半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包含沿第一方向延伸的第一有源区。所述半导体装置还包含沿所述第一方向延伸的第二有源区。所述半导体装置进一步包含沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸的第一栅极。所述第一栅极具有安置于所述第一有源区与所述第二有源区之间的第一片段。另外，所述半导体装置包含沿所述第二方向延伸且跨所述第一有源区及所述第二有源区的第一电导体，其中所述第一栅极的所述第一片段及所述第一电导体部分重叠以形成第一电容器。一电导体部分重叠以形成第一电容器。一电导体部分重叠以形成第一电容器。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]当例如金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)的半导体装置通过各种技术节点按比例缩小时，装置布局及隔离可损及装置堆积密度及装置性能。为避免相邻装置(单元)之间的泄漏，可由多晶硅切割层将栅极彼此隔离。
[0003]随着半导体IC产业已演变成使用纳米技术节点来追求增加装置密度、较高性能及较低成本，制作及设计两者的挑战已导致三维(3D)装置的开发。然而，制作三维装置的三维装置及方法在采用多晶硅切割层来隔离相邻装置(单元)方面并不完全令人满意。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施例涉及一种半导体装置，其包括：第一有源区，其沿第一方向延伸；第二有源区，其沿所述第一方向延伸；第一栅极，其沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸，其中所述第一栅极具有安置于所述第一有源区与所述第二有源区之间的第一片段；及第一电导体，其沿所述第二方向延伸且跨所述第一有源区及所述第二有源区，其中所述第一栅极的所述第一片段及所述第一电导体部分重叠以形成第一电容器。
[0005]本专利技术的实施例涉及一种半导体装置，其包括：第一有源区，其沿第一方向延伸；及第一栅极，其沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸，其中所述第一栅极界定在基本上垂直于所述第一方向及所述第二方向的第三方向上与所述第一有源区重叠的第一间隙。
[0006]本专利技术的实施例涉及一种制造半导体装置的方法，其包括：形成沿第一方向延伸的第一有源区；形成沿所述第一方向延伸的第二有源区；形成沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸的第一栅极，其中所述第一栅极具有安置于所述第一有源区与所述第二有源区之间的第一片段；及形成沿所述第二方向延伸且跨所述第一有源区及所述第二有源区的第一电导体，其中所述第一栅极的所述第一片段及所述第一电导体部分重叠以形成第一电容器。
附图说明
[0007]当结合附图阅读时，从以下详细描述最佳理解本公开的实施例的方面。应注意，根据产业中的标准实践，各种结构未按比例绘制。事实上，为了清楚论述可任意增大或减小各种结构的尺寸。
[0008]图1说明根据本公开的一些实施例的半导体装置的布局的示意图。
[0009]图2A说明根据本公开的一些实施例的半导体装置的剖面图。
[0010]图2B说明根据本公开的一些实施例的半导体装置的剖面图。
[0011]图3说明根据本公开的一些实施例的半导体装置的布局的示意图。
[0012]图4A说明根据本公开的一些实施例的半导体装置的剖面图。
[0013]图4B是根据本公开的一些实施例的包含图4A中的电容器的电路的示意图。
[0014]图5A说明根据本公开的一些实施例的半导体装置的布局的示意图。
[0015]图5B说明根据本公开的一些实施例的半导体装置的布局的示意图。
[0016]图6是说明根据本公开的各种方面的用于制造半导体装置的方法的流程图。
具体实施方式
[0017]以下公开提供用于实施所提供的标的物的不同构件的许多不同实施例或实例。下文描述元件及布置的特定实例以简化本公开。当然，这些仅为实例且不希望具限制性。例如，在以下描述中的第一构件形成于第二构件上方或上可包含其中所述第一构件及所述第二构件经形成为直接接触的实施例，且还可包含其中额外构件可形成在所述第一构件与所述第二构件之间，使得所述第一构件及所述第二构件可不直接接触的实施例。另外，本公开可在各个实例中重复元件符号及/或字母。此重复出于简化及清楚的目的且本身不指示所论述的各个实施例及/或配置之间的关系。
[0018]此外，为便于描述，例如“在
…
下面”、“在
…
下方”、“下”、“在
…
上方”、“在
…
上面”、“上”、“在
…
