封装基板及其制作方法技术

技术编号:33912877 阅读:11 留言:0更新日期:2022-06-25 19:45
本发明专利技术公开了一种封装基板及其制作方法,该方法包括以下步骤:提供内层基板;利用粘性感光材料在内层基板的第一侧表面加工得到具有粘性的第一绝缘介质层;将元器件贴装在第一绝缘介质层上;利用感光封装材料在内层基板的第一侧上加工得到第二绝缘介质层,第二绝缘介质层覆盖元器件。本发明专利技术公开的封装基板及其制作方法,通过将元器件贴装在内层基板的第一侧上,再利用感光封装材料在内层基板的第一侧上加工得到覆盖元器件的第二绝缘介质层,以避免将元器件设置在内层基板的腔体内,从而减少加工时间和加工成本,并且,有利于避免内层基板加工过程中损坏而导致元器件报废的问题,进而降低元器件损失而产生的成本。降低元器件损失而产生的成本。降低元器件损失而产生的成本。

【技术实现步骤摘要】
封装基板及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
,特别涉及一种封装基板及其制作方法。

技术介绍

[0002]将电子元器件埋嵌于封装基板内部,从而实现电子产品的高集成和小型化,这是当下电子产品的发展趋势。封装基板具有多层结构,例如,6层的封装基板。目前,通常将元器件埋嵌在封装基板芯板的腔体内,再加工封装基板的多个增层和封装结构,从而得到封装基板。在实际生产过程中,多个增层可能因意外或工艺等原因报废,从而使埋嵌于芯板的元器件报废,导致元器件损失而产生的成本较高,并且,将元器件埋嵌在芯板的腔体内的工艺流程较为复杂,导致加工时间较长。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本专利技术提出一种封装基板制作方法,能够降低元器件损失而产生的成本。
[0004]本专利技术还提出一种由上述制作方法制备得到的封装基板。
[0005]根据本实施例一方面提供的封装基板制作方法,包括以下步骤:提供内层基板;利用粘性感光材料在所述内层基板的第一侧表面加工得到具有粘性的第一绝缘介质层;将元器件贴装在所述第一绝缘介质层上;利用感光封装材料在所述内层基板的第一侧上加工得到第二绝缘介质层,所述第二绝缘介质层覆盖所述元器件。
[0006]根据本专利技术实施例的封装基板制作方法,至少具有如下有益效果:在内层基板的基础上贴装元器件,而无需在内层基板上加工用于封装元器件的腔体,以便于减少加工时间和加工成本,并且,有利于避免内层基板在加工过程中损坏而导致元器件报废的问题,从而降低元器件损失而产生的成本。
[0007]根据本专利技术的一些实施例,所述粘性感光材料采用粘性感光膜,所述利用粘性感光材料在所述内层基板的第一侧表面加工得到具有粘性的第一绝缘介质层,包括以下步骤:将所述粘性感光膜贴装在所述内层基板的第一侧表面上,得到所述第一绝缘介质层;
[0008]或者,所述粘性感光材料采用粘性感光液,所述利用粘性感光材料在所述内层基板的第一侧表面加工得到具有粘性的第一绝缘介质层,包括以下步骤:
[0009]将所述粘性感光液涂覆在所述内层基板的第一侧表面上,得到所述第一绝缘介质层;
[0010]通过上述步骤,以便于得到第一绝缘介质层,有利于元器件的贴装,从而有利于减少加工时间和加工成本,以及降低元器件损失而产生的成本。
[0011]根据本专利技术的一些实施例,所述利用感光封装材料在所述内层基板的第一侧上加工得到第二绝缘介质层,包括以下步骤:将所述感光封装材料涂覆在所述内层基板的第一侧上,并覆盖所述元器件,得到所述第二绝缘介质层;通过上述步骤,以便于在内层基板上加工得到覆盖元器件的第二绝缘介质层,使元器件位于第二绝缘介质层内,以便于元器件
封装,有利于小型化。
[0012]根据本专利技术的一些实施例,所述内层基板上设置有线路层,所述线路层上设置有至少一个连接点,所述内层基板的第一侧设置有贴附区,所述第一绝缘介质层位于所述贴附区内,所述制作方法还包括以下步骤:
[0013]通过曝光显影的方式,在所述第二绝缘介质层上加工得到第一盲孔;
[0014]或者,通过曝光显影的方式,在所述第二绝缘介质层上加工得到所述第一盲孔和第二盲孔;
[0015]其中,所述第一盲孔的位置与所述元器件的连接端子的位置对应,所述第二盲孔的位置与所述线路层的连接点的位置对应,且所述第一盲孔和所述第二盲孔均贯穿所述第二绝缘介质层;通过上述步骤,以便于得到内壁平整度更高、垂直度更好、深度更深的盲孔,以及便于后续线路外层与线路层、元器件连接,有利于提高导电效果。
[0016]根据本专利技术的一些实施例,所述内层基板上设置有线路层,所述线路层上设置有至少一个连接点,所述制作方法还包括以下步骤:
[0017]通过曝光显影的方式,在所述第二绝缘介质层上加工得到第一盲孔;
[0018]或者,通过曝光显影的方式,在所述第二绝缘介质层上加工得到所述第一盲孔并在所述第一绝缘介质层和第二绝缘介质层上加工得到第二盲孔;
[0019]其中,所述第一盲孔的位置与所述元器件的连接端子的位置对应,所述第二盲孔与所述连接层的连接点的位置对应,所述第一盲孔贯穿所述第二绝缘介质层,所述第二盲孔贯穿所述第一绝缘介质层和所述第二绝缘介质层;通过上述步骤,以便于得到内壁平整度更高、垂直度更好、深度更深的盲孔,以及便于后续线路外层与线路层、元器件连接,有利于提高导电效果。
