一种射频滤波电路和一种射频滤波电路的调节方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种射频滤波电路和一种射频滤波电路的调节方法，所述射频滤波电路包括：选频网络和至少一个电感调节电路；各个所述电感调节电路连接于所述第一电感或所述第二电感的两个过孔之间；所述电感调节电路导通时，减少所述第一电感或所述第二电感的电感量；所述电感调节电路断路时，增大所述第一电感或所述第二电感的电感量。根据本发明专利技术实施例，微带线电感解决了普通线绕电感线圈不利于固定，电感量易受震动影响，有可能导致滤波网络曲线变差的问题，通过切换电感调节电路不同的通断组合方式，实现多种选频网络组合，可以提高滤波网络的调试精度及批量生产一致性。提高滤波网络的调试精度及批量生产一致性。提高滤波网络的调试精度及批量生产一致性。

【技术实现步骤摘要】
一种射频滤波电路和一种射频滤波电路的调节方法


[0001]本专利技术涉及电子
，特别是涉及一种射频滤波电路、一种射频滤波电路的调节方法、一种电路板结构和一种半导体设备。

技术介绍

[0002]随着射频电源应用领域和射频通信领域的飞速发展，对射频电源、通信固态放大器等设备输出功率的整体指标，尤其在信噪比和谐波抑制方面都有了更高要求。这就对射频电源内部的射频滤波装置的调试精度及安装工艺的一致性有了更高的要求。

