体声波谐振器滤波器制造技术

本公开提供一种体声波谐振器滤波器。体声波谐振器滤波器包括：串联体声波谐振器，串联电连接在第一端口和第二端口之间，射频信号通过第一端口和第二端口；第二分路体声波谐振器，分路电连接在串联体声波谐振器与地之间，并且第二分路体声波谐振器的谐振频率低于串联体声波谐振器的谐振频率；以及第一分路体声波谐振器，串联电连接到第二分路体声波谐振器并且具有高于第二分路体声波谐振器的谐振频率的谐振频率。串联体声波谐振器和第一分路体声波谐振器中的一个或两个包括：第一电极，设置在基板上方；压电层，设置在第一电极的上表面上；第二电极，设置在压电层的上表面上；以及沟槽，形成在第二电极的上表面中或所述第二电极上方并且向下凹入。极上方并且向下凹入。极上方并且向下凹入。

【技术实现步骤摘要】
体声波谐振器滤波器
[0001]本申请要求于2020年12月24日在韩国知识产权局提交的第10
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2020
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0183642号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。


[0002]以下描述涉及一种体声波谐振器滤波器。

技术介绍

[0003]随着移动通信装置、化学测试装置和生物测试装置等的快速发展，对在这些装置中使用的小且轻的滤波器、振荡器、谐振元件、声谐振质量传感器等的需求正在增加。
[0004]诸如体声波(BAW)滤波器的体声波谐振器可被构造为实现这种小且轻的滤波器、振荡器、谐振元件、声谐振质量传感器等。与介电滤波器、金属腔滤波器、波导滤波器等相比，由于这种体声波谐振器非常小并且具有良好的性能，因此它可广泛用于需要良好性能(例如，宽通带宽)的现代移动装置的通信模块中。

