一种柔性神经电极封装结构、制备方法及设备技术

本发明专利技术涉及脑机接口技术领域，特别涉及一种柔性神经电极封装结构、制备方法及设备。包括：至少两个堆叠设置的平面柔性神经电极阵列；所述平面柔性神经电极阵列包括基底和封装基板；所述基底的正面与所述封装基板的正面连接；所述封装基板在水平面上的投影与所述基底在水平面上的投影至少部分不重合；所述封装基板的反面至少部分边沿与另一个所述封装基板的正面至少部分边沿连接。该柔性神经电极封装结构，将平面的柔性神经电极进行集成，实现了大面积覆盖的3D堆叠封装柔性神经电极阵列。将二维的柔性神经电极阵列通过三维封装集成的方式，得到一体化3D柔性神经电极阵列，可用于实现对大脑区域高密度高空间分辨的神经信号采集。采集。采集。

【技术实现步骤摘要】
一种柔性神经电极封装结构、制备方法及设备


[0001]本专利技术涉及脑机接口
，特别涉及一种柔性神经电极封装结构、制备方法及设备。

技术介绍

[0002]脑机接口是指将大脑与外部设备相连以实现信息交互的技术，对探索脑科学和脑疾病的诊治有重要的研究意义。神经电极是脑机接口的核心组成部分，可分为侵入式和非侵入式两种类型。对比非侵入式神经电极(如头戴式脑电帽)通过大脑头皮间接获取微弱脑电信号，侵入式电极直接与神经组织接触，可获取高精度高灵敏度的神经元信息，引起了研究人员的广泛关注。
[0003]侵入式神经电极可根据材料细分为刚性电极和柔性电极。其中，刚性电极中最具代表性的为犹他电极。基于成熟的微机电加工工艺，可制备出高密度的三维阵列化电极。然而，刚性电极因其机械强度与大脑组织不匹配，易造成大脑的损伤、诱发炎症反应，不适用于长期植入。柔性神经电极具有良好的生物相容性，被认为是未来侵入式神经电极的发展方向。然而，目前柔性电极的发展受限于较低的集成度。尤其是由于柔性电极的加工依靠平面的加工工艺，神经电极上的电极位点仅具备一维分布或二维分布，无法实现高密度三维空间分辨的神经信号采集。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题是现有的柔性神经电极多采用平面阵列而带来的空间分辨不足的问题。
[0005]为解决上述技术问题，第一方面，本申请实施例公开了一种柔性神经电极封装结构，包括：
[0006]至少两个堆叠设置的平面柔性神经电极阵列；
[0007]所述平面柔性神经电极阵列包括基底和封装基板；所述基底的正面与所述封装基板的正面连接；
[0008]所述封装基板在水平面上的投影与所述基底在水平面上的投影至少部分不重合；
[0009]所述封装基板的反面至少部分边沿与另一个所述封装基板的正面至少部分边沿连接。
[0010]进一步的，所述封装基板的边沿设置有贯穿所述封装基板的焊接点；
[0011]一个所述封装基板中的所述焊接点，与另一个所述封装基板中的所述焊接点通过焊接连接。
[0012]进一步的，一个所述封装基板与另一个所述封装基板中通过胶粘连接。
[0013]第二方面，本申请实施例公开了一种柔性神经电极封装结构，包括：
[0014]至少两个堆叠设置的平面柔性神经电极阵列；
[0015]所述平面柔性神经电极阵列包括基底和封装基板；所述基底的正面与所述封装基
板的正面连接；
[0016]所述封装基板的反面与另一个所述平面柔性神经电极阵列中的所述基底的反面连接。
[0017]进一步的，所述封装基板的反面与另一个所述平面柔性神经电极阵列中的所述基底的反面通过胶粘连接。
[0018]第三方面，本申请实施例公开了一种柔性神经电极封装结构的制备方法，包括：
[0019]获取第一平面柔性神经电极阵列；所述第一平面柔性神经电极阵列包括第一基底和第一封装基板，所述第一封装基板的正面与所述第一基底的正面连接；
[0020]获取第二平面柔性神经电极阵列；所述第二平面柔性神经电极阵列包括第二基底和第二封装基板，所述第二封装基板的正面与所述第二基底的正面连接；
[0021]将所述第一平面柔性神经电极阵列与所述第二平面柔性神经电极阵列堆叠连接；其中，所述第一封装基板的反面至少部分边沿与所述第二封装基板的正面至少部分边沿连接；或，所述第一封装基板的反面与所述第二基底的反面连接。
[0022]进一步的，所述将所述第一平面柔性神经电极阵列与所述第二平面柔性神经电极阵列堆叠连接之后，还包括：
[0023]在所述第二基底的反面上堆叠连接预设数量的所述第二平面柔性神经电极阵列。
[0024]第四方面，本申请实施例公开了一种柔性神经电极封装结构的制备方法，包括：
