【技术实现步骤摘要】
一种可折叠脑电极结构及其制备方法与应用
[0001]本专利技术涉及脑电极
，特别涉及一种可折叠脑电极结构及其制备方法与应用。
技术介绍
[0002]脑电监测对于脑类疾病的诊断和手术定位一直以来都具有不可替代的作用，近年来，随着全世界范围“脑计划”的推出，有效高质量的脑电信号采集显得愈发重要，将直接有助于脑功能解码，促进一系列以此为基础的高新技术发展，比如：脑机接口、神经调控等。
[0003]但现有技术的脑电极结构一般均为平面结构，并不能够很好地对脑皮层甚至大脑深处异形位置的脑组织进行较好的覆盖，且由于脑电极结构为平面结构，当处于弧形或者铺覆在弧度更小的组织位置时，容易造成脑电极结构的过多褶皱，形成应力集中，长期使用后，易造成脑电极结构破损。
技术实现思路
[0004]本专利技术要解决的是现有技术中的脑电极结构对弧形区域的脑组织覆盖性差，且长期使用容易破损技术问题。
[0005]为解决上述技术问题，本申请于一方面公开了一种可折叠脑电极结构，其包括：
[0006]第一结构；
[0007]第二结构，该第二结构上设有记录电极；该第二结构包括N个子结构；该N为大于等于2的整数；该N个子结构中相邻的子结构之间存在预设距离，以使该N个子结构能够向该第一结构的中心聚拢形成弧面；该N个子结构环绕该第一结构的边缘设置。
[0008]可选的，该第一结构的顶部或者该N个子结构中的任一个子结构上设有焊盘阵列；
[0009]该焊盘阵列与外部连接结构的焊盘结构对应连接。>[0010]可选的，该记录电极与该焊盘阵列位于同一平面上；
[0011]该N个子结构的剩余子结构中的每个子结构包括依次层叠的第一基底层、电极导线层和第一绝缘层；
[0012]该电极导线层包括导线和该记录电极；
[0013]该导线的一端与该记录电极连接，该导线的另一端与该焊盘阵列中对应的焊盘连接；
[0014]该绝缘层上设有电极孔，用于暴露出该记录电极。
[0015]可选的，该第一结构的底部设有该焊盘阵列；
[0016]该记录电极包括第一记录电极和第二记录电极；
[0017]该第一结构的顶部设有该第一记录电极；
[0018]该N个子结构中的每个子结构包括依次层叠的第一基底层、导线层、第二基底层、第二记录电极层和第一绝缘层；
[0019]第二基底层上设有第一电极孔，导线层通过第一电极孔与第二记录电极层的第二
记录电极连接；
[0020]该第一绝缘层上设有第二电极孔，该第二电极孔用于暴露出该第二记录电极；
[0021]该第一结构包括第三基底层、第四基底层和第二绝缘层；
[0022]该第三基底层设有通孔阵列；
[0023]该通孔阵列中的每个通孔内设有对应的该焊盘阵列的焊盘；
[0024]该第二绝缘层上设有第三电极孔，该第三电极孔用于暴露出该第一记录电极；
[0025]该第三基底层与该第一基底层连接形成一体结构；
[0026]该第四基底层与该第二基底层连接形成一体结构；
[0027]该第一绝缘层与该第二绝缘层连接形成一体结构。
[0028]可选的，该N个子结构中的每个子结构包括依次层叠的第一基底层、导线层、第二基底层、记录电极层和第一绝缘层；
[0029]第二基底层上设有第一电极孔，导线层通过第一电极孔与记录电极层的记录电极连接；
[0030]该绝缘层上设有第二电极孔，该第二电极孔用于暴露出该记录电极；
[0031]该N个子结构中的任一个子结构的第一基底层设有通孔阵列；
[0032]该通孔阵列中的每个通孔内设有对应的该焊盘阵列的焊盘。
[0033]可选的，该第二结构的形状包括三角形、四边形、五边形或者六边形。
[0034]可选的，该第二结构包括M个第一子结构和N
‑
M个第二子结构；该M为大于等于1的整数；
[0035]该M个第一子结构沿该第一结构的边缘排布，且与该第一结构的边缘连接；
[0036]该N
‑
M个第二子结构沿该M个第一子结构形成的外边缘排布，且该N
‑
M个第二子结构中的每个第二子结构与对应的第一子结构连接。
[0037]本申请于另一方面还公开了一种可折叠脑电极结构的制备方法，其包括：
[0038]提供一硅衬底；
[0039]在该硅衬底上制备牺牲层；
[0040]在该牺牲层上制备支撑层；
[0041]在该支撑层上依次形成导线层和记录电极层；
[0042]在该记录电极层上形成绝缘层；
[0043]图形化、并刻蚀该绝缘层形成电极孔；电极孔能够暴露记录电极层的记录电极；
[0044]释放该牺牲层，得到可折叠脑电极结构，该可折叠脑电极结构包括第一结构和第二结构，该第二结构上设有该记录电极；该第二结构包括N个子结构；该N为大于等于2的整数；该N个子结构中相邻的该子结构之间存在预设距离，以使该N个子结构能够向该第一结构的中心聚拢形成弧面；该N个子结构环绕该第一结构的边缘设置。
