吸盘，光刻投影设备，制造吸盘的方法和器件制造方法技术

一种利用静电力将下述器件保持到支承台上的吸盘： － 在制造器件时用光刻投影技术处理的基底；或 － 在光刻投影设备、诸如掩膜检验或清洁设备等掩膜处理设备，或掩膜制造设备中的光刻投射掩膜或掩膜坯料； 所述吸盘包括： 第一介电元件，其特征在于，所述第一介电元件具有至少１０↑［１６］Ωｃｍ的电阻率和小于０．０２ｘ１０↑［－６］Ｋ↑［－１］的热膨胀系数。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及利用静电力将下述器件保持到支承台上的吸盘- 在制造器件时用光刻投影技术处理的基底；或- 在光刻投影设备、诸如掩膜检验或清洁设备等掩膜处理设备或掩膜制造设备中的光刻投影掩膜或掩膜坯料；所述吸盘包括第一介电元件。本专利技术还涉及光刻投影设备，该光刻投影设备包括- 辐射系统，用于提供辐射投影光束；- 支承结构，用于支承图案形成装置，该图案形成装置根据所需图案将投影光束形成图案；- 基底台，用于支承基底；- 投影系统，用于将形成图案的光束投影到基底的目标部分。本专利技术还涉及制造用于光刻投影设备的基底、反射镜或掩膜台或吸盘或支架的方法。
技术介绍
这里所说的术语“图案形成装置”应被广义理解为能用来使输入的辐射光束具有与在基底目标部分所要形成的图案相对应的形成图案的截面的装置；术语“光阀”也可在本文中使用。通常，所述图案与在器件例如集成电路或其它器件(见下文)的目标部分中所形成的特定功能层对应。这种图案形成装置的实例包括- 掩膜。掩膜的概念在光刻技术中是众所周知的，它包括诸如双重型、交替相移型和衰减相移型掩膜、以及各种混合型掩膜。这种掩膜在辐射光束中的设置使得接触掩膜的辐射根据掩膜上的图案而有选择地透射(在透射掩膜的情况下)或反射(在反射掩膜的情况下)。在掩膜的情况下中，支承结构一般是掩膜台，掩膜台确保掩膜能在输入辐射光束时保持在所需位置，并可使掩膜在需要时相对光束运动。- 可编程反射镜阵列。这种器件的一个实例是具有粘弹性控制层和反射表面的矩阵可寻址表面。这种器件的基本原理是(例如)反射表面的寻址区反射作为衍射光的入射光，而非寻址区反射作为非衍射光的入射光。利用适当的滤光器，可将所述非衍射光从反射光束中滤出，只留下衍射光；在这种方式中，光束根据矩阵可寻址表面的寻址图案而形成图案。可编程反射镜阵列的另一个实施例应用微反射镜的矩阵排列，通过施加适宜的局部电场或使用压电致动装置而使每个微反射镜独立地相对轴倾斜。再有，反射镜是矩阵可寻址的，所以寻址的反射镜将以与非寻址反射镜不同的方向反射入射辐射光束；以这种方式，被反射光束根据矩阵可寻址反射镜的寻址图案形成图案。可利用适当的电子装置进行所需的矩阵寻址。在上述两种情况下，图案形成装置可包括一个或多个可编程反射镜阵列。本文涉及的有关反射镜阵列的更多信息可从例如美国专利US 5,296,891、US 5,523,193和PCT专利申请WO98/38597、WO98/33096中得到，以上专利申请在此引作参考。在可编程反射镜阵列的情况下，所述支承结构可具体化为例如支架或台，根据需要，它们可以是固定的或可移动的。- 可编程LCD阵列。这种结构的一个实例在美国专利US 5,229,872中给出，该专利在此引作参考。如上所述，这种情况中的支承结构可具体化为例如支架或台，根据需要，它们可以是固定的或可移动的。为简明起见，在本文其余部分的某些地方所直接具体涉及的实例包括掩膜和掩膜台；但是，在这些实例中讨论的一般原理应在以上所述图案形成装置的更多的叙述中看到。例如，光刻投影设备可在制造集成电路(ICs)时被使用。在这种情况下，图案形成装置可对应IC的特定层产生电路图案，这个图案可成像到已经覆盖辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅片)上的目标部分(例如，包括一个或多个芯片)。一般地，单个晶片包含邻接目标部分的整体网，该目标部分经投影系统被一次一个地连续照射。在现有设备中，借助掩膜台上的掩膜形成图案，两个不同种类的机器会产生差异。