本实用新型专利技术公开了一种晶片抛光用上蜡治具，旨在防止晶片在上蜡固定时移位，其技术方案：一种晶片抛光用上蜡治具，包括本体，所述本体的一侧设有与外设基板适配的第一凹槽、相对的另一侧设有与外设晶片适配的第二凹槽，所述第一凹槽、第二凹槽相互导通；还提供了一种上蜡装置，属于晶片加工技术领域。属于晶片加工技术领域。属于晶片加工技术领域。
【技术实现步骤摘要】
一种晶片抛光用上蜡治具及上蜡装置
[0001]本技术属于晶片加工
，更具体而言，涉及一种晶片抛光用上蜡治具及上蜡装置。
技术介绍
[0002]晶片抛光，是晶片加工生产中的一环工序；如专利技术专利公开号CN113211306A公开的一种用于半导体晶片抛光的陶瓷载盘所示，晶片的抛光一般是通过将晶片固定在陶瓷载盘上，再将陶瓷载盘压在抛光台上，从而实现抛光工作；
[0003]在上述的陶瓷载盘中，晶片在抛光时，其是设置在凹槽内的，在晶片抛光完毕后，晶片比较难取出，若采用工具从晶片与凹槽之间的间隙处将晶片撬出，容易使晶片破损，影响晶片的生产质量；
[0004]其中，晶片是通过热熔蜡固定在凹槽内的。
[0005]在实际应用中，可以在凹槽处设置一基板，晶片先固定在基板上，再将基板固定在凹槽上，通过此种方式固定晶片，在晶片完成抛光后，可以直接将晶片从基板上取下，从而避免晶片质量的损害。
[0006]而将晶片通过热熔蜡固定在基板上时，晶片容易移位，晶片移位会影响后续的晶片抛光质量。
技术实现思路
[0007]本技术的主要目的在于提供一种晶片抛光用上蜡治具，旨在防止晶片在上蜡固定时移位；还提供了一种上蜡装置。
[0008]根据本技术的第一方面，提供了一种晶片抛光用上蜡治具，包括本体，所述本体的一侧设有与外设基板适配的第一凹槽、相对的另一侧设有与外设晶片适配的第二凹槽，所述第一凹槽、第二凹槽相互导通。
[0009]本技术一个特定的实施例中，所述第一凹槽的边缘设有溢蜡凹部。r/>[0010]本技术一个特定的实施例中，所述第一凹槽为方形，所述溢蜡凹部为设置在所述第一凹槽边角处的4个。
[0011]本技术一个特定的实施例中，所述本体上还设有用于容纳热熔蜡的容纳凹槽，所述容纳凹槽与所述第二凹槽位于本体的同一侧，所述容纳凹槽与所述第二凹槽的边缘导通。
[0012]本技术一个特定的实施例中，所述容纳凹槽的深度小于所述第二凹槽的深度。
[0013]本技术一个特定的实施例中，所述第二凹槽为方形，所述容纳凹槽为设置在所述第二凹边角处的4个。
[0014]本技术一个特定的实施例中，所述第一凹槽的深度小于外设基板的厚度；所述第二凹槽的深度大于外设晶片厚度的一半且小于外设晶片厚度的三分之二。
[0015]本技术一个特定的实施例中，所述第一凹槽的中心与所述第二凹槽的中心重合，所述第二凹槽向本体内延伸与所述第一凹槽导通；所述第一凹槽的开放侧的面积大于所述第二凹槽的开放侧的面积。
[0016]根据本技术的另一方面，提供了一种上蜡装置，包括加热平台、可升降的压头，还包括如上所述的晶片抛光用上蜡治具；所述上蜡治具用于组合外设基板、外设晶片；所述加热平台用于加热外设基板；所述压头用于将外设晶片压紧在外设基板上。
[0017]本技术一个特定的实施例中，所述压头由软质材料制成；所述压头的下部为球缺状结构。
[0018]本技术上述技术方案中的一个技术方案至少具有如下优点或有益效果之一：
[0019]在实际应用中，第一凹槽对外设基板进行限位，第二凹槽对外设晶片进行限位，使得外设晶片在通过热熔蜡固定在外设基板上时不会相对于基板移动，从而保证了每一片晶片上蜡后在对应基板上的位置都是相同的，有利于后续晶片的抛光加工。
附图说明
[0020]下面结合附图和实施例对本技术进一步地说明；
[0021]图1是本技术的实施例1的外设陶瓷盘使用时的分解图；
[0022]图2是本技术的实施例1的上蜡治具使用时的分解图；
[0023]图3是本技术的实施例1的上蜡治具的结构图；
[0024]图4是本技术的实施例1的上蜡治具的另一个结构图；
[0025]图5是本技术的实施例2的使用时的结构图。
具体实施方式
[0026]下面详细描述本技术的实施方式，实施方式的示例在附图中示出，其中相同或类似的标号自始至终表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
