一种低信号泄露的高频连接器制造技术

本发明专利技术公开了一种低信号泄露的高频连接器，具有外部端子，其与所述同轴电缆的外导体电性连接；绝缘本体，其固定于所述外部端子；内部端子，与所述内导体电性连接并固定于所述绝缘本体；电构件，其以一定的绝缘间隔包覆于所述内导体的外部并可电性连接于所述外部端子上；所述外部端子具备支承部、圆筒部以及设有第一、第二接合部的铆接卡合部；所述导电构件的一端至少延伸至在所述同轴电缆的轴向上覆盖所述外导体的位置，其另一端至少延伸至在所述同轴电缆的轴向上可被所述第一接合部卡合形成电性连接的位置。与现有技术相比，能对整个内导体的前端部屏蔽，屏蔽效果好，防止信号泄露。泄露。泄露。

【技术实现步骤摘要】
一种低信号泄露的高频连接器


[0001]本专利技术涉及电连接器
，尤其涉及一种低信号泄露的高频连接器。

技术介绍

[0002]常规的高频连接器，例如，现有技术1(公开号为CN110416839)，包括外部端子120、绝缘本体140和内部端子160，外部端子120和同轴电缆的外导体201固定地电性连接，内部端子160与同轴电缆的内导体203的前端部固定地电性连接。但此技术方案中，所述外部端子120和同轴电缆的外导体201没有完全覆盖内部端子160和内导体203形成的信号通路,存在诸如以下的电气间隙，导致信号屏蔽效果不理想，而且，频率越高，对外辐射的抑制效果越差，尤其对5G毫米波应用来说，这种弊病越专利技术显：
[0003]1)壳体(或称外部端子)120的卡合固定到绝缘本体140上的扣合部124与卡合到外导体201的线夹部125之间的区域外露、无屏蔽；
[0004]2)壳体(或称外部端子)120的卡合固定到绝缘本体140上的扣合部124与接合部121之间的区域外露、无屏蔽；
[0005]3)壳体(或称外部端子)120的圆周内壁上设有卡合固定绝缘本体140的多个缺口121a，导致此处周围也会存在信号泄露问题。
[0006]基于以上的不足，有必要克服上述不足研制一种低信号泄露的、屏蔽效果优良的高频连接器。

