集成电路封装件制造技术

技术编号:33950314 阅读:15 留言:0更新日期:2022-06-29 22:17
本发明专利技术提供一种集成电路封装件,集成电路封装件包括包封部和引线框架。引线框架的一部分被布置在包封部内。引线框架包括具有第一内导电回路的第一导体,第一内导电回路被大体布置在包封部内。引线框架还包括与第一导体电流隔离的第二导体。第二导体包括第二外导电回路,第二外导电回路被大体布置在包封部内,靠近第一内导电回路且被磁耦合至第一内导电回路,以提供第一导体和第二导体之间的通信链路。路。路。

【技术实现步骤摘要】
集成电路封装件
[0001]本申请是申请日为2013年11月14日,申请号为201310566383.4,专利技术名称为“使用引线框架的磁耦合电流隔离式通信”的中国专利技术专利申请的分案申请(申请日为2013年11月14日,申请号为201810358727.5,专利技术名称为“集成电路封装件及其使用方法”)的分案申请。
[0002]相关申请
[0003]本申请涉及Kung等人于2012年11月14日提交的、名称为“Noise Cancellation For A Magnetically Coupled Communication Link Utilizing A Lead Frame(使用引线框架用于磁耦合通信链路的噪声消除)”的美国专利申请,该美国专利申请被转让给本申请的受让人。
[0004]本申请还涉及Balakrishnan等人于2012年11月14日提交的、名称为“Switch Mode Power Converters Using Magnetically Coupled Galvanically Isolated Lead Frame Communication(使用磁耦合电流隔离式引线框架通信的开关模式功率转换器)”的美国专利申请,该美国专利申请被转让给本申请的受让人。


[0005]本专利技术总体涉及要求电流隔离(galvanic isolation)的电路之间的通信。更具体地,本专利技术的实施例涉及开关模式功率转换器例如电源和功率逆变器中跨隔离势垒(isolation barrier)的通信。

技术介绍

[0006]开关模式功率转换器广泛用于需要经调节的直流(dc)源来供其运行的家用器具或工业器具,例如像在电子移动设备中普遍使用的电池充电器。离线ac

dc转换器将低频(例如,50Hz或60Hz)高压ac(交流)输入电压转换成所要求电平的dc输出电压。一些类型的开关模式功率转换器由于其良好的经调节的输出、高效率和小尺寸以及其安全和保护特征而普及。普及的开关模式功率转换器的拓扑包括反激式(flyback)、前向、升压、降压、半桥和全桥拓扑,以及包括谐振类型的许多其他拓扑。
[0007]除了输出处的电压电平变化,隔离式(isolated)开关模式功率转换器的安全需求还通常要求使用高频变压器以提供开关模式功率转换器的输入和输出之间的电流隔离。
[0008]开关模式功率转换器的市场中的一个主要挑战是,降低开关模式功率转换器的尺寸和成本,同时维持高性能运行规范。在已知的隔离式开关模式功率转换器中,对开关模式功率转换器的输出的感测以及对用于调节开关模式功率转换器输出参数(例如,电流或电压)的反馈信号的传送通常使用外部隔离部件(例如像光耦合器)来完成。这些已知方法为开关模式功率转换器增加了不想要的附加尺寸以及成本。此外,光耦合器运行缓慢,且在许多情形中,会限制开关模式功率转换器的反馈带宽和瞬态响应。

