一种并联电池包保护电路制造技术

技术编号:33899681 阅读:37 留言:0更新日期:2022-06-22 17:40
本申请涉及一种并联电池包保护电路,应用于并联电池包中,所述并联电池包的正极端与充电器的正输入端连接形成正充电回路;所述电路包括主控芯片、电压检测电路、开关电路、供电电路;所述主控芯片设置有第一电源端、检测电压端、使能端,所述第一电源端通过供电电路与所述正极端连接,所述检测电压端与所述电压检测电路连接,所述使能端与开关电路连接;所述电压检测电路分别与并联电池包的多个电芯连接,所述开关电路连接在所述正充电回路上。其有益效果在于:本申请通过在充电时,对多个电芯的电压进行检测,当电压值超出正常范围时,通过开关电路关断充电,实现对电池包进行保护。实现对电池包进行保护。实现对电池包进行保护。

【技术实现步骤摘要】
一种并联电池包保护电路


[0001]本申请涉及电池管理系统
,特别涉及一种并联电池包保护电路。

技术介绍

[0002]随着锂离子电池应用领域的增多,在智能手机、移动充电宝、电动工具、吸尘器领域都有广泛应用。多个电池包用一套充电器充电场景,往往需要等当前电池包充满后手动换下一个电池继续充电,人工效率低。配多个充电器同时充电会造成资源闲置;增加充电自动切换控制模块会造成成本增加;使用通讯总线控制电池包充电切换对软、硬件要求高。