技术实现思路

[0005]提供本
技术实现思路
以简化的形式介绍所选择的构思，并在以下具体实施方式中进一步描述这些构思。本
技术实现思路
既不意在明确所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。
[0006]在一个总体方面，一种体声波谐振器滤波器包括：串联体声波谐振器，串联电连接在第一端口和第二端口之间；第二分路体声波谐振器，分路电连接在所述串联体声波谐振器与地之间，并且所述第二分路体声波谐振器的谐振频率低于所述串联体声波谐振器的谐振频率；以及第一分路体声波谐振器，串联电连接到所述第二分路体声波谐振器，并且所述第一分路体声波谐振器的谐振频率高于所述第二分路体声波谐振器的所述谐振频率，其中，所述串联体声波谐振器和所述第一分路体声波谐振器中的一个或两个包括：第一电极，设置在基板上方；压电层，设置在所述第一电极的上表面上；第二电极，设置在所述压电层的上表面上；以及沟槽，设置在所述第二电极的上表面中或所述第二电极上方，并且向下凹入。
[0007]所述第一分路体声波谐振器可包括所述第一电极、所述压电层、所述第二电极和所述沟槽。
[0008]所述第一分路体声波谐振器的所述谐振频率可等于或高于所述串联体声波谐振器的所述谐振频率。
[0009]所述沟槽可分别设置在所述第一分路体声波谐振器和所述串联体声波谐振器中。
[0010]所述沟槽的宽度可大于等于0.6μm且小于等于1.8μm。
[0011]所述沟槽的深度可大于0nm并且小于或等于100nm。
[0012]所述第一端口和所述第二端口之间的通带的带宽可以是200MHz或更大。
[0013]当与所述第一端口和所述第二端口之间的通带的最低频率相对应的衰减极点的频率为F，所述沟槽的宽度为W时，W
×
F可大于等于0.6
×
3.485(μm
×
GHz)且小于等于1.8
×
3.485(μm
×
GHz)。
[0014]当所述第一电极、所述压电层和所述第二电极的重叠面积为A，所述沟槽的宽度为W时，W/A可大于等于0.6/4900(μm/(μm)2)且小于等于1.8/4900(μm/(μm)2)。
[0015]所述沟槽可在所述第二电极的所述上表面中朝向所述压电层凹入。
[0016]所述第二电极可包括在所述第二电极的所述上表面上向上凸出的框架，并且所述沟槽的宽度小于所述框架的宽度。
[0017]所述第二分路体声波谐振器可包括多个第二分路体声波谐振器，所述多个第二分路体声波谐振器分别设置在所述串联体声波谐振器与地之间的多个分路连接路径中，所述第一分路体声波谐振器可设置在所述多个分路连接路径的一部分中，并且所述多个分路连接路径中的其中设置有所述第一分路体声波谐振器的分路连接路径可设置在所述多个分路连接路径中的其中未设置所述第一分路体声波谐振器的多个分路连接路径之间。
[0018]所述第二分路体声波谐振器可包括多个第二分路体声波谐振器，所述多个第二分路体声波谐振器分别设置在所述串联体声波谐振器与地之间的多个分路连接路径中，所述第一分路体声波谐振器可包括多个第一分路体声波谐振器，所述多个第一分路体声波谐振器串联电连接到所述多个第二分路体声波谐振器中的相应的第二分路体声波谐振器，并且所述多个第二分路体声波谐振器的数量可大于所述多个第一分路体声波谐振器的数量。
[0019]所述多个分路连接路径中的其中设置有所述多个第一分路体声波谐振器中的一个的至少一个分路连接路径的电感可大于所述多个分路连接路径中的剩余分路连接路径中的每个的电感。
[0020]所述第一分路体声波谐振器可包括所述沟槽，所述第二分路体声波谐振器可包括沟槽，并且所述第二分路体声波谐振器的所述沟槽的宽度可不同于所述第一分路体声波谐振器的所述沟槽的宽度。
[0021]所述第二分路体声波谐振器可不包括沟槽。
[0022]通过以下具体实施方式和附图，其他特征和方面将是易于理解的。
附图说明
[0023]图1A、图1B、图1C、图1D、图1E、图1F、图1G和图1H是示出根据各种示例的体声波谐振器滤波器的示图。
[0024]图2是示出根据示例的由体声波谐振器滤波器的串联连接的第一分路体声波谐振器和第二分路体声波谐振器形成的衰减极点的示图。
[0025]图3A和图3B是示出图1F所示的体声波谐振器滤波器的S参数的曲线图。
[0026]图3C是示出图1F所示的体声波谐振器滤波器的滚降特性的曲线图。
[0027]图4A和图4B是示出根据示例的体声波谐振器滤波器的沟槽的示图。
[0028]图5A是示出根据示例的可包括在体声波谐振器滤波器中的体声波谐振器的详细结构的平面图。
[0029]图5B是沿着图5A的线I
‑
I'截取的截面图。
[0030]图5C是沿着图5A的线II
‑
II'截取的截面图。
[0031]图5D是沿着图5A的线III
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III'截取的截面图。
[0032]在所有的附图和具体实施方式中，相同的附图标记指示相同的要素。附图可不按照比例绘制，并且为了清楚、说明和方便起见，可夸大附图中的要素的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施方式
[0033]提供以下具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，此所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改及等同方案对于本领域普通技术人员将是易于理解的。在此描述的操作的顺序仅仅是示例，并且不限于在此阐述的顺序，而是除了必须按照特定顺序发生的操作之外，可做出对于本领域普通技术人员将是易于理解的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略本领域普通技术人员将是公知的功能和构造的描述。
[0034]在此描述的特征可以以不同的形式实施，并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例，使得本公开将是透彻的和完整的，并将向本领域普本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器滤波器，包括：串联体声波谐振器，串联电连接在第一端口和第二端口之间；第二分路体声波谐振器，分路电连接在所述串联体声波谐振器与地之间，并且所述第二分路体声波谐振器的谐振频率低于所述串联体声波谐振器的谐振频率；以及第一分路体声波谐振器，串联电连接到所述第二分路体声波谐振器，并且所述第一分路体声波谐振器的谐振频率高于所述第二分路体声波谐振器的所述谐振频率，其中，所述串联体声波谐振器和所述第一分路体声波谐振器中的一个或两个包括：第一电极，设置在基板上方；压电层，设置在所述第一电极的上表面上；第二电极，设置在所述压电层的上表面上；以及沟槽，设置在所述第二电极的上表面中或所述第二电极上方，并且向下凹入。2.如权利要求1所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述第一分路体声波谐振器包括所述第一电极、所述压电层、所述第二电极和所述沟槽。3.如权利要求2所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述第一分路体声波谐振器的所述谐振频率等于或高于所述串联体声波谐振器的所述谐振频率。4.如权利要求3所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述沟槽分别设置在所述第一分路体声波谐振器和所述串联体声波谐振器中。5.如权利要求2所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述沟槽的宽度大于等于0.6μm且小于等于1.8μm。6.如权利要求5所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述沟槽的深度大于0nm且小于或等于100nm。7.如权利要求5所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述第一端口和所述第二端口之间的通带的带宽是200MHz或更大。8.如权利要求2所述的体声波谐振器滤波器，其中，与所述第一端口和所述第二端口之间的通带的最低频率相对应的衰减极点的频率为F，所述沟槽的宽度为W，并且W
×
F大于等于0.6
×
3.485(μm
×
GHz)且小于等于1.8
×
3.485(μm
×
GHz)。9.如权利要求2所述的体声波谐振器滤波器，其中，所述第一电极、所述压电层和所述第二电极的重叠面积为A，所述沟槽的宽度为W，并且W/A大于等于0.6/4900(μm/(μm)2)且小...

【专利技术属性】
技术研发人员：李泰京，朴赞喜，严在君，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：