非接触式通信介质的制造方法及非接触式通信介质技术

本发明专利技术提供一种与完全未考虑基准谐振频率与临时谐振频率的差异度而确定外部电容器的电容的情况相比，能够使谐振电路的谐振频率容易与基准谐振频率匹配的非接触式通信介质的制造方法及非接触式通信介质。非接触式通信介质具备：处理电路，安装于形成有天线线圈的基板，且具有内置电容器；及外部电容器，与内置电容器及天线线圈一同构成在预先规定的谐振频率下产生谐振的谐振电路。非接触式通信介质的制造方法包括以下步骤：在外部电容器未连接于处理电路的状态下且在处理电路连接于天线线圈的状态下，测定临时谐振频率；及根据非接触式通信介质经由磁场与外部进行通信时的基准谐振频率与临时谐振频率的差异度来确定外部电容器的电容。部电容器的电容。部电容器的电容。

【技术实现步骤摘要】
非接触式通信介质的制造方法及非接触式通信介质


[0001]本专利技术的技术涉及一种非接触式通信介质的制造方法及非接触式通信介质。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开有一种非接触型IC模块，其具有基板、形成于基板的一个面上的天线部、形成于一个面上的IC芯片及形成于基板的另一个面上的共同电极。在专利文献1中所记载的非接触型IC模块中，天线部具备螺旋状图案的天线线圈和沿着天线线圈的外周以螺旋状存在的导体部。
[0003]在专利文献2中公开有一种IC卡，其内置有具有天线线圈和电容器的谐振电路，且至少通过电磁感应以非接触进行通信。专利文献2中所记载的IC卡具有卡主体、内置于卡主体中的IC芯片、内置于卡主体中且连接于IC芯片，并且调整电容器的静电电容值的调整用电容器及至少在压纹加工区域中的卡内部将IC芯片和调整用电容器连接而形成，且构成为能够通过压纹加工区域中的压纹加工来物理切割的配线部。
[0004]在专利文献3中公开有一种天线电路，其形成于绝缘基板表面。专利文献3中所记载的天线电路具有卷绕的平面天线、与平面天线的一端连接的共同连接垫、多个单独连接垫及电感调整用配线。多个单独连接垫与共同连接垫分离规定间隔而配设于共同连接垫的周围。多个单独连接垫中的任一个单独连接垫连接于平面天线的另一端。电感调整用配线将平面天线的中间端子部和多个单独连接垫中连接于平面天线的另一端的单独连接垫以外的单独连接垫分别连接。
[0005]专利文献1：日本特开2007
‑
310898号公报
[0006]专利文献2：日本特开2009
‑
271656号公报
[0007]专利文献3：日本特表2006
‑
217185号公报