技术实现思路

[0003]本申请为了解决上述多个电池包的充电保护问题,提供了一种并联电池包保护电路。
[0004]一种并联电池包保护电路,应用于并联电池包中,所述并联电池包的正极端与充电器的正输入端连接形成正充电回路;所述电路包括主控芯片、电压检测电路、开关电路、供电电路、防反电路;
[0005]所述主控芯片设置有第一电源端、检测电压端、使能端,所述第一电源端通过供电电路与所述正极端连接,所述检测电压端与所述电压检测电路连接,所述使能端与开关电路连接;所述电压检测电路分别与并联电池包的多个电芯连接,所述开关电路、防反电路连接在所述正充电回路上。
[0006]可选地,所述电压检测电路包括AFE芯片,所述AFE芯片设置有第二电源端、WKUP端、SDA端、SCL端、VAO端、VD33端、以及多个检测端;多个所述检测端分别与多个电芯连接,所述第二电源端通过第一稳压电路与所述并联电池包正极连接,所述WKUP端与充电器正输入端连接,所述SDA端、SCL端、VAO端分别与所述检测电压端连接,所述VD33端输出第一电源。
[0007]可选地,所述检测端与电芯之间还连接有分压电路,所述分压电路包括分别连接在所述检测端的第一电阻、第一电容、第一静电管,所述第一电阻另一端与电芯正极连接,所述第一电容、第一静电管另一端接地。
[0008]可选地,所述SDA端、SCL端与主控芯片之间还连接导通电路;所述导通电路包括第一MOS管、第二MOS管,
[0009]所述第一MOS管的栅极与所述第一电源连接,源级通过分压电阻与SDA端连接,漏级与主控芯片连接;
[0010]所述第二MOS管的栅极有所述第一电源电路,源级通过分压电阻与SCL端连接,漏级与主控芯片连接;
[0011]所述第一电源通过分压电阻分别与所述第一MOS管的源级、第二MOS管的源级连接,所述供电电路的第二电源通过分压电阻分别与第一MOS管的漏级、第二MOS管的漏级连接。
[0012]可选地,所述供电电路包括第二电阻、第一三极管、第三MOS管、第二稳压电路、第三稳压电路、电源芯片,
[0013]所述第三MOS管的栅极通过第二电阻与第一三极管的集电极连接,源级与并联电池包正极端连接,漏级通过第二稳压电路与电源芯片连接;所述第一三极管的基极通过分压电阻与第一电源连接,发射极接地;所述第三MOS管的栅极和源级之间还连接有第三稳压电路;所述电源芯片的输出端输出第二电源。
[0014]可选地,所述开关电路包括第四MOS管、第四稳压电路、第二三极管、第三电阻,
[0015]所述第二三极管的基极通过分压电阻与所述使能端连接,集电极通过第三电阻与第四MOS管连接,发射极接地;
[0016]所述第四MOS管的源级与所述正输入端连接,漏级与正极端连接;所述第四稳压电路连接在所述第四MOS管的栅极、源级之间。
[0017]可选地,所述防反电路包括防反二极管,所述防反二极管连接在所述第四MOS管源级与正输入端之间。
[0018]可选地,还包括充电识别电路,所述充电识别电路与主控芯片的充电端连接,所述充电识别电路包括第三三极管、第四电阻,
[0019]所述第三三极管的基极通过第四电阻与所述正输入端连接,集电极与所述充电端连接,发射极接地。
[0020]可选地,还包括电流检测电路,所述电流检测电路包括第五电阻、第六电阻、以及放大芯片;
[0021]所述第五电阻、第六电阻与并联电池包的负极端连接,所述第五电阻另一端与充电器的负输入端连接,所述第六电阻另一端接地;
[0022]其中,所述第五电阻两端与放大芯片的第一输入端、第二输入端连接,所述放大芯片的输出端与所述主控芯片的检测电流端连接。
[0023]可选地,还包括与所述主控芯片的温度检测端连接的温度检测电路,所述温度检测电路包括温度传感器、第七电阻、第八电阻、第二电容、第三电容;
[0024]所述温度检测端与第七电阻、第二电容连接,所述第七电阻分别与温度传感器、第八电阻、第三电容连接,所述第八电阻另一端与第二电源连接,所述第二电容、第三电容、温度传感器另一端接地。
[0025]可选地,还包括与主控芯片的放电端连接的放电电路,所述放电电路包括第四三极管、第五MOS管,
[0026]所述放电端包括第一放电端、第二放电端;所述第一放电端与第四三极管的基极连接,第二放电端通过分压电阻与第四三极管的集电极、第五MOS管的栅极连接,所述第四三极管的发射极接地;
[0027]所述第五MOS管的源级与并联电池包的负极端连接,漏级与外部供电设备的负极连接。
[0028]本申请的一种并联电池包保护电路,其有益效果在于:本申请通过在充电时,对多个电芯的电压进行检测,当电压值超出正常范围时,通过开关电路关断充电,实现对电池包进行保护。同时,本申请还可以设置电流检测电路、温度检测电路、放电电路对电池的进行多方面检测和保护,使并联电池包寿命更长,更加安全。
附图说明
[0029]图1为本申请实施例的保护电路原理图一。
[0030]图2为本申请实施例的主控芯片示意图。
[0031]图3为本申请实施例的供电电路原理图。
[0032]图4为本申请实施例的开关电路原理图。
[0033]图5为本申请实施例的放大芯片示意图。
[0034]图6为本申请实施例的温度检测电路原理图。
具体实施方式
[0035]附图仅用于示例性说明,不能理解为对本专利的限制;为了更好说明本实施例,附图某些部件会有省略、放大或缩小,并不代表实际产品的尺寸;对于本领域技术人员来说,附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。附图中描述位置关系仅用于示例性说明,不能理解为对本专利的限制。
[0036]本技术实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件;在本技术的描述中,需要理解的是,若有术语“上”、“下”、“左”、“右”“长”“短”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明,不能理解为对本专利的限制,对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
[0037]下面通过具体实施例,并结合附图,对本技术的技术方案作进一步的具体描述:<本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种并联电池包保护电路,其特征在于,应用于并联电池包中,所述并联电池包的正极端与充电器的正输入端连接形成正充电回路;所述电路包括主控芯片、电压检测电路、开关电路、供电电路、防反电路;所述主控芯片设置有第一电源端、检测电压端、使能端,所述第一电源端通过供电电路与所述正极端连接,所述检测电压端与所述电压检测电路连接,所述使能端与开关电路连接;所述电压检测电路分别与并联电池包的多个电芯连接;所述开关电路、防反电路连接在所述正充电回路。2.根据权利要求1所述的一种并联电池包保护电路,其特征在于,所述电压检测电路包括AFE芯片,所述AFE芯片设置有第二电源端、WKUP端、SDA端、SCL端、VAO端、VD33端、以及多个检测端;多个所述检测端分别与多个电芯连接,所述第二电源端通过第一稳压电路与所述并联电池包正极连接,所述WKUP端与充电器正输入端连接,所述SDA端、SCL端、VAO端分别与所述检测电压端连接,所述VD33端输出第一电源。3.根据权利要求2所述的一种并联电池包保护电路,其特征在于,所述检测端与电芯之间还连接有分压电路,所述分压电路包括分别连接在所述检测端的第一电阻、第一电容、第一静电管,所述第一电阻另一端与电芯正极连接,所述第一电容、第一静电管另一端接地;所述SDA端、SCL端与主控芯片之间还连接导通电路;所述导通电路包括第一MOS管、第二MOS管,所述第一MOS管的栅极与所述第一电源连接,源级通过分压电阻与SDA端连接,漏级与主控芯片连接;所述第二MOS管的栅极有所述第一电源电路,源级通过分压电阻与SCL端连接,漏级与主控芯片连接;所述第一电源通过分压电阻分别与所述第一MOS管的源级、第二MOS管的源级连接,所述供电电路的第二电源通过分压电阻分别与第一MOS管的漏级、第二MOS管的漏级连接。4.根据权利要求2所述的一种并联电池包保护电路,其特征在于,所述供电电路包括第二电阻、第一三极管、第三MOS管、第二稳压电路、第三稳压电路、电源芯片,所述第三MOS管的栅极通过第二电阻与第一三极管的集电极连接,源级与并联电池包正极端连接,漏级通过第二稳压电路与电源芯片连接;所述第一三极管的基极通过分压电阻与第一电源连接,发射极接地;所述第三MOS管的栅极和源级之间还连接有第三稳压电路...

【专利技术属性】
技术研发人员:伍洪平黄炳全戴清明尹志明
申请(专利权)人:惠州市蓝微电子有限公司
类型:新型
国别省市:

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