一种芯片转移装置及芯片封装装置制造方法及图纸

本申请公开一种芯片转移装置及芯片封装装置，可以应用于半导体制造领域。其中，芯片转移装置，包括：芯片载板，被配置为承载晶圆，晶圆包括待转移的多个裸芯片；拾取模块，被配置为通过粘合的方式拾取晶圆，并将晶圆转移至封装外壳的上方；加热模块，被配置为对多个裸芯片进行热解粘。在本申请中，通过采用热解粘的方式转移裸芯片，提高芯片在转移过程中的良率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片转移装置及芯片封装装置


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种芯片转移装置及芯片封装装置。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，芯片的尺寸越来越小，如几百微米。在制备小尺寸芯片时，需要在不同工艺之间进行转移。
[0003]目前，在转移芯片的过程中，由于芯片自身结构的限制，往往会造成一些芯片损坏，导致芯片在转移过程中的良率较低，影响芯片制造的效率。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种芯片转移装置及芯片封装装置，以提高芯片在转移过程中的良率，从而提高芯片制造的效率。
[0005]第一方面，本申请提供一种芯片转移装置，包括：芯片载板，被配置为承载晶圆(wafer)，晶圆包括待转移的多个裸芯片(die)；拾取模块，被配置为通过粘合的方式拾取晶圆，并将晶圆转移至封装外壳的上方；加热模块，被配置为对多个裸芯片进行热解粘。
[0006]在一些可能的实施方式中，拾取模块，包括：转移载板和热解粘层，热解粘层设置于转移载板的表面；当拾取模块拾取晶圆时，热解粘层与芯片载板相对设置，热解粘层与晶圆贴合。
[0007]在一些可能的实施方式中，加热模块包括高温炉；封装外壳设置于高温炉内；拾取模块，还被配置为将晶圆转移至高温炉内；高温炉，被配置为对晶圆进行加热。
[0008]在一些可能的实施方式中，加热模块包括加热器；加热器，被配置为对多个裸芯片进行加热。
[0009]在一些可能的实施方式中，加热模块包括高温炉和加热器；高温炉内设置有第一组封装外壳，加热器下方设置有第二组封装外壳；装置还包括：检测模块，被配置为检测晶圆上多个裸芯片的间距；拾取模块，被配置为当间距大于或者等于封装尺寸时，将多个晶圆转移至高温炉内且位于第一组封装外壳上方，并将晶圆上的多个裸芯片与封装外壳及进行对位；当间距小于封装尺寸时，将晶圆转移至加热器下方，并位于第二组封装外壳上方。
[0010]在一些可能的实施方式中，加热模块的加热温度小于或者等于120摄氏度。
[0011]在一些可能的实施方式中，裸芯片为梳齿电容结构静电驱动微振镜。
[0012]第二方面，本申请提供一种芯片封装装置，包括：如第一方面及其可能的实施方式中任一项的芯片转移装置、封装模块以及多个封装外壳；封装模块，被配置为在多个裸芯片落入封装外壳后，对多个裸芯片进行封装。
[0013]在一些可能的实施方式中，封装外壳中滴注有粘合剂。
[0014]在一些可能的实施方式中，裸芯片为梳齿电容结构静电驱动微振镜。
[0015]本申请提供的技术方案与现有技术相比存在的有益效果是：
[0016]在本申请中，通过采用热解粘的方式转移裸芯片，使得裸芯片的结构不会被损坏，
提高芯片在转移过程中的良率，从而提高芯片制造的效率。
[0017]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请的保护范围。
附图说明
[0018]图1为本申请实施例中的制造梳齿电容结构静电驱动微振镜常用的绝缘衬底上硅晶圆的一种示意图；
[0019]图2为本申请实施例中的一种制备完成的微振镜剖面图；
[0020]图3为本申请实施例中的一种微振镜制备完成后在晶圆上的排布示意图；
[0021]图4为本申请实施例中的一种芯片转移装置的结构示意图；
[0022]图5为本申请实施例中的一种拾取模块的示意图；
[0023]图6为本申请实施例中的一种热解粘过程的示意图；
[0024]图7为本申请实施例中的另一种热解粘过程的示意图；
[0025]图8为本申请实施例中的一种芯片封装装置的结构示意图。
具体实施方式
[0026]以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本申请。在其它情况中省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。