技术实现思路

[0003]鉴于上述问题，提出了本专利技术实施例，以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种射频滤波电路和相应的一种射频滤波电路的调节方法、一种电路板结构和一种半导体设备。
[0004]为了解决上述问题，本专利技术实施例公开了一种射频滤波电路，包括：选频网络和至少一个电感调节电路；
[0005]所述选频网络包括第一电感、第二电感、第一电容、第二电容和第三电容；
[0006]所述第一电容的一端与所述第一电感的输入端和射频输入端连接，另一端接地；
[0007]所述第一电感与所述第二电感串联；
[0008]所述第二电容的一端连接在所述第一电感与所述第二电感之间，另一端接地；
[0009]所述第三电容的一端与所述第二电感的输出端和射频输出端连接，另一端接地；所述第一电感和所述第二电感为微带线电感，且各个微带线段基于过孔连接；
[0010]各个所述电感调节电路连接于所述第一电感或所述第二电感的两个过孔之间；所述电感调节电路导通时，减少所述第一电感或所述第二电感的电感量；所述电感调节电路断路时，增大所述第一电感或所述第二电感的电感量。
[0011]可选地，还包括：电容调节电路；所述选频网络还包括：第四电容；
[0012]所述第四电容的一端连接于所述电容调节电路，另一端接地；
[0013]所述电容调节电路的一端连接于所述第一电感与所述第二电感之间，另一端与所述第四电容连接；所述电容调节电路导通时，所述第四电容接入所述选频网络；所述电容调节电路断路时，所述第四电容断开所述选频网络。
[0014]可选地，
[0015]所述电感调节电路包括第一MOS管、第一电阻和第五电容；
[0016]所述第一MOS管的D极连接于所述第一电感或所述第二电感的一个过孔，G极与所述第一电阻连接，S极与所述第五电容和控制信号输出端连接；
[0017]所述第一电阻的一端连接于所述第一MOS管，另一端与控制信号输入端连接；
[0018]所述第五电容的一端连接于所述第一MOS管和所述控制信号输出端，另一端与所述第一电感或所述第二电感的另一个过孔连接；
[0019]所述第一MOS管根据接收到的控制信号导通时，减少所述第一电感或所述第二电感的电感量；所述第一MOS管根据接收到的控制信号断路时，增大所述第一电感或所述第二电感的电感量。
[0020]可选地，
[0021]连接于所述第一电感的所述电感调节电路的数量与连接于所述第二电感的所述电感调节电路的数量相同；
[0022]连接于所述第一电感的第一数量的所述电感调节电路导通时，连接于所述第二电感的第一数量的所述电感调节电路导通；
[0023]连接于所述第一电感的第二数量的所述电感调节电路断路时，连接于所述第二电感的第二数量的所述电感调节电路断路。
[0024]可选地，
[0025]所述电容调节电路包括第二MOS管和第二电阻；
[0026]所述第二MOS管的D极连接于所述第一电感与所述第二电感之间，G极与所述第二电阻连接，S极与所述第四电容和控制信号输出端连接；
[0027]所述第二电阻的一端连接于所述第二MOS管，另一端与控制信号输入端连接；
[0028]所述第二MOS管根据接收到的控制信号导通时，所述第四电容接入所述选频网络；所述第二MOS管根据接收到的控制信号断路时，所述第四电容断开所述选频网络。
[0029]可选地，所述第一电容、所述第二电容、所述第三电容和所述第四电容均为可调电容，所述第五电容为固定电容，所述可调电容的介质为聚四氟片。
[0030]可选地，所述第一电感的微带线段和所述第二电感的微带线段的排列方向不同。
[0031]本专利技术实施例还公开了一种射频滤波电路的调节方法，应用于如上所述的射频滤波电路，所述方法包括：
[0032]确定目标抑制频率，并根据所述目标抑制频率确定所述射频滤波电路所需的目标电感参数和目标电容参数；
[0033]根据所述目标电感参数，调整所述第一电感或所述第二电感中间隔相邻的微带线段的短接方式；和/或，根据所述目标电感参数，调整各个所述电感调节电路的通断组合方式；
[0034]根据所述目标电容参数，调整所述第一电容、第二电容和第三电容中晶片介质的数量；和/或，根据所述目标电容参数，控制所述电容调节电路的通断。
[0035]本专利技术实施例还公开了一种电路板结构，包括如上所述的射频滤波电路，所述射频滤波电路与散热器连接。
[0036]本专利技术实施例还公开了一种半导体工艺设备，包括射频滤波装置，所述射频滤波装置采用如上所述的射频滤波电路。
[0037]本专利技术实施例包括以下优点：
[0038]在本专利技术实施例中，射频滤波电路中包括选频网络和至少一个电感调节电路，选频网络中的第一电感和第二电感为微带线电感，且各个微带线段基于过孔连接，各个电感调节电路连接于第一电感或第二电感的两个过孔之间，根据电感调节电路的通断情况，可以调整第一电感或第二电感的电感量。采用这种方法，微带线电感解决了普通线绕电感线圈不利于固定，电感量易受震动影响，有可能导致滤波网络曲线变差的问题，通过切换电感
调节电路不同的通断组合方式，实现多种选频网络组合，可以提高滤波网络的调试精度及批量生产一致性。
附图说明
[0039]图1是一种现有的绕制电感和电容的组合方式示意图；
[0040]图2是本专利技术实施例的一种射频滤波电路的结构框图；
[0041]图3是本专利技术实施例的另一种射频滤波电路的结构框图；
[0042]图4是本专利技术实施例的一种射频滤波电路的电路图；
[0043]图5是本专利技术实施例的一种射频滤波电路的调节方法的步骤流程图；
[0044]图6是本专利技术实施例的一种填充式可调电容的示意图；
[0045]图7是与图4对应的电路板结构示意图；
[0046]图8是与图4对应的电路板结构的轴侧示意图；
[0047]图9是本专利技术实施例的一种电路板结构的侧视示意图。
具体实施方式
[0048]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[004本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频滤波电路，其特征在于，包括：选频网络和至少一个电感调节电路；所述选频网络包括第一电感、第二电感、第一电容、第二电容和第三电容；所述第一电容的一端与所述第一电感的输入端和射频输入端连接，另一端接地；所述第一电感与所述第二电感串联；所述第二电容的一端连接在所述第一电感与所述第二电感之间，另一端接地；所述第三电容的一端与所述第二电感的输出端和射频输出端连接，另一端接地；所述第一电感和所述第二电感为微带线电感，且各个微带线段基于过孔连接；各个所述电感调节电路连接于所述第一电感或所述第二电感的两个过孔之间；所述电感调节电路导通时，减少所述第一电感或所述第二电感的电感量；所述电感调节电路断路时，增大所述第一电感或所述第二电感的电感量。2.根据权利要求1所述的射频滤波电路，其特征在于，还包括：电容调节电路；所述选频网络还包括：第四电容；所述第四电容的一端连接于所述电容调节电路，另一端接地；所述电容调节电路的一端连接于所述第一电感与所述第二电感之间，另一端与所述第四电容连接；所述电容调节电路导通时，所述第四电容接入所述选频网络；所述电容调节电路断路时，所述第四电容断开所述选频网络。3.根据权利要求1所述的射频滤波电路，其特征在于，所述电感调节电路包括第一MOS管、第一电阻和第五电容；所述第一MOS管的D极连接于所述第一电感或所述第二电感的一个过孔，G极与所述第一电阻连接，S极与所述第五电容和控制信号输出端连接；所述第一电阻的一端连接于所述第一MOS管，另一端与控制信号输入端连接；所述第五电容的一端连接于所述第一MOS管和所述控制信号输出端，另一端与所述第一电感或所述第二电感的另一个过孔连接；所述第一MOS管根据接收到的控制信号导通时，减少所述第一电感或所述第二电感的电感量；所述第一MOS管根据接收到的控制信号断路时，增大所述第一电感或所述第二电感的电感量。4.根据权利要求1所述的射频滤波电路，其特征在于，连接于所述第一电感的所述电感调节电路的数量与连接于所述第二电感的所述电感调节...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈凯，李光健，王敬杨，白雪，李冠军，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：