半导体器件制造技术

本公开的实施例涉及半导体器件，包括：半导体裸片，安装在封装的裸片区域处，封装具有为半导体裸片提供电触点的导电焊球阵列；以及功率通道，用于将电源电流传送到半导体裸片；其中，功率通道包括：至少一个导电连接平面层，在封装外围的远端与封装的裸片区域的近端之间在导电连接平面层的纵向方向上延伸；以及导电焊球的分布，被布置为沿导电连接平面层的纵向方向分布；导电连接平面层包括在分布中的相邻导电焊球之间的纵向方向上的后续部分；其中，后续部分具有相应电阻值，其中相应电阻值从导电连接平面层的远端到近端减小。利用本公开的实施例有利地避免功率平面边界处的瓶颈。开的实施例有利地避免功率平面边界处的瓶颈。开的实施例有利地避免功率平面边界处的瓶颈。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件


[0001]本说明涉及半导体器件。
[0002]一个或多个实施例可以应用于包括焊球栅格阵列(BGA)封装的半导体器件。
[0003]一个或多个实施例可以应用于线键合和倒装芯片配置中的高功率BGA封装设计。

技术介绍

[0004]越来越严格的当前管理规范适用于高端数字产品，这可能导致在封装和印刷电路板(PCB)级别出现各种问题。
[0005]为了便于将功率(电流)从外部外围器件分配到位于焊球栅格阵列(BGA)衬底中心、半导体芯片或裸片正下方的内部功率焊球，可以采用所谓的功率沟道结构。
[0006]需要注意的是，在封装级别，阵列中的某些焊球可能会被过大的电流穿过，这可能会导致电迁移问题。也就是说，电流倾向于流过最外层的焊球，这些球体靠近电压调节器，从而造成严重的瓶颈。均匀连接平面层降低了最大可接受电流，这是因为焊球面上的电流分布不均匀。
[0007]本领域需要有助于克服上述缺点。

