薄膜沉积装置制造方法及图纸

本申请公开了一种薄膜沉积装置，包括：主体，主体内具有反应腔；所述主体包括相对设置的第一盖板和底板、以及位于所述第一盖板和所述底板之间的侧壁，所述第一盖板、底板和侧壁围成所述反应腔；喷淋板、载板、喷淋背板、第一加热板和第二加热板，均设于所述反应腔内；所述载板具有用于盛放待处理物的承载面，所述喷淋板与所述承载面相对且间隔设置，且所述喷淋板相对所述载板靠近所述第一盖板；所述喷淋背板位于所述第一盖板和所述喷淋板之间，且喷淋背板内设有加热部；第一加热板位于所述底板和所述载板之间，所述第二加热板位于所述喷淋板和所述载板的周侧与所述侧壁之间。本申请提供的薄膜沉积装置，能够在腔体较大的条件下，提高薄膜沉积均匀性。高薄膜沉积均匀性。高薄膜沉积均匀性。

【技术实现步骤摘要】
薄膜沉积装置


[0001]本申请涉及光伏生产
，特别是涉及一种薄膜沉积装置。

技术介绍

[0002]随着太阳能发电的普及，光伏产品的需求量越来越大，对制造光伏产品的设备要求越来越高。制造光伏产品的设备不仅要增加产能，而且硅片尺寸越来越大，对电池片效率要求也越来越高。
[0003]异质结电池片工艺理论效率达到28％以上，是目前理论效率最高的工艺路线，并且该工艺路线工序简单，只有4道工序，比目前主流的PERC(Passivated Emitter and Rear Cell，射极钝化及背电极)和TOPCON(Tunnel Oxide Passivated Contact，隧穿氧化层钝化接触)工艺路线减少5道以上工序，具有极好的发展前景。
[0004]异质结电池工艺流程的4道工序分别为制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、导电膜沉积、丝网印刷电极。其中非晶硅薄膜可以采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法)来进行沉积。
[0005]现有技术中，部分PECVD薄膜沉积设备为了提高产能，将腔体做大，但腔体扩大后，薄膜沉积均匀性下降。