技术实现思路

[0007]为了实现上述目的，本专利技术采取的技术方案是：一种低信号泄露的高频连接器，可与对方连接器配合连接，包括：同轴电缆，其具有内导体和在所述内导体周围同轴地配置的外导体；外部端子，其与所述同轴电缆的外导体电性连接；绝缘本体，其固定于所述外部端子；内部端子，与所述内导体电性连接并固定于所述绝缘本体；导电构件，其以一定的绝缘间隔包覆于所述内导体的外部并可电性连接于所述外部端子上；所述外部端子具备沿着所述同轴电缆与所述绝缘本体延伸并对上述两者进行支承地保持的支承部、从所述支承部的一端垂直地折弯延伸形成的圆筒部以及从所述支承部朝向所述同轴电缆铆接的铆接卡合部；所述铆接卡合部具有在所述内导体与所述内部端子连接部分的周围朝着所述绝缘本体和导电构件进行卡合的第一接合部和与所述外导体卡合形成电性连接的第二接合部；所述导电构件的一端至少延伸至在所述同轴电缆的轴向上覆盖所述外导体的位置，其另一端至少延伸至在所述同轴电缆的轴向上可被所述第一接合部卡合形成电性连接的位置。
[0008]优选地，所述导电构件的位于与所述内导体所在侧的方向相反的另一端在所述同轴电缆的轴向上延伸至与所述圆筒部形成重叠的位置。
[0009]优选地，所述导电构件与所述绝缘本体通过镶嵌成型工艺形成为一体。
[0010]优选地，所述绝缘本体具有基体部、从所述基体部延伸形成的凸伸部、由所述凸伸部的端面突出的台阶部；所述导电构件具有包围所述内导体与所述内部端子的连接部分周
围且其一端延伸至在所述同轴电缆的轴向上覆盖所述内导体的前端位置的盖状部，该盖状部的表面与所述台阶部的表面平齐地设置；所述导电构件还具有固强部，该固强部的一端通过一倾斜段与所述盖状部相连；所述固强部镶嵌于所述凸伸部内且其表面与所述凸伸部的表面平齐地设置。
[0011]优选地，所述导电构件为通过冲压工艺制成的截面为“Π”形的盖状结构，与所述外部端子的所述支承部盖合形成第一容置槽，所述内导体的前端被完全包覆在所述第一容置槽中。
[0012]优选地，所圆筒部的圆周内壁上通过刺破工艺形成有第一凸部，该第一凸部从所述圆筒部的内壁面凸出，与所述绝缘本体的基体部的侧缘上设有的第一凹槽相互卡合。
[0013]优选地，所述第一凸部为周围无破洞的凸起。
[0014]优选地，所述导电构件的在所述同轴电缆的轴向上延伸至与所述圆筒部形成重叠的位置上设有凸包部，用以与对方连接器插合时与其电性连接。
[0015]优选地，所述外部端子的圆筒部在沿着所述同轴电缆与所述绝缘本体延伸的两侧设有突出部，该突出部朝着所述导电构件进行卡合并形成第一接缝，所述导电构件的外表面至少设置一个电性连接到所述突出部的侧凸部。
[0016]优选地，所述第一接合部朝着所述绝缘本体和导电构件卡合到所述突出部上并形成第二接缝，该第二接缝与所述第一接缝处于彼此相对错开的位置。
[0017]根据本专利技术的结构，在满足制造工艺可实现的前提下最大程度地消除了上述提到的现有技术中可能存在的电气间隙，能够最大程度地有效抑制信号辐射问题，获得信号泄露低而实现屏蔽效果优良的抗EMI性能。
附图说明
[0018]图1为本专利技术实施例的一种低信号泄露的高频连接器的结构示意图；
[0019]图2为本专利技术实施例的一种低信号泄露的高频连接器的分解示意图；
[0020]图3为本专利技术实施例的对方连接器的结构示意图；
[0021]图4为本专利技术实施例的绝缘本体的结构示意图；
[0022]图5为本专利技术实施例的外部端子的结构示意图；
[0023]图6为本专利技术实施例的导电构件的结构示意图；
[0024]图7为本专利技术实施例的导电构件与绝缘本体镶嵌成型后的组合件的结构示意图；
[0025]图8为本专利技术实施例的示意第一接合部、导电构件与突出部之间组装关系的放大后的剖切示意图；
[0026]图9为本专利技术实施例的示意圆筒部的第一凸部和第一凹槽关系的放大后的剖切示意图。
[0027]图10为本专利技术实施例的一种低信号泄露的高频连接器与对方连接器的配合连接的结构示意图；
[0028]图11为本专利技术实施例的一种低信号泄露的高频连接器与对方连接器的组合状态的剖切示意图；
[0029]符号说明：
[0030]高频连接器00
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对方连接器01
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对插端子011
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对插外壳012
[0031]同轴电缆400
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内导体401
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外导体402
[0032]外部端子310
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绝缘本体320
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内部端子330
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导电构件340
[0033]支承部311
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第二接缝311a
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圆筒部312
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铆接卡合部313
[0034]第一接合部313a
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第二接合部313b
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突出部314
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基体部321
[0035]凸伸部322
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台阶部323
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第一凸部312a
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第一凹槽321a
[0036]第一接缝314a
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盖状部341
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固强部342
ꢀꢀ本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低信号泄露的高频连接器，可与对方连接器配合连接，其特征在于，包括：同轴电缆，其具有内导体和在所述内导体周围同轴地配置的外导体；外部端子，其与所述同轴电缆的外导体电性连接；绝缘本体，其固定于所述外部端子；内部端子，与所述内导体电性连接并固定于所述绝缘本体；导电构件，其以一定的绝缘间隔包覆于所述内导体的外部并可电性连接于所述外部端子上；所述外部端子具备沿着所述同轴电缆与所述绝缘本体延伸并对上述两者进行支承地保持的支承部、从所述支承部的一端垂直地折弯延伸形成的圆筒部以及从所述支承部朝向所述同轴电缆铆接的铆接卡合部；所述铆接卡合部具有在所述内导体与所述内部端子连接部分的周围朝着所述绝缘本体和导电构件进行卡合的第一接合部和与所述外导体卡合形成电性连接的第二接合部；所述导电构件的一端至少延伸至在所述同轴电缆的轴向上覆盖所述外导体的位置，其另一端至少延伸至在所述同轴电缆的轴向上可被所述第一接合部卡合形成电性连接的位置。2.如权利要求1所述的一种低信号泄露的高频连接器，其特征在于：所述导电构件的位于与所述内导体所在侧的方向相反的另一端在所述同轴电缆的轴向上延伸至与所述圆筒部形成重叠的位置。3.如权利要求1或2所述的一种低信号泄露的高频连接器，其特征在于：所述导电构件与所述绝缘本体通过镶嵌成型工艺形成为一体。4.如权利要求3所述的一种低信号泄露的高频连接器，其特征在于：所述绝缘本体具有基体部、从所述基体部延伸形成的凸伸部、由所述凸伸部的端面突出的台阶部；所述导电构件具有包围所述内导体与所述内部端子的连接部分周围且其一端延伸至在所述同轴电缆的轴向上覆盖...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖小林，彭哲，尹绪引，
申请(专利权)人：电连技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：