技术实现思路

[0008]本公开的目的是提供半导体器件，以至少部分地解决现有技术中存在的上述问题。
[0009]本公开的一方面提供了一种半导体器件，包括：半导体裸片，安装在封装的裸片区域处，封装具有为半导体裸片提供电触点的导电焊球阵列；以及功率通道，用于将电源电流传送到半导体裸片；其中，功率通道包括：至少一个导电连接平面层，在封装外围的远端与封装的裸片区域的近端之间在导电连接平面层的纵向方向上延伸；以及导电焊球的分布，被布置为沿导电连接平面层的纵向方向分布；导电连接平面层包括在分布中的相邻导电焊球之间的纵向方向上的后续部分；其中，后续部分具有相应电阻值，其中相应电阻值从导电连接平面层的远端到近端减小。
[0010]根据一个或多个实施例，其中导电连接平面层的后续部分具有从导电连接平面层的远端到导电连接平面层的近端增加的相应宽度。
[0011]根据一个或多个实施例，其中导电连接平面层的后续部分具有从导电连接平面层的远端到导电连接平面层的近端减小的相应长度。
[0012]根据一个或多个实施例，其中电源通道中导电焊球的分布包括沿导电连接平面层的纵向方向分布的多行导电焊球，利用相邻的导电焊球的行来限定在其间的、在纵向方向上延伸的导电连接平面层的后续部分，后续部分具有相应电阻值，其中相应电阻值从导电连接平面层的远端到近端减小。
[0013]根据一个或多个实施例，其中导电连接平面层包括形成在其中的空隙，空隙在分布中的相邻导电焊球之间，其中空隙限定在其间的、具有相应电阻值的导电连接平面层的
后续部分。
[0014]根据一个或多个实施例，其中空隙包括完全包含在导电连接平面层中的完整空隙。
[0015]根据一个或多个实施例，其中空隙包括延伸至导电连接平面层的一侧的开口空隙。
[0016]根据一个或多个实施例，其中导电连接平面层包括在纵向方向上延伸的相对侧，相对侧具有形成在其中的开口空隙的互补分布。
[0017]根据一个或多个实施例，其中导电连接平面层包括完全包含在导电连接平面层中的完整空隙的至少一个分布，导电连接平面层在相对侧之间沿纵向方向延伸，在相对侧中形成了延伸至导电连接平面的一侧的开放空隙的互补分布。
[0018]根据一个或多个实施例，其中导电连接平面层包括形成在其中的 T形空隙。
[0019]根据一个或多个实施例，其中导电连接平面层包括形成在其中的 L形空隙。
[0020]根据一个或多个实施例，其中导电连接平面层包括沿纵向方向延伸的弯曲形状部分。
[0021]本公开的另一方面提供了一种半导体器件，包括：半导体裸片，安装在封装的前侧；导电焊球阵列，安装在封装的后侧；以及功率通道，用于将电源电流传送到半导体裸片；其中，功率通道包括：导电连接平面层，具有在纵向方向上的长度和垂直于长度延伸的宽度，导电连接平面层的长度从封装的外围的远端延伸到封装的裸片区域的近端；并且其中导电焊球阵列包括沿导电连接平面层的纵向方向上的导电焊球分布；其中导电连接平面层包括形成在其中的至少一个空隙，至少一个空隙在纵向上的分布的每对相邻导电焊球之间，其中相邻空隙之间的导电连接平面层的一部分具有电阻值；其中导电连接平面层的部分的相应电阻值从远端到近端减小。
[0022]根据一个或多个实施例，其中空隙包括完全包含在导电连接平面层中的完整空隙。
[0023]根据一个或多个实施例，其中空隙包括延伸至导电连接平面层一侧的开口空隙。
[0024]根据一个或多个实施例，其中导电连接平面层包括沿纵向方向延伸的相对侧，空隙包括位于相对侧处的开口空隙。
[0025]根据一个或多个实施例，其中导电连接平面层包括沿纵向方向延伸的相对侧，空隙包括与位于相对侧中的一个相对侧的开口空隙相邻的完整空隙。
[0026]根据一个或多个实施例，其中空隙包括T形空隙。
[0027]根据一个或多个实施例，其中空隙包括L形空隙。
[0028]根据一个或多个实施例，其中空隙包括弯曲形状部分。
[0029]利用本公开的实施例有利地避免功率平面边界处的瓶颈。
附图说明
[0030]现在将参考附图仅以示例的方式描述一个或多个实施例，其中：
[0031]图1是根据本描述的实施例的可能使用上下文的示例性焊球栅格阵列(BGA)封装的平面图；
[0032]图2是可包括在BGA封装中的如图1所示的常规功率通道的平面图；
[0033]图3是图示如图2所示的功率通道操作的电路图；
[0034]图4是根据本文实施例的功率通道的平面图，其可包括在如图1 所示的BGA封装中；
[0035]图5是如图4所示的功率通道操作的电路图；
[0036]图6是如图4所示的功率通道的可能实现方式的一部分的详细视图；
[0037]图7至图9是根据本说明的功率通道的平面图；
[0038]图10是根据本说明书的功率通道的平面图，其可包括在如图1 所示的BGA封装中；
[0039]图11至13是根据本说明的功率通道的平面图；
[0040]图14至17是根据本说明书的功率通道的一部分的详细视图。
具体实施方式
[0041]在随后的描述中，说明了一个或多个具体细节，旨在提供对本描述的实施例的示例的深入理解。可以在没有一个或多个特定细节的情况下，或者使用其他方法、组件、材料等来获得实施例。在其他情况下，未详细说明或描述已知结构、材料或操作，从而不会模糊实施例的某些方面。
[0042]在本描述的框架中对“实施例”或“一个实施例”的引用旨在指示在至少一个实施例中包含关于该实施例描述的特定配置、结构或特征。因此，在本说明书的一个或多个要点中可能出现的诸如“在实施例中”或“在一个实施例中”之类的短语不一定指一个且相同的实施例。
[0043]此外，特定构象、结构或特征可在一个或多个实施例中以任何适当方式组合。
[0044]本文使用的标题/参考仅为方便而本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体裸片，安装在封装的裸片区域处，所述封装具有为所述半导体裸片提供电触点的导电焊球阵列；以及功率通道，用于将电源电流传送到所述半导体裸片；其中，所述功率通道包括：至少一个导电连接平面层，在所述封装外围的远端与所述封装的所述裸片区域的近端之间在所述导电连接平面层的纵向方向上延伸；以及导电焊球的分布，被布置为沿所述导电连接平面层的所述纵向方向分布；所述导电连接平面层包括在所述分布中的相邻导电焊球之间的所述纵向方向上的后续部分；其中，所述后续部分具有相应电阻值，其中所述相应电阻值从所述导电连接平面层的所述远端到所述近端减小。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电连接平面层的所述后续部分具有从所述导电连接平面层的所述远端到所述导电连接平面层的所述近端增加的相应宽度。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电连接平面层的所述后续部分具有从所述导电连接平面层的所述远端到所述导电连接平面层的所述近端减小的相应长度。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电源通道中所述导电焊球的分布包括沿所述导电连接平面层的所述纵向方向分布的多行导电焊球，利用相邻的导电焊球的行来限定在其间的、在所述纵向方向上延伸的所述导电连接平面层的后续部分，所述后续部分具有相应电阻值，其中所述相应电阻值从所述导电连接平面层的所述远端到所述近端减小。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电连接平面层包括形成在其中的空隙，所述空隙在所述分布中的相邻导电焊球之间，其中所述空隙限定在其间的、具有相应电阻值的所述导电连接平面层的所述后续部分。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述空隙包括完全包含在所述导电连接平面层中的完整空隙。7.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述空隙包括延伸至所述导电连接平面层的一侧的开口空隙。8.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述导电连接平面层包括在所述纵向方向上延伸的相对侧，所述相对侧具有形成在其中的所述开口空隙的互补分布。9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述导电连接平面层包括完全包含在所述导电连接平面层中...

【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：