[0027]为了说明本申请的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。
[0028]MEMS微振镜是基于MEMS技术将微光反射镜与MEMS驱动器集成的光学器件。MEMS微振镜可以在MEMS驱动器的作用下实现微光反射镜的在一维或二维方向上的平移运动或枢轴转动。MEMS微振镜的驱动方式包括静电、压电、电磁和电热。小型化、低功耗的MEMS微振镜在头戴式显示设备(head up display，HUD)、激光雷达、增强现实(augmented reality，AR)等方面有广泛的应用。静电驱动方式依赖于MEMS器件上极性相反电荷的相互吸引，从而带动机械元件作机械运动。相对于其他几种驱动方式，这种方式具有能效高，功耗低，响应速度快，结构相对简单，便于大规模集成及在微结构器件中可实现大作用力等诸多优势和特点，因此在MEMS器件设计及其它微系统中，静电驱动方式是应用最广泛的驱动方式。
[0029]静电驱动方式又分为平板电容驱动方式和梳齿电容驱动方式。平板电容驱动方式由一个可动的微镜面和一个位于微镜面下部的固定下电极构成立体结构，因此，其阵列结构比较简单。但是平板电容驱动器存在吸合效应(pull—in effect)。镜面的移动距离要小于镜面到平板电极距离的三分之一，否则镜面和下电极之间会产生吸合造成器件失效。相对于平板电容驱动，梳齿电容驱动没有吸合效应的影响，具有驱动电压低、扭转角度大等优势。如半径为几百微米的扫描微镜，驱动电压只有几十伏，扭转角度可以大于15度。但梳齿电容驱动也带来了制备后转移难度大的弊端，原因有：1、梳齿电容之间要求有镂空部分以形成独立的动梳齿和静梳齿，而为保证微振镜偏转，连接微振镜的悬臂及微振镜本身的周边材料必然被刻空，这些镂空部分在转移过程中无法承受外力，导致器件转移过程中可受力部分减小，增加了器件转移难度；2、为使在相同的驱动力下，微振镜的扫描角度更大，要
求微振镜、悬臂及可动梳齿越薄越好，这些薄层必然成为器件转移过程中容易破损的部分，器件受力稍有不均，这些薄层就会损坏，增加了器件转移难度；3、现代梳齿电容结构静电驱动微振镜的发展趋势是器件微振镜的面积占器件总面积越来越大，导致了器件中容易损坏的部分面积占比越来越大，增加了器件转移难度。梳齿电容结构静电驱动微振镜在激光雷达、投影显示、AR/VR等领域越来越受到人们的重视。
[0030]图1为本申请实施例中的制造梳齿电容结构静电驱动微振镜常用的绝缘衬底上硅(silicon on insulator，SOI)晶圆的一种示意图，图2为本申请实施例中的一种制备完成的微振镜剖面图。结合图1和图2可知，制备好的梳齿电容结构静电驱动微振镜的结构较为脆弱，使得在转移微振镜的过程中，该微振镜可受力的部位非常小，而梳齿部分a、镜面部分b、镂空部分c均为容易破损的地方，会导致芯片良率较低。
[0031]另外，图3为本申请实施例中的一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片转移装置，其特征在于，包括：芯片载板，被配置为承载晶圆，所述晶圆包括待转移的多个裸芯片；拾取模块，被配置为通过粘合的方式拾取所述晶圆，并将所述晶圆转移至封装外壳的上方；加热模块，被配置为对所述多个裸芯片进行热解粘。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述拾取模块，包括：转移载板和热解粘层，所述热解粘层设置于所述转移载板的表面；当所述拾取模块拾取所述晶圆时，所述热解粘层与所述芯片载板相对设置，所述热解粘层与所述晶圆贴合。3.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述加热模块包括高温炉；所述封装外壳设置于高温炉内；所述拾取模块，还被配置为将所述晶圆转移至所述高温炉内；所述高温炉，被配置为对所述晶圆进行加热。4.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述加热模块包括加热器；所述加热器，被配置为对所述多个裸芯片进行加热。5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述加热模块包括高温炉和加热器；所述封装外壳包括第一组封装外壳和第二组封装外壳，所述高温炉内设置有所述第一组封装外壳，所述加热器下方设置有所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张乃川，何文涛，石拓，
申请(专利权)人：北京一径科技有限公司，
类型：新型
国别省市：