[0027]下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本技术的不同方案。
[0028]实施例1
[0029]在实际应用中，参考图1所示，外设陶瓷盘A上设有凹槽，先将外设晶片C通过热熔蜡的方式固定在外设基板B上，再将外设基板B固定在外设陶瓷盘A的凹槽上；
[0030]其中，将外设晶片C通过热熔蜡的方式固定在外设基板B上时，外设晶片C容易出现移位的现象，晶片移位会对后续抛光加工质量造成影响；
[0031]因此，参照图2至图4所示，本实施例提出一种可防止晶片在上蜡固定时移位的上蜡治具，包括本体1，所述本体1的一侧设有与外设基板B适配的第一凹槽11、相对的另一侧设有与外设晶片C适配的第二凹槽12，所述第一凹槽11、第二凹槽12相互导通。
[0032]外设晶片C上蜡固定在外设基板B上的过程为：先将外设基板B放置在外设加热平台上，再将本体1的第一凹槽11套设在外设基板B上，外设加热平台加热外设基板B，再将热熔蜡从第二凹槽12处滴入到外设基板B上，再将外设晶片C放入第二凹槽12内，再由外设压头将外设晶片C压紧在外设基板B上一段时间，使得热熔蜡均匀布置在外设基板B与外设晶
片C之间，再在热熔蜡未完全固化时，将初步固定的外设基板B、外设晶片C与所述本体1分离，当外设基板B和外设晶片C之间的热熔蜡完全冷却后即可完成外设基板B与外设晶片C的固定；
[0033]在本实施例中，第一凹槽11对外设基板B进行限位，第二凹槽12对外设晶片C进行限位，使得外设晶片C在通过热熔蜡固定在外设基板B上时不会相对于基板移动，从而保证了每一片晶片上蜡后在对应基板上的位置都是相同的，有利于后续晶片的抛光加工。
[0034]优选地，所述第一凹槽11的边缘设有溢蜡凹部a，多余的热熔蜡会从外设基板B与第一凹槽11之间的间隙溢出，溢蜡凹部a的设置使得溢出的热熔蜡有挤出空间，避免其大量堆积在外设基板B与第一凹槽11之间的间隙中，影响后续外设基板B的取出。
[0035]作为本实施例优选的具体实现，所述第一凹槽11为方形，所述溢蜡凹部a为设置在所述第一凹槽11边角处的4个，结构简单，溢蜡凹部a的设置提供抓取空间，方便上蜡后的外设基板B取出。
[0036]在实际应用中，多余的热熔蜡还会从外设晶片C与第二凹槽12之间的间隙溢出，优选地，所述本体1上还设有用于容纳热熔蜡的容纳凹槽b，所述容纳凹槽b与所述第二凹槽12位于本体1的同一侧，所述容纳凹槽b与所述第二凹槽12的边缘导通；
[0037]容纳凹槽b用于容纳从外设晶片C与第二凹槽12之间的间隙溢出的热熔蜡，其可以避免多余的热熔蜡溢出到外设晶片C的待抛光面上，有效地保证了后续晶片的抛光质量。
[0038]具体本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶片抛光用上蜡治具，包括本体(1)，其特征在于，所述本体(1)的一侧设有与外设基板(B)适配的第一凹槽(11)、相对的另一侧设有与外设晶片(C)适配的第二凹槽(12)，所述第一凹槽(11)、第二凹槽(12)相互导通。2.根据权利要求1所述的晶片抛光用上蜡治具，其特征在于，所述第一凹槽(11)的边缘设有溢蜡凹部(a)。3.根据权利要求2所述的晶片抛光用上蜡治具，其特征在于，所述第一凹槽(11)为方形，所述溢蜡凹部(a)为设置在所述第一凹槽(11)边角处的4个。4.根据权利要求1所述的晶片抛光用上蜡治具，其特征在于，所述本体(1)上还设有用于容纳热熔蜡的容纳凹槽(b)，所述容纳凹槽(b)与所述第二凹槽(12)位于本体(1)的同一侧，所述容纳凹槽(b)与所述第二凹槽(12)的边缘导通。5.根据权利要求4所述的晶片抛光用上蜡治具，其特征在于，所述容纳凹槽(b)的深度小于所述第二凹槽(12)的深度。6.根据权利要求4所述的晶片抛光用上蜡治具，其特征在于，所述第二凹槽(12)为方形，所述容纳凹槽(b)为设置在所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖彬，周铁军，曾琦，张昌文，
申请(专利权)人：广东先导微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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