技术实现思路

[0009]根据本专利技术的一方面,提供一种集成电路封装件,该集成电路封装件包括:
[0010]一个包封部;以及
[0011]一个引线框架,所述引线框架的一部分被布置在所述包封部内,所述引线框架包括:
[0012]第一导体,具有第一导电回路,所述第一导电回路被大体布置在所述包封部内;
[0013]第二导体,与所述第一导体电流隔离,其中所述第二导体包括第二导电回路,所述第二导电回路被大体布置在所述包封部内,靠近所述第一导电回路且被磁耦合至所述第一导电回路,以提供所述第一导体和第二导体之间的通信链路。
[0014]根据本专利技术的另一方面,提供一种集成电路封装件,该集成电路封装件包括:
[0015]一个引线框架,所述引线框架包括:
[0016]第一导体,具有第一导电回路;
[0017]第二导体,与所述第一导体电流隔离,其中所述第二导体包括第二导电回路,所述第二导电回路靠近所述第一导电回路且被磁耦合至所述第一导电回路,以提供所述第一导体和第二导体之间的通信链路。
附图说明
[0018]参照下列附图描述本专利技术的非限制性和非穷举性的实施方案,其中在各个视图中,相同的参考数字指代相同的部分,除非另有规定。
[0019]图1A出于本公开内容的目的示出了发射和接收信号以传送数字或模拟信息的磁耦合导电回路的构思运行。
[0020]图1B示出了根据本公开内容的教导的适于双向运行的导电回路的另一构思实施例。
[0021]图2A示出了根据本专利技术的教导的具有电流隔离式磁耦合导电回路的集成电路封装件(integrated circuit package)的一个实施例的外部视图,所述电流隔离式磁耦合导电回路由所述集成电路封装件的包封部分(encapsulated portion)内部的引线框架的隔离导体形成。
[0022]图2B示出了根据本专利技术的教导的电流隔离式磁耦合导电回路的一个示例结构的内部视图,所述电流隔离式磁耦合导电回路由图2A的示例集成电路封装件内部的引线框架的隔离导体形成。
[0023]图2C示出了根据本专利技术的教导的具有电流隔离式磁耦合导电回路的集成电路封装件的一个实施例的外部视图,所述电流隔离式磁耦合导电回路由所述集成电路封装件的包封部分内部的引线框架的隔离导体形成。
[0024]图2D示出了根据本专利技术的教导的电流隔离式磁耦合导电回路的一个示例结构的内部视图,所述电流隔离式磁耦合导电回路由图2C的示例集成电路封装件内部的引线框架的隔离导体形成。
[0025]图3A示出了根据本专利技术的教导的具有磁耦合通信链路的集成电路封装件的一个实施例的外部视图,所述磁耦合通信链路由所述集成电路封装件的包封部分内部的引线框架的隔离导体形成。
[0026]图3B示出了根据本专利技术的教导的具有磁耦合通信链路的集成电路封装件的内部的引线框架的一个实施例的内部视图,所述磁耦合通信链路由所述集成电路封装件的包封部分内部的引线框架的隔离导体的磁耦合导电回路形成。
[0027]图3C示出了根据本专利技术的教导的多芯片(multi

die)隔离式控制器集成电路封装件的引线框架的一个实施例的内部视图,所述多芯片隔离式控制器集成电路封装件在控制器芯片之间具有磁耦合通信链路,所述链路由所述集成电路封装件的包封部分内部的引线框架的隔离导体的磁耦合导电回路形成。
[0028]图3D示出了根据本专利技术的教导的跨接键合线(jumper bond wire)的一个示例侧视图,所述跨接键合线被耦合至一个集成电路芯片和集成电路封装件内部的引线框架的隔离导体的一个导电回路。
[0029]图4A示出了根据本专利技术的教导的具有磁耦合通信链路的集成电路封装件的引线框架的一个实施例的内部视图的倾斜3D(三维)视图,所述磁耦合通信链路由所述集成电路封装件的包封部分内部的引线框架的隔离导体的磁耦合导电回路形成。
[0030]图4B示出了根据本专利技术的教导的多芯片隔离式控制器集成电路封装本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路封装件,包括:包封部;以及引线框架,所述引线框架的一部分被布置在所述包封部内,所述引线框架包括:第一导体(396、397),具有第一导电回路(102、105、152、155、211、215、255、260、335、337、435、437),所述第一导电回路被大体布置在所述包封部内;第二导体(396、397),与所述第一导体电流隔离,其中所述第二导体包括第二导电回路(102、105、152、155、211、215、255、260、335、337、435、437),所述第二导电回路被大体布置在所述包封部内,靠近所述第一导电回路且被磁耦合至所述第一导电回路,以提供所述第一导体和第二导体之间的通信链路;以及多个外部引脚(201、202、203、204、252、254、256、258、302、305、311),所述多个外部引脚从所述集成电路封装件的所述包封部延伸,其中,第一引脚通过所述引线框架被耦合至所述第一导电回路并且第二引脚通过所述引线框架被耦合至所述第二导电回路,使得所述引线框架提供至所述集成电路封装件的包装部分内的内部电路系统的电气连接性以及自所述集成电路封装件的包装部分内的内部电路系统的电气连接性。2.根据权利要求1所述的集成电路封装件,其中所述集成电路封装件是被配置成要在开关模式功率转换器中利用的多芯片隔离式控制器集成电路封装件。3.根据权利要求2所述的集成电路封装件,还包括:第一隔离的控制芯片(350、360),所述第一隔离的控制芯片被安装在所述第一导体上且被耦合至所述第一导体;以及第二隔离的控制芯片(350、360),所述第二隔离的控制芯片被安装在所述第二导体上且被耦合至所...

【专利技术属性】
技术研发人员:B
申请(专利权)人:电力集成公司
类型:发明
国别省市:

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