非易失性存储器的参考电流产生模块和参考电流设置方法技术

本申请公开了非易失性存储器的参考电流产生模块和参考电流设置方法。所述参考电流设置方法包括：对多个参考单元进行编程操作；采用多次弱擦除从高至低调节所述多个参考单元的阈值电压；根据所述多个参考单元的测试电流选择多个读取条件的参考单元；以及将多个读取条件的参考单元组成参考单元组。该参考电流设置方法对所述参考单元阵列的多个参考单元进行并行的阈值电压调整，以及从所述多个参考单元中选择多个读取条件的参考单元作为所述选定参考单元，从而节省参考电流设置阶段的测试时间和测试成本。时间和测试成本。时间和测试成本。

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器的参考电流产生模块和参考电流设置方法


[0001]本专利技术涉及存储器
，特别涉及非易失性存储器的参考电流产生模块和参考电流设置方法。

技术介绍

[0002]在计算机系统中使用的存储器可以根据断电状态下的数据存储能力分为易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器仅在上电状态下存储数据，在断电状态下损失数据，例如，包括静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。非易失性存储器在上电状态下和断电状态下均可存储数据，例如包括传统上称为只读存储器(ROM)的多种存储器。只读存储器例如包括闪存。
[0003]计算机系统采用不同类型的存储器组成的层次存储结构存储数据，例如，内存采用易失性存储器实现，固态硬盘采用NAND闪存实现。此外，NOR闪存由于允许访问单个存储单元和读写速度快的特点，适合于直接在闪存内运行程序，在嵌入式应用中获得越来越多的应用。
[0004]在NAND闪存或NOR闪存之类的非易失性存储器中，存储单元的基本结构为浮栅型晶体管，利用浮栅中的电荷状态表示数据。在读操作中，将存储单元的检测电流与参考电流进行比较以获得电荷状态，从而读取数据。例如，当存储单元的检测电流大于参考电流时表示数据1，反之表示数据0。参考单元例如是与存储单元类似的浮栅型晶体管。
[0005]在出厂测试时，将参考单元的阈值电压设置为预定电压值，在施加读取电压时，参考单元产生的参考电流为预定电流值。在闪存芯片出厂时，采用非常耗时的参考电流设置阶段调节参考单元的阈值电压以获得精确的参考电流。在闪存芯片的使用期间，涉及多个读取条件下的数据读取，包括：读取操作和多种校验操作(例如，预编程校验，编程校验，擦校验，弱编程校验)。因此，对于不同条件下的数据读取均需预先设置不同的参考电流。
[0006]期望进一步改进非易失性存储器中的参考电流产生模块和参考电流设置方法以节省参考电流设置阶段的测试时间和测试成本。