[0045]可选的，该释放该牺牲层，得到可折叠脑电极结构之后，还包括：
[0046]将该可折叠脑电极结构放置于弧形模具的内腔；
[0047]向该内腔中倒入蚕丝蛋白溶液；
[0048]干燥后取出，得到折叠固型后的可折叠脑电极结构。
[0049]本申请于另一方面还公开了一种利用上述可折叠脑电极结构在对深部脑核团进行脑信号采集的应用。
[0050]采用上述技术方案，本申请提供的可折叠脑电极结构具有如下有益效果：
[0051]该可折叠脑电极结构具有第一结构和第二结构，该第二结构包括N个子结构；该N为大于等于2的整数；该N个子结构中相邻的子结构之间存在预设距离，以使该N个子结构能够向该第一结构的中心聚拢形成弧面；该N个子结构环绕该第一结构的边缘设置，且上述每个子结构上设有记录电极，由于上述电极结构可以根据需要聚拢成不同弧度的弧面，从而便于适应与不同弧度的脑组织，具有应用灵活性高和不易在弯折处形成应力集中，而且还可以在将该电极结构放置于脑组织之前，可以先折叠形成球体状，降低了该脑电极结构的占用空间，当将其送达指定脑组织处时，可以展开形成所需弧度的结构，具有检测通道多且造成的创面小的优点。
附图说明
[0052]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0053]图1为现有技术中脑电极结构的结构示意图；
[0054]图2为本申请提供的第一种可选的可折叠脑电极结构的结构示意图；
[0055]图3为本申请提供的第二种可选的可折叠脑电极结构的结构示意图；
[0056]图4为本申本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种可折叠脑电极结构，其特征在于，包括：第一结构(2)；第二结构(3)，所述第二结构(3)上设有记录电极(4)；所述第二结构(3)包括N个子结构(31)；所述N为大于等于2的整数；所述N个子结构(31)中相邻的子结构(31)之间存在预设距离，以使所述N个子结构(31)能够向所述第一结构(2)的中心聚拢形成弧面；所述N个子结构(31)环绕所述第一结构(2)的边缘设置。2.根据权利要求1所述的可折叠脑电极结构，其特征在于，所述第一结构(2)的顶部或者所述N个子结构(31)中的任一个子结构(31)上设有焊盘阵列(14)；所述焊盘阵列(14)与外部连接结构的焊盘结构对应连接。3.根据权利要求2所述的可折叠脑电极结构，其特征在于，所述记录电极(4)与所述焊盘阵列(14)位于同一平面上；所述N个子结构(31)的剩余子结构(31)中的每个子结构(31)包括依次层叠的第一基底层(5)、电极导线层(6)和第一绝缘层(16)；所述电极导线层(6)包括导线和所述记录电极(4)；所述导线的一端与所述记录电极(4)连接，所述导线的另一端与所述焊盘阵列(14)中对应的焊盘连接；所述第一绝缘层(16)上设有电极孔，用于暴露出所述记录电极(4)。4.根据权利要求2所述的可折叠脑电极结构，其特征在于，所述第一结构(2)的底部设有所述焊盘阵列(14)；所述记录电极(4)包括第一记录电极(41)和第二记录电极(42)；所述第一结构(2)的顶部设有所述第一记录电极(41)；所述N个子结构(31)中的每个子结构(31)包括依次层叠的第一基底层(5)、导线层(6)、第二基底层(7)、第二记录电极层(8)和第一绝缘层(16)；所述第二基底层(7)上设有第一电极孔(71)，所述导线层(6)通过所述第一电极孔(71)与所述第二记录电极层(8)的第二记录电极(42)连接；所述第一绝缘层(16)上设有第二电极孔(91)，所述第二电极孔(91)用于暴露出所述第二记录电极(42)；所述第一结构(2)包括第三基底层、第四基底层和第二绝缘层；所述第三基底层设有通孔阵列；所述通孔阵列中的每个通孔内设有对应的所述焊盘阵列(14)的焊盘；所述第二绝缘层上设有第三电极孔(10)，所述第三电极孔(10)用于暴露出所述第一记录电极(41)；所述第三基底层与所述第一基底层(5)连接形成一体结构；所述第四基底层与所述第二基底层(7)连接形成一体结构；所述第一绝缘层(16)与所述第二绝缘层连接形成一体结构。5.根据权利要求2所述的可折叠脑电极结构，其特征在于，所述N个子结构(31)中的每个子结构(31)包括依次层叠的第一基底层(...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭雷，谭正，
申请(专利权)人：上海脑虎科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。