技术实现思路

[0008]本专利技术的技术所涉及的一个实施方式提供一种与完全未考虑基准谐振频率与临时谐振频率的差异度而确定外部电容器的电容的情况相比，能够使谐振电路的谐振频率容易与基准谐振频率匹配的非接触式通信介质的制造方法及非接触式通信介质。
[0009]本专利技术的技术所涉及的第1方式为一种非接触式通信介质的制造方法，所述非接触式通信介质具备：处理电路，安装于形成有天线线圈的基板，且具有内置电容器，所述天线线圈通过从外部施加的磁场的作用而产生电力；及外部电容器，相对于处理电路外置，且与内置电容器及天线线圈一同构成通过磁场的作用而在预先规定的谐振频率下产生谐振的谐振电路，处理电路使用由谐振电路生成的电力进行工作，其中，所述非接触式通信介质的制造方法包括以下步骤：在外部电容器未连接于处理电路的状态下且在处理电路连接于天线线圈的状态下，测定临时谐振频率；及根据非接触式通信介质经由磁场与外部进行通信时的基准谐振频率与临时谐振频率的差异度来确定外部电容器的电容。
[0010]本专利技术的技术所涉及的第2方式为第1方式所涉及的非接触式通信介质的制造方
法，其还包括以下步骤：通过将具有所确定的电容的外部电容器安装于基板来形成谐振电路。
[0011]本专利技术的技术所涉及的第3方式为第2方式所涉及的非接触式通信介质的制造方法，其中，通过将外部电容器以表面安装方式连接于基板来形成谐振电路。
[0012]本专利技术的技术所涉及的第4方式为第2方式或第3方式所涉及的非接触式通信介质的制造方法，其中，在用密封材料密封连接于天线线圈的状态的处理电路之后，将具有所确定的电容的外部电容器安装于基板。
[0013]本专利技术的技术所涉及的第5方式为第1方式至第4方式中任一方式所涉及的非接触式通信介质的制造方法，其中，在外部电容器未连接于处理电路的状态下，将处理电路连接于天线线圈之后，测定临时谐振频率。
[0014]本专利技术的技术所涉及的第6方式为第1方式至第5方式中任一方式所涉及的非接触式通信介质的制造方法，其还包括以下步骤：发送表示临时谐振频率的信号；及接收所发送的信号，根据由所接收的信号表示的临时谐振频率来确定外部电容器的电容。
[0015]本专利技术的技术所涉及的第7方式为第1方式至第6方式中任一方式所涉及的非接触式通信介质的制造方法，其中，处理电路已被IC芯片化。
[0016]本专利技术的技术所涉及的第8方式为第1方式至第7方式中任一方式所涉及的非接触式通信介质的制造方法，其中，基板为柔性类型的基板。
[0017]本专利技术的技术所涉及的第9方式为一种非接触式通信介质，其具备：处理电路，搭载于形成有天线线圈的基板，且具有内置电容器，所述天线线圈通过从外部施加的磁场的作用而产生电力；及外部电容器，相对于处理电路外置，且与内置电容器及天线线圈一同构成通过磁场的作用而在预先规定的谐振频率下产生谐振的谐振电路，其中，处理电路使用由谐振电路生成的电力进行工作，根据非接触式通信介质经由磁场与外部进行通信时的基准谐振频率与临时谐振频率的差异度来确定外部电容器的电容，所述临时谐振频率是在外部电容器未连接于处理电路的状态下且在处理电路连接于天线线圈的状态下测定的。
[0018]本专利技术的技术所涉及的第10方式为第9方式所涉及的非接触式通信介质，其中，处理电路已被IC芯片化。
[0019]本专利技术的技术所涉及的第11方式为第9方式或第10方式所涉及的非接触式通信介质，其中，基板为柔性类型的基板。
附图说明
[0020]图1是表示实施方式所涉及的磁带盒的外观的一例的概略立体图。
[0021]图2是表示实施方式所涉及的磁带盒的下壳体的内侧的右后端部的结构的一例的概略立体图。
[0022]图3是表示设置于实施方式所涉及的磁带盒的下壳体的内表面的支撑部件的一例的侧面剖视图。
[0023]图4是表示实施方式所涉及的磁带驱动器的硬件结构的一例的概略结构图。
[0024]图5是表示通过非接触式读写装置从实施方式所涉及的磁带盒的下侧释放磁场的方式的一例的概略立体图。
[0025]图6是表示从非接触式读写装置对实施方式所涉及的磁带盒内的盒式存储器赋予
磁场的方式的一例的概念图。
[0026]图7是表示实施方式所涉及的盒式存储器的背面结构的一例的仰视图。
[0027]图8是表示实施方式所涉及的盒式存储器的表面结构的一例的俯视图。
[0028]图9是表示实施方式所涉及的盒式存储器的电路结构的一例的概略电路图。
[0029]图10是表示实施方式所涉及的谐振电路形成系统的一例的框图。
[0030]图11是表示实施方式所涉及的电容确定部的工作的一例的说明图。
[0031]图12是表示实施方式所涉及的电容确定部的工作的一例的说明图。
[0032]图13是表示实施方式所涉及的电容确定部的工作的一例的说明图。
[0033]图14是表示实施方式所涉及的盒式存储器的制造工序的一例的流程图。
[0034]图15是表示盒式存储器的表面结构的变形例的俯视图。
[0035]图16是表示磁带盒内的盒式存储器的倾斜角度的变形例的概念图。
具体实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非接触式通信介质的制造方法，所述非接触式通信介质具备：处理电路，安装于形成有天线线圈的基板，且具有内置电容器，所述天线线圈通过从外部施加的磁场的作用而产生电力；及外部电容器，相对于所述处理电路外置，且与所述内置电容器及所述天线线圈一同构成通过所述磁场的作用而在预先规定的谐振频率下产生谐振的谐振电路，所述处理电路使用由所述谐振电路生成的电力进行工作，其中，所述非接触式通信介质的制造方法包括以下步骤：在所述外部电容器未连接于所述处理电路的状态下且在所述处理电路连接于所述天线线圈的状态下，测定临时谐振频率；及根据所述非接触式通信介质经由所述磁场与所述外部进行通信时的基准谐振频率与所述临时谐振频率的差异度来确定所述外部电容器的电容。2.根据权利要求1所述的非接触式通信介质的制造方法，其还包括以下步骤：通过将具有所确定的电容的所述外部电容器安装于所述基板来形成所述谐振电路。3.根据权利要求2所述的非接触式通信介质的制造方法，其中，通过将所述外部电容器以表面安装方式连接于所述基板来形成所述谐振电路。4.根据权利要求2或3所述的非接触式通信介质的制造方法，其中，在用密封材料密封连接于所述天线线圈的状态的所述处理电路之后，将具有所确定的电容的所述外部电容器安装于所述基板。5.根据权利要求1至3中任一项所述的非接触式通信介质的制造方法，其中，在所述外部电容器...

【专利技术属性】
技术研发人员：片冈英一郎，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：