技术实现思路

[0007]鉴于上述问题，本专利技术的目的在于提供非易失性存储器的参考电流产生模块和参考电流设置方法，其中，在参考电流设置阶段对所述参考单元阵列的多个参考单元进行并行的阈值电压调整，以节省参考电流设置阶段的测试时间和测试成本。
[0008]根据本专利技术的第一方面，提供一种非易失性存储器的参考电流设置方法，包括：对多个参考单元进行编程操作；采用多次弱擦除从高至低调节所述多个参考单元的阈值电压；根据所述多个参考单元的测试电流选择多个读取条件的参考单元；以及将多个读取条件的参考单元组成参考单元组。
[0009]优选地，所述参考单元组是参考单元阵列的子集。
[0010]优选地，按照读取条件的阈值电压从高至低的顺序依次选择所述多个读取条件的
参考单元。
[0011]优选地，在选择预定读取条件的参考单元之后，对所述预定读取条件的参考单元设置屏蔽标记。
[0012]优选地，在所述多次弱擦除中，仅对所述参考单元阵列中未设置屏蔽标记的多个参考单元进行弱擦除操作。
[0013]优选地，选择预定读取条件的参考单元包括：仅对所述参考单元阵列中未设置屏蔽标记的多个参考单元上施加读取电压；采用地址递增的方式逐个测量所述多个参考单元的测试电流；以及根据所述测试电流与电流参考值的比较选择所述预定读取条件的参考单元。
[0014]优选地，在选择所述预定读取条件的参考单元之后，停止测量所述多个参考单元的测试电流。
[0015]优选地，在选择所述预定读取条件的参考单元之后，根据所述地址递增的计数值获得所述预定读取条件的参考单元的位置。
[0016]优选地，在获得所述预定读取条件的参考单元的位置之后，进行地址复位。
[0017]优选地，将多个读取条件的参考单元组成参考单元组包括：存储所述多个读取条件的参考单元的位置和相应的读取条件。
[0018]优选地，所述参考单元阵列包括第一子阵列和第二子阵列，所述第一子阵列的参考单元包括单个浮栅型晶体管，所述第二子阵列的参考单元包括彼此并联连接的多个浮栅型晶体管。
[0019]优选地，所述多个读取条件包括存储单元的读取操作和多种校验操作至少之一的阈值电压条件。
[0020]根据本专利技术的第二方面，提供一种非易失性存储器的参考电流产生模块，所述参考电流产生模块采用参考单元阵列中的选定参考单元产生参考电流，包括：字线选择模块，经由所述参考单元阵列的多条字线对所述参考单元阵列的参考单元进行寻址；位线选择模块，经由所述参考单元阵列的多条位线对所述参考单元阵列的参考单元进行寻址；参考单元组存储器，用于存储所述参考单元阵列中的选定参考单元的信息；以及控制模块，与所述字线选择模块和所述位线选择模块相连接，经由所述字线选择模块和所述位线选择模块访问所述参考单元阵列中的参考单元，以及与所述参考单元组存储器相连接，用于读取或存储所述选定参考单元的信息，其中，所述控制模块在参考电流设置阶段对所述参考单元阵列的多个参考单元进行并行的阈值电压调整，以及从所述多个参考单元中选择多个读取条件的参考单元作为所述选定参考单元。
[0021]优选地，所述参考单元阵列包括第一子阵列和第二子阵列，所述第一子阵列的参考单元包括单个浮栅型晶体管，所述第二子阵列的参考单元包括彼此并联连接的多个浮栅型晶体管。
[0022]优选地，还包括：位线复用模块，所述位线复用模块与所述第一子阵列和所述第二子阵列的位线相连接，所述位线选择模块经由所述位线复用模块选择所述第一子阵列和所述第二子阵列中的位线之一。
[0023]优选地，所述参考单元组存储器用于存储所述多个读取条件的参考单元的位置和相应的读取条件。
[0024]根据本专利技术实施例的参考电流设置方法，对参考单元阵列的全部参考单元编程之后，采用多次弱擦除从高至低调节多个参考单元的阈值电压，以及根据检测电流从多个参考单元中选择预定读取条件的参考单元。该参考电流设置方法对多个参考单元同时进行编程和弱擦除，因而可以实现并行的阈值电压调整，从而显著地节省测试时间和测试成本。
[0025]进一步地，该参考电流设置方法改变了参考单元的选择和阈值调节的顺序，在整体编程之后，在多次弱擦除的过程中从多个参考单元中选择出预定读取条件的参考单元。因此，该参考电流设置方法允许从多个参考单元中选择阈值电压最准确的参考单元，因而，可以提高参考单元的阈值电压准确度。
[0026]在优选的实施例中，根据本专利技术实施例的参考电流设置方法耗费的测试时间和测试成本降低。因此，在闪存芯片的使用期间，可以根据读取数据的可靠性(例如，读取操作中的误码率)重新选择参考单元组和调节阈值电压，从而动态设置不同读取条件的阈值电压，提高读取数据的可靠性。
[0027]在优选的实施例中，参考单元阵列包括第一子阵列和第二子阵列，第一子阵列的参考单元包括单个浮栅型晶体管，第二子阵列的参考单元包括彼此并联连接的多个浮栅型晶体管。在参考单元上施加相同的读取电压的情形下，第二子阵列的参考单元产生的参考电流是第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器的参考电流设置方法，包括：对多个参考单元进行编程操作；采用多次弱擦除从高至低调节所述多个参考单元的阈值电压；根据所述多个参考单元的测试电流选择多个读取条件的参考单元；以及将多个读取条件的参考单元组成参考单元组。2.根据权利要求1所述的参考电流设置方法，其中，所述参考单元组是参考单元阵列的子集。3.根据权利要求2所述的参考电流设置方法，其中，按照读取条件的阈值电压从高至低的顺序依次选择所述多个读取条件的参考单元。4.根据权利要求3所述的参考电流设置方法，其中，在选择预定读取条件的参考单元之后，对所述预定读取条件的参考单元设置屏蔽标记。5.根据权利要求4所述的参考电流设置方法，其中，在所述多次弱擦除中，仅对所述参考单元阵列中未设置屏蔽标记的多个参考单元进行弱擦除操作。6.根据权利要求4所述的参考电流设置方法，其中，选择预定读取条件的参考单元包括：仅对所述参考单元阵列中未设置屏蔽标记的多个参考单元上施加读取电压；采用地址递增的方式逐个测量所述多个参考单元的测试电流；以及根据所述测试电流与电流参考值的比较选择所述预定读取条件的参考单元。7.根据权利要求6所述的参考电流设置方法，其中，在选择所述预定读取条件的参考单元之后，停止测量所述多个参考单元的测试电流。8.根据权利要求6所述的参考电流设置方法，其中，在选择所述预定读取条件的参考单元之后，根据所述地址递增的计数值获得所述预定读取条件的参考单元的位置。9.根据权利要求8所述的参考电流设置方法，其中，在获得所述预定读取条件的参考单元的位置之后，进行地址复位。10.根据权利要求2所述的参考电流设置方法，其中，将多个读取条件的参考单元组成参考单元组包括：存储所述多个读取条件的参考单元的位置和相应的读取条件。11.根据权利要求2所述的参考电流设置方法，其中，所述参考单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：安友伟，
申请(专利权)人：珠海博雅科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：