压控振荡器制造技术

一种压控振荡器包括：　　　　放大器，它包括反相器和反馈电阻器；　　　　压电振子，它连接到所述放大器的输入和输出端子；　　　　可变电容元件，它包括可变电容器与第一和第二ＤＣ截断电容器，其中，第一和第二ＤＣ截断电容器的一端分别连接到所述压电振子的两端子，并且第一和第二ＤＣ截断电容器作为在压电振子的端子之间的负荷电容，　　　　其中，所述可变电容器包括：　　　　第一和第二ＭＯＳ晶体管，其中，漏极端子连接到第一和第二ＤＣ截断电容器的另一端，源极和后栅极端子彼此短路，并且短接栅极端子；　　　　第一和第二高频消除电阻器，其中，其一端连接到第一和第二ＭＯＳ晶体管的源极－后栅极端子的每个；以及，　　　　第三和第四高频消除电阻器，其中，其一端分别连接到第一和第二ＭＯＳ晶体管的漏极端子的每个，另一端彼此连接，并且　　　　　通过第一控制信号和第二控制信号来控制振荡频率，所述第一控制信号是由在第一ＭＯＳ晶体管的漏极和栅极端子之间产生的静态电容和在第二ＭＯＳ晶体管的漏极和栅极端子之间产生的静态电容形成的，并且当振荡电压被施加到第一和第二ＭＯＳ晶体管的漏极端子时被输入到连接到第一和第二ＭＯＳ晶体管的栅极端子，并且　　　　所述第二控制信号分别通过第三和第四高频消除电阻器而被输入到第一和第二ＭＯＳ晶体管的每个漏极端子，并且分别通过第一和第二高频消除电阻器而被输入到第一和第二ＭＯＳ晶体管的源极－后栅极端子。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：松浦润一，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：