的相同。图10中所示的电路以与图3中所示电路相同的方式工作。第三实施例图4是根据本专利技术第三实施例的振荡器的电路图。输出端子37与电感器33本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种振荡器,其包括:晶体管,具有用于接收电源电压的集电极;第一电容器,连接在所述晶体管的基极和发射极之间;第二电容器,连接在所述第一电容器和地之间;电阻器,连接在所述晶体管的集电极和基极之间;第一电感 器,耦接在所述晶体管的基极和地之间;以及第二电感器,耦接在所述晶体管的发射极与所述第一电感器或地之间。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:松尾信昭亚历杭德罗皮埃尔
申请(专利权)人:富士通媒体部品株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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