【技术实现步骤摘要】
杂环化合物、包括杂环化合物的有机发光器件、和包括有机发光器件的电子设备
[0001]对相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年12月25日在日本专利局提交的日本专利申请No.2020
‑
216562和2021年4月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
‑
2021
‑
0053758的优先权,将其公开内容全部通过引用引入本文中。
[0003]本公开内容涉及杂环化合物、包括所述杂环化合物的有机发光器件、和包括所述有机发光器件的电子设备。
技术介绍
[0004]有机发光器件(OLED)是与常规的器件相比具有宽的视角、高的对比度、短的响应时间以及优异的亮度、驱动电压和响应速度特性,并且产生全色图像的自发射器件。
[0005]OLED包括阳极、阴极、以及在阳极和阴极之间并且包括发射层的有机层。空穴传输区域可在阳极和发射层之间,和电子传输区域可在发射层和阴极之间。从阳极提供的空穴可通过空穴传输区域朝着发射层移动,并且从阴极提供的电子可通过电子传输区域朝着发射层移动。空穴和电子在发射层中复合以产生激子。激子可从激发态跃迁至基态,从而产生光。
技术实现思路
[0006]一种或多种实施方式涉及杂环化合物、包括所述杂环化合物的有机发光器件、和包括所述有机发光器件的电子设备,并且更特别地,涉及可改善有机发光器件的发光效率的杂环化合物,所述杂环化合物具有窄的发射光谱宽度和改善的色纯度(颜色纯度)并且发射蓝色光。
[0 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.杂环化合物,其由式1和式2表示:式1式2其中,在式1和2中,Ar1‑
Ar5各自独立地为具有6个或更多且14个或更少成环原子的芳族烃环或者具有5个或更多且14个或更少成环原子的杂芳族环,R1‑
R5各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的环烷基烷基、取代或未取代的环烯基、取代或未取代的环烯基烷基、取代或未取代的杂环烷基、取代或未取代的杂环烷基烷基、取代或未取代的杂环烯基、取代或未取代的卤代烷基、取代或未取代的卤代环烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的环烷氧基、取代或未取代的烷硫基、取代或未取代的环烷硫基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳基烷基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的杂芳基烷基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的杂芳氧基、取代或未取代的芳硫基、取代或未取代的杂芳硫基、或者取代或未取代的氨基,n1为0、1、2、3、4、5、或6,n2和n5各自独立地为0、1、2、3、4、5、6、7、或8,
至9
‑
39之一表示的基团、由式10
‑
12至10
‑
130之一表示的基团、其中至少一个氢原子被氘原子代替的由式10
‑
12至10
‑
130之一表示的基团、其中至少一个氢原子被
‑
F代替的由式10
‑
12至10
‑
130之一表示的基团、由式10
‑
359至10
‑
380之一表示的基团、其中至少一个氢原子被氘原子代替的由式10
‑
359至10
‑
380之一表示的基团、其中至少一个氢原子被
‑
F代替的由式10
‑
359至10
‑
380之一表示的基团:
式1
‑
4其中,在式1
‑
1至1
‑
4中,Ar1‑
Ar5、R1‑
R5、和n1
‑
n5分别通过参照权利要求1中的Ar1‑
Ar5、R1‑
R5、和n1
‑
n5的描述而理解。
8.如权利要求1所述的杂环化合物,其中式1由式1A表示,并且式2由式2A表示:式1A式2A其中,在式1A和2A中,Ar1‑
Ar5、R1‑
R5、和n1
‑
n5分别通过参照权利要求1中的Ar1‑
Ar5、R1‑
R5、和n1
‑
n5的描述而理解,式2A中的*表示与式1A中的Ar1的成环原子、式1A中的Ar2的成环原子、式1A中的Ar3的成环原子、或其组合的结合位点,X
11
‑
X
17
和X
21
‑
X
25
各自独立地为碳原子,和X
11
和X
12
之间的键、X
13
和X
14
之间的键、X
14
和X
15
之间的键、X
16
和X
17
之间的键、X
21
和X
22
之间的键、X
22
和X
23
之间的键、以及X
24
和X
25
之间的键各自独立地为单键或双键。9.如权利要求8所述的杂环化合物,其中式1A中的Ar1由式3
‑
1表示,式1A中的Ar2由式3
‑
2表示,式1A中的Ar3由式3
‑
3表示,式2A中的Ar4由式3
‑
4表示,和式2A中的Ar5由式3
‑
5表示:
其中,在式3
‑
1至3
‑
5中,Y
11
为C(R
101
)或N,Y
12
为C(R
102
)或N,Y
13
为C(R
103
)或N,Y
14
为C(R
104
)或N,Y
15
为C(R
105
)或N,Y
16
为C(R
106
)或N,Y
17
为C(R
107
)或N,Y
18
为C(R
108
)或N,Z
11
为C(R
111
)或N,Z
12
为C(R
112
)或N,Z
13
为C(R
113
)或N,Y
21
为C(R
201
)或N,Y
22
为C(R
202
)或N,Y
23
为C(R
203
)或N,Y
24
为C(R
204
)或N,Z
21
为C(R
211
)或N,Z
22
为C(R
212
)或N,并且Z
23
为C(R
213
)或N,式2A中的*结合至式1A中的选自Y
11
‑
Y
18
和Z
11
‑
Z
13
的两个,和R
101
‑
R
108
、R
111
‑
R
113
、R
201
‑
R
204
、和R
211
‑
R
213
各自为与式2A中的*的结合位点、氘原子、卤素原...
【专利技术属性】
技术研发人员:宫碕荣吾,稻山智,今村敦,姜昊锡,金相模,伊藤光则,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:
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