[0025]获取第一平面柔性神经电极阵列；所述第一平面柔性神经电极阵列包括第一基底和第一封装基板，所述第一封装基板的正面与所述第一基底的正面连接；
[0026]在所述第一基底的反面上制备第二平面柔性神经电极阵列；所述第二平面柔性神经电极阵列包括第二基底和第二封装基板，所述第二封装基板的正面与所述第二基底的正面连接；所述第一封装基板的反面至少部分边沿与所述第二封装基板的正面至少部分边沿连接；或，所述第二封装基板的反面与所述第一基底的反面连接。
[0027]进一步的，所述在所述第一基底的反面上制备第二平面柔性神经电极阵列之后，还包括：
[0028]在所述第二基底的反面上制备预设数量的所述第二平面柔性神经电极阵列。
[0029]第五方面，本申请实施例公开了一种电子设备，包括如上所述的柔性神经电极封装结构。
[0030]采用上述技术方案，本申请实施例所述的柔性神经电极封装结构、制备方法及设备具有如下有益效果：
[0031]该柔性神经电极封装结构，将平面的柔性神经电极进行集成，实现了大面积覆盖的3D堆叠封装柔性神经电极阵列。将二维的柔性神经电极阵列通过三维封装集成的方式，得到一体化3D柔性神经电极阵列，可用于实现对大脑区域高密度高空间分辨的神经信号采集。
附图说明
[0032]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他
的附图。
[0033]图1为本申请实施例提供的一种柔性神经电极封装结构的示意图；
[0034]图2为本申请实施例提供的一种平面柔性神经电极阵列的结构示意图；
[0035]图3为本申请实施例提供的一种基底的结构示意图；
[0036]图4为本申请实施例提供的一种封装基板的结构示意图；
[0037]图5为本申请实施例提供的一种两个平面柔性神经电极阵列堆叠结构示意图；
[0038]图6为本申请实施例提供的一种柔性神经电极封装结构的制备方法的流程示意图；
[0039]图7为本申请实施例提供的另一种柔性神经电极封装结构的制备方法的流程示意图。
[0040]以下对附图作补充说明：
[0041]1‑
基底；110
‑
支撑衬底；120
‑
柔性神经电极层；121
‑
焊盘部；122
‑
柔性探针部；2
‑
封装基板。
具体实施方式
[0042]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0043]此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本申请至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本申请的描述中，需本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种柔性神经电极封装结构，其特征在于，包括：至少两个堆叠设置的平面柔性神经电极阵列；所述平面柔性神经电极阵列包括基底(1)和封装基板(2)；所述基底(1)的正面与所述封装基板(2)的正面连接；所述封装基板(2)在水平面上的投影与所述基底(1)在水平面上的投影至少部分不重合；所述封装基板(2)的反面至少部分边沿与另一个所述封装基板(2)的正面至少部分边沿连接。2.根据权利要求1所述的柔性神经电极封装结构，其特征在于，所述封装基板(2)的边沿设置有贯穿所述封装基板(2)的焊接点；一个所述封装基板(2)中的所述焊接点，与另一个所述封装基板(2)中的所述焊接点通过焊接连接。3.根据权利要求1所述的柔性神经电极封装结构，其特征在于，一个所述封装基板(2)与另一个所述封装基板(2)中通过胶粘连接。4.一种柔性神经电极封装结构，其特征在于，包括：至少两个堆叠设置的平面柔性神经电极阵列；所述平面柔性神经电极阵列包括基底(1)和封装基板(2)；所述基底(1)的正面与所述封装基板(2)的正面连接；所述封装基板(2)的反面与另一个所述平面柔性神经电极阵列中的所述基底(1)的反面连接。5.根据权利要求4所述的柔性神经电极封装结构，其特征在于，所述封装基板(2)的反面与另一个所述平面柔性神经电极阵列中的所述基底(1)的反面通过胶粘连接。6.一种柔性神经电极封装结构的制备方法，其特征在于，包括：获取第一平面柔性神经电极阵列；所述第一平面柔性神经电极阵列包括第一基底和第一封装基板，所述第一封装基板的正面与所述第一基底的正面连接；获取第二平面柔性神经电极阵列...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭雷，谭正，
申请(专利权)人：上海脑虎科技有限公司，
类型：发明
国别省市：