技术实现思路

[0006]本申请主要解决的技术问题是提供一种薄膜沉积装置，能够在腔体较大的条件下，提高薄膜沉积均匀性。
[0007]为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种薄膜沉积装置，包括：
[0008]主体，所述主体内具有反应腔；所述主体包括相对设置的第一盖板和底板、以及位于所述第一盖板和所述底板之间的侧壁，所述第一盖板、底板和侧壁围成所述反应腔；
[0009]喷淋板、载板、喷淋背板、第一加热板和第二加热板，均设于所述反应腔内；所述载板具有用于盛放待处理物的承载面，所述喷淋板与所述承载面相对且间隔设置，且所述喷淋板相对所述载板靠近所述第一盖板；所述喷淋背板位于所述第一盖板和所述喷淋板之间，且所述喷淋背板内设有加热部；所述第一加热板位于所述底板和所述载板之间，所述第二加热板位于所述喷淋板和所述载板的周侧与所述侧壁之间。
[0010]进一步地，所述反应腔的边长至少为2米。
[0011]进一步地，所述喷淋背板和所述喷淋板围成第一腔体，且所述喷淋板设置有多个贯通的喷淋孔，所述喷淋孔与所述第一腔体连通；
[0012]其中，所述薄膜沉积装置还包括第一进气管，至少部分所述第一进气管位于所述主体外部，用于输送工艺气体，且所述第一进气管与所述第一腔体连通。
[0013]进一步地，所述第一加热板面对所述底板的一侧设有第一支撑板和顶升组件，所述第一支撑板和所述第一加热板固定连接；所述顶升组件能带动所述第一支撑板和所述第
一加热板靠近或者远离所述载板，且能带动所述载板靠近或者远离所述喷淋板。
[0014]进一步地，所述顶升组件与所述底板通过波纹管连接；所述顶升组件在所述底板背离所述第一加热板一侧的周侧设有水平调节组件，所述水平调节组件包括：
[0015]调节板，与所述顶升组件固定相连；
[0016]多个调节螺栓，设置于所述调节板上，多个所述调节螺栓关于所述顶升组件的中心轴线对称设置，所述调节螺栓一端抵设于所述底板，另一端与所述调节板相连且长度可调。
[0017]进一步地，所述载板周侧设有用于对工艺气体进行导流的导流板，所述导流板位于所述载板背离所述喷淋板的一侧；
[0018]和/或，所述喷淋板和所述喷淋背板的周侧设有绝缘板。
[0019]进一步地，所述底板上设有抽气口，所述薄膜沉积装置还包括：
[0020]真空泵；
[0021]抽气管道，一端与所述真空泵相连，另一端与所述抽气口相连。
[0022]进一步地，所述抽气口有两个，且两个所述抽气口关于所述反应腔的中心轴线对称设置。
[0023]进一步地，所述薄膜沉积装置还包括：
[0024]第二进气管，用于输送清洁气体；
[0025]远程等离子模块，与所述第二进气管的出口相连，用于形成氟离子；
[0026]第一出气管，一端与所述远程等离子模块的出口相连，另一端与所述第一腔体相连；所述第一出气管外套设有水冷套。
[0027]进一步地，所述第一盖板和所述喷淋背板之间具有间隙；所述薄膜沉积装置还包括：
[0028]第三进气管，用于输送惰性气体；
[0029]第二盖板，设于所述第一盖板朝向所述喷淋背板的一面，所述第二盖板与所述第一盖板形成吹扫腔，所述第三进气管的出口与所述吹扫腔相连；所述第二盖板设有吹扫孔，用于将所述吹扫腔和所述间隙连通。
[0030]进一步地，所述主体接地，所述第一加热板和所述底板通过接地条相连；所述喷淋背板和供电组件电连接，所述喷淋背板和所述喷淋板电连接。
[0031]进一步地，所述第一盖板背离所述喷淋板的一侧设有第三盖板，所述第一盖板和所述第三盖板之间设有加强筋；所述第三盖板上安装有所述供电组件和滤波器，所述滤波器和所述喷淋背板中的加热丝电连接；所述第一盖板和所述喷淋背板之间设有绝缘环。
[0032]区别于现有技术的情况，本申请的有益效果是：本申请实施方式提供的薄膜沉积装置，包括主体、喷淋板和载板。主体具有第一盖板、底板和侧壁，第一盖板、底板和侧壁围成的反应腔可以为大面积腔体，从而提高产能，降低成本。
[0033]通过在第一盖板和喷淋板之间设置喷淋背板，且喷淋背板内设有加热部，在底板和载板之间设置第一加热板，在喷淋板和载板的周侧与侧壁之间设置第二加热板，加热部、第一加热板和第二加热板可以保证反应腔内温度均匀分布，从而提高薄膜沉积均匀性。
附图说明
[0034]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
[0035]图1为本实施方式中所提供的一种薄膜沉积装置的结构示意图；
[0036]图2为本实施方式中所提供的一种水平调节组件的结构示意图。
[0037]附图标记说明：
[0038]1、第一盖板；2、底板；3、侧壁；4、反应腔；5、喷淋板；6、载板；7、喷淋背板；8、第一加热板；9、第二加热板；10、第一腔体；11、第一进气管；17、伸缩杆；19、调节板；20、调节螺栓；22、真空泵；23、抽气管道；24、尾排管道；46、绝缘环；49、第四盖板。
具体实施方式
[0039]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0040]需要说明的是，当元件被称为“设置于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜沉积装置，其特征在于，包括：主体，所述主体内具有反应腔；所述主体包括相对设置的第一盖板和底板、以及位于所述第一盖板和所述底板之间的侧壁，所述第一盖板、底板和侧壁围成所述反应腔；喷淋板、载板、喷淋背板、第一加热板和第二加热板，均设于所述反应腔内；所述载板具有用于盛放待处理物的承载面，所述喷淋板与所述承载面相对且间隔设置，且所述喷淋板相对所述载板靠近所述第一盖板；所述喷淋背板位于所述第一盖板和所述喷淋板之间，且所述喷淋背板内设有加热部；所述第一加热板位于所述底板和所述载板之间，所述第二加热板位于所述喷淋板和所述载板的周侧与所述侧壁之间。2.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述反应腔的边长至少为2米。3.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述喷淋背板和所述喷淋板围成第一腔体，且所述喷淋板设置有多个贯通的喷淋孔，所述喷淋孔与所述第一腔体连通；其中，所述薄膜沉积装置还包括第一进气管，至少部分所述第一进气管位于所述主体外部，用于输送工艺气体，且所述第一进气管与所述第一腔体连通。4.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述第一加热板面对所述底板的一侧设有第一支撑板和顶升组件，所述第一支撑板和所述第一加热板固定连接；所述顶升组件能带动所述第一支撑板和所述第一加热板靠近或者远离所述载板，且能带动所述载板靠近或者远离所述喷淋板。5.根据权利要求4所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述顶升组件与所述底板通过波纹管连接；所述顶升组件在所述底板背离所述第一加热板一侧的周侧设有水平调节组件，所述水平调节组件包括：调节板，与所述顶升组件固定相连；多个调节螺栓，设置于所述调节板上，多个所述调节螺栓关于所述顶升组件的中心轴线对称设置，所述调节螺栓一端抵设于所述底板，另一端与所述调节板相连...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱双双，陈昊，刘强，吴兴华，黎微明，张鹤，
申请(专利权)人：江苏微导纳米科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：