上”及类似者的空间相对术语可在本文中用于描述一个元件或构件与另一(些)元件或构件的关系，如图中说明。空间相对术语希望涵盖除在图中描绘的定向以外的使用或操作中的装置的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或按其它定向)且因此可同样解释本文中使用的空间相对描述词。
[0019]如本文中使用，尽管例如“第一”、“第二”及“第三”的术语描述各种元件、组件、区、层及/或区段，但这些元件、组件、区、层及/或区段不应受这些术语限制。这些术语可仅用来区分一个元件、组件、区、层或区段与另一元件、组件、区、层或区段。除非由上下文清楚指示，否则例如“第一”、“第二”及“第三”的术语当在本文中使用时并不暗示序列或顺序。
[0020]尽管陈述本公开的广泛范围的数值范围及参数是近似值，但尽可能精确地报告特定实例中陈述的数值。然而，任何数值本质上含有必然由相应测试测量中发现的标准偏差所引起的某些误差。此外，如本文中使用，术语“基本上”、“大约”及“约”通常意味着在所属领域的一般技术人员可考虑的值或范围内。替代地，术语“基本上”、“大约”及“约”意味着在由所属领域的一般技术人员考虑时在平均值的可接受标准误差内。所属领域的一般技术人员可了解，可接受标准误差可根据不同技术而变动。除了在操作/工作实例中以外，或除非另有明确指定，否则全部数值范围、量、值及百分比(例如针对材料数量、持续时间、温度、操作条件、量的比率及本文中公开的其类似者的数值范围、量、值及百分比)应被理解为在全部例子中由术语“基本上”、“大约”或“约”修饰。因此，除非相反地指示，否则本公开及随附权利要求书中陈述的数值参数是可任选地变动的近似值。至少，每一数值参数应至少依据所报告有效数字的数目且通过应用普通舍入技术而理解。可在本文中将范围表达为从一个端点到另一端点或在两个端点之间。除非另有指定，否则本文中公开的全部范围都包含端点。
[0021]图1说明根据本公开的一些实施例的半导体装置100的布局的示意图。
[0022]在一些实施例中，半导体装置100包含多个有源区FS1、FS2、FS3及FS4、多个栅极GS1、GS2、GS3、GS4、GS5及GS6及多个电导体ES1、ES2、ES3、ES4、ES5及ES6。出于说明性目的给定有源区、栅极及电导体的数目。各种数目个有源区、栅极及电导体在本公开的经考虑范围
内。本申请案中使用的术语“包括(comprise)”或“包括(comprising)”、“包含(include)”或“包含(including)”、“具有(have)”或“具有(having)”及类似者应被理解为开放式，即，意味着包含但不限于。因此，图1中未展示且形成于半导体装置100中的各种元件及/或结构在本公开的经考虑范围内。
[0023]在一些实施例中，如图1中展示，有源区FS1到FS4沿X方向延伸。有源区FS1到FS4沿Y方向彼此平行。有源区FS1到FS4彼此隔开。在一些实施例中，两个邻近有源区FS1到FS4在其之间可具有不同距离。例如，有源区FS1及有源区FS2在其之间可具有距离D1，且有源区FS2及有源区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其包括：第一有源区，其沿第一方向延伸；第二有源区，其沿所述第一方向延伸；第一栅极，其沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸，其中所述第一栅极具有安置于所述第一有源区与所述第二有源区之间的第一片段；及第一电导体，其沿所述第二方向延伸且跨所述第一有源区及所述第二有源区，其中所述第一栅极的所述第一片段及所述第一电导体部分重叠以形成第一电容器。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括：第二栅极，其沿所述第二方向延伸，其中所述第二栅极具有安置于所述第一有源区与所述第二有源区之间的第二片段，且所述第二栅极的所述第二片段及所述第一电导体部分重叠以形成与所述第一电容器并联连接的第二电容器。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其进一步包括：第一栅极连接器，其电连接到所述第一栅极且安置于所述第一有源区与所述第二有源区之间；及第二栅极连接器，其电连接到所述第二栅极，其中所述第一栅极连接器对准到所述第二栅极连接器。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一栅极未在基本上垂直于所述第一方向及所述第二方向的第三方向上与所述第一有源区及所述第二有源区重叠。5.一种半导体装置，其包括：第一有源区，其沿第一方向延伸；及第一栅极，其沿垂直于所述第一方向的第二方向延...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈重辉，陈万得，张子敬，余宗欣，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：