[0020]根据本专利技术的一些实施例,所述内层基板上设置有线路层,所述制作方法还包括以下步骤:
[0021]通过图形转移和图形电镀的方式在所述第二绝缘介质层上加工得到与所述线路层、所述元器件连接的外层线路;
[0022]或者,通过图形转移和图形电镀的方式在所述第二绝缘介质层上和所述内层基板的第二侧上加工得到与所述线路层、所述元器件连接的外层线路;通过上述步骤,以便于将内层基板的线路层和贴装在内层基板上的元器件分别与外层线路连接。
[0023]根据本专利技术的一些实施例,所述通过图形转移和图形电镀的方式在所述第二绝缘介质层上加工得到与所述线路层、所述元器件连接的外层线路,包括以下步骤:
[0024]在所述第二绝缘介质层上加工得到种子层;
[0025]通过感光遮蔽材料在所述种子层上加工得到与所述线路层、所述元器件连接的所述外层线路;
[0026]或者,所述通过图形转移和图形电镀的方式在所述第二绝缘介质层上和所述内层基板的第二侧上加工得到与所述线路层、所述元器件连接的外层线路,包括以下步骤:
[0027]在所述内层基板的第二侧和所述第二绝缘介质层上加工得到所述种子层;
[0028]通过感光遮蔽材料在所述种子层上加工得到与所述线路层、所述元器件连接的所述外层线路;通过上述步骤,以便于加工得到外层线路。
[0029]根据本专利技术的一些实施例,还包括以下步骤:利用增强介质材料在所述内层基板
的第二侧和所述第二绝缘介质层上加工得到增强介质层,所述增强介质层覆盖所述外层线路,以便于提高封装基板的刚性,从而便于封装基板的使用。
[0030]根据本专利技术另一方面实施例提供的封装基板,由上述封装基板制作方法制备得到。
[0031]根据本专利技术实施例的封装基板,至少具有如下有益效果:通过上述封装基板制作方法制备得到的封装基板,由于加工时间更短,元器件损失产生的成本更低,从而有利于降低该封装基板的生产成本。
[0032]根据本专利技术又一方面实施例提供的封装基板,包括内层基板、元器件和绝缘介质外层,所述绝缘介质外层通过感光材料加工得到,所述元器件和所述绝缘介质外层均设置在所述内层基板的第一侧上,且所述元器件位于所述绝缘介质外层内。
[0033]根据本专利技术实施例的封装基板,至少具有如下有益效果:在内层基板的基础上封装元器件,使元器件位于绝缘介质外层内,并位于内层基板的第一侧上,以避免内层基板损坏而导致元器件报废的情况,有利于降低元器件损失产生的成本,并且避免将元器件本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装基板制作方法,其特征在于,包括以下步骤:提供内层基板;利用粘性感光材料在所述内层基板的第一侧表面加工得到具有粘性的第一绝缘介质层;将元器件贴装在所述第一绝缘介质层上;利用感光封装材料在所述内层基板的第一侧上加工得到第二绝缘介质层,所述第二绝缘介质层覆盖所述元器件。2.根据权利要求1所述的封装基板制作方法,其特征在于,所述粘性感光材料采用粘性感光膜,所述利用粘性感光材料在所述内层基板的第一侧表面加工得到具有粘性的第一绝缘介质层,包括以下步骤:将所述粘性感光膜贴装在所述内层基板的第一侧表面上,得到所述第一绝缘介质层;或者,所述粘性感光材料采用粘性感光液,所述利用粘性感光材料在所述内层基板的第一侧表面加工得到具有粘性的第一绝缘介质层,包括以下步骤:将所述粘性感光液涂覆在所述内层基板的第一侧表面上,得到所述第一绝缘介质层。3.根据权利要求1所述的封装基板制作方法,其特征在于,所述利用感光封装材料在所述内层基板的第一侧上加工得到第二绝缘介质层,包括以下步骤:将所述感光封装材料涂覆在所述内层基板的第一侧上,并覆盖所述元器件,得到所述第二绝缘介质层。4.根据权利要求1所述的封装基板制作方法,其特征在于,所述内层基板上设置有线路层,所述线路层上设置有至少一个连接点,所述内层基板的第一侧设置有贴附区,所述第一绝缘介质层位于所述贴附区内,所述制作方法还包括以下步骤:通过曝光显影的方式,在所述第二绝缘介质层上加工得到第一盲孔;或者,通过曝光显影的方式,在所述第二绝缘介质层上加工得到所述第一盲孔和第二盲孔;其中,所述第一盲孔的位置与所述元器件的连接端子的位置对应,所述第二盲孔的位置与所述线路层的连接点的位置对应,且所述第一盲孔和所述第二盲孔均贯穿所述第二绝缘介质层。5.根据权利要求1所述的封装基板制作方法,其特征在于,所述内层基板上设置有线路层,所述线路层上设置有至少一个连接点,所述制作方法还包括以下步骤:通过曝光显影的方式,在所述第二绝缘介质层上加工得到第一盲孔;或者,通过曝光显影的方式,在...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈先明林文健黄高冯磊冯进东黄本霞张治军
申请(专利权)人:珠海越亚半导体股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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