在一种类型的光刻投影设备中，每个目标部分通过在一个行程中将整个掩膜图案曝光到目标部分而被照射；这个设备通常被称作晶片步进器。在另一种通常被称作步进扫描装置的设备中，在给定参考方向(“扫描”方向)上，通过渐进地扫描投影光束下的掩膜图案而照射每个目标部分，同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描基底台；通常，因为投影系统具有放大倍率M(一般＜1)，所以，基底台被扫描的速度V将是掩膜台被扫描速度的M倍。与这里所述光刻器件有关的更多信息可在例如US6,046,792中得到，US 6,046,792在本文中引作参考。在使用光刻投影设备的制造处理中，图案(如在掩膜中的图案)被成像到至少局部被辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖的基底上。在这个成像步骤之前，基底可进行诸如涂底层、抗蚀剂涂覆和软烘烤等各种处理。曝光之后，基底可进行诸如后曝光烘烤(PEB)、显影、硬烘烤和成像结构的测量/检查之类的其它处理。这套程序被用作将例如IC器件的特定层图案化的基础。而后，这种形成图案的层可进行诸如蚀刻、离子注入(掺杂质)、镀金属、氧化、化学-机械抛光等所有需要的各种处理以制成特定层。如果需要多层，则必须对每个新层重复整个处理过程或重复整个处理过程的变型。最后，器件的排列将呈现在基底(晶片)上。而后，用诸如切片或锯片等技术将这些器件彼此分离，可将单个器件安装到与管脚连接的载体上。其它与这种处理有关的信息可从例如“Microchip FabricationA Practical Guide to Semiconductor Processing”(ThirdEdition，by Peter van Zant，McGraw Hill Publishing Co.，1997，ISBN 0-07-067250-4)一书中得到，该书在本文中引作参考。为简明起见，投影系统在下文中可称作“透镜”；但是，这一术语应该被广泛解释为包括例如折射光学装置、反射光学装置和反射折射系统的各种投影系统。该照射系统还可包括根据对照射投影光束的引导、成形或控制的任何设计类型的需要而操作的部件，这些部件在下面也可被集合或单个地称作“透镜”。另外，光刻设备是可具有两个或多个基底台(和/或两个或多个掩膜台)类型的。在这种“多级”器件中，附加的台可并行使用，或在一个或多个台上进行准备步骤，而在一个或多个其它台上进行曝光。例如，在US 5,969,441和WO98/40791中描述了双级光刻设备，上述专利在本文引作参考。在光刻设备中，基底必须非常牢固地保持在基底台上，以便既使基底台在其扫描运动期间经受很高的加速度时也能准确知道其位置。在现有的机器中，基底保持器或吸盘包括被壁围绕的具有凸起的表面。该基底被放置在壁和凸起上，其后的空间被排成真空，于是其上的气压提供强的夹持力以将基底保持在适当位置。这种基底保持器的其它细节可从EP-A-0 947 884中得到，该专利在本文引作参考。上述类型的基底保持器被证明对于目前光刻设备是有效的。然而，为满足不断提出的对于减小成像尺寸的要求，必须减小投影光束所用辐射的波长。从而在当前器件使用的例如波长为248nm、193nm或157nm的紫外辐射的同时，改进的分辩率要求光刻设备的显影使用远紫外(EUV)辐射(即，波长小于50nm)、x射线、电子或离子束。这些建议的辐射类型均要求光路或至少其很大部分必须保持在真空中。因此，在基底上没有大气压力的情况下，常规的基于真空的基底保持器不起作用。类似的要求也必须在掩膜写入、掩膜清洁和掩膜检验设备中得到满足，因此，吸盘具有与光刻投影设备相同的问题。所以，建议用静电吸盘借助静电力将基底保持在基底台上。为了做到这一点，横跨具有电极的介电材料上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：J·范埃尔普，P·吉森，J·